650V、10 A 低損耗Trench Gate M系列IGBT
緊湊型SLIMM™-nano STIPNS1M50T-H模塊采用SMD封裝,可提高低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的能效,同時(shí)提高可靠性并降低電磁干擾。
N 通道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V,最大 0.8mOhm,360A,STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
汽車級 N溝道增強(qiáng)模式邏輯電平40V,最大0.75mOhm,373 A,STripFET F8功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
新型250V STSPIN32 BLDC驅(qū)動(dòng)器配備嵌入式STM32 MCU,減少PCB面積,降低總體設(shè)計(jì)成本