基于STCMB1, G-HEMT和MasterGaN的200W 氮化鎵適配器方案
STEVAL-GAN200CB是一款輸出19V-200W的適配器方案，該方案有效降低了輕載待機(jī)功耗，提高了滿載效率。ST E-模式的650V氮化鎵功率SGT120R65AL及氮化鎵芯片MasterGaN的使用使?jié)M載效率達(dá)到了95.5%
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SGT120R65AL
65W USB Type-C® Power Delivery 3.0適配器是一款USBPD參考設(shè)計(jì)解決方案。它是一款基于VIPERGAN65(屬于VIPerPlus系列的一種新型離線高壓轉(zhuǎn)換器，配有650 V HEMT功率GaN晶體管)的隔離式電源，專為準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì)，能夠在大范圍內(nèi)提供最高65 W的輸出功率.
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VIPERGAN65
STUSB4761
該方案演示展示了全新ST Ki功率發(fā)射器與ST NFC部件相結(jié)合應(yīng)用。Ki無線廚房是無線電力聯(lián)盟(WPC)制定的一項(xiàng)新標(biāo)準(zhǔn)，旨在取代使用電源線的傳統(tǒng)廚房電器(如攪拌機(jī)、烤面包機(jī)、電飯煲、咖啡機(jī)等)，并最終與電磁爐灶臺(tái)結(jié)合。在此演示中，ST功率發(fā)送器將與“靜態(tài)”和“動(dòng)態(tài)”設(shè)備相結(jié)合，以展示不同的模式和功率控制。
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低成本智能光伏組件優(yōu)化器參考方案，集成基于直流電力線通信的遠(yuǎn)程控制和網(wǎng)絡(luò)管理。
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此方案演示分別展示了汽車行駛和充電過程中汽車電池的放電和充電過程。能量與流量的關(guān)系通過動(dòng)態(tài)LED路徑顯示，充電狀態(tài)、可用電量、行駛里程和溫度均顯示在面板上的顯示屏。
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L9963E
140W USB PD 快充方案符合USB PD3.1 EPR 28V標(biāo)準(zhǔn)。效率滿足CoC 2級(jí)及DoE 6級(jí)能效，230Vac輸入時(shí)候滿載效率達(dá)到94.4%。數(shù)字控制器ST-ONEHP用作ACF的功率控制及PD協(xié)議控制，MASTERGAN1用于ACF原邊功率管。
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STWBC2-HP
MasterGaN1
基于ST-One的高功率密度65W充電器采用了ST MasterGaN系列的氮化鎵芯片。MasterGaN2集成了兩個(gè)半橋結(jié)構(gòu)的氮化鎵及其驅(qū)動(dòng)電路，便于使用。我們同時(shí)展示了使用傳統(tǒng)繞線變壓器及平面變壓器的方案。
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L6563S
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基于STWBC2-HP和STWLC99的高達(dá)100W的筆記本無線充電
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基于STM32G473 AI的智能光伏拉弧檢測(cè)，支持4通道并行工作。 使用基于TSV772運(yùn)放的多級(jí)濾波器實(shí)現(xiàn)高達(dá)500KHz采樣(250KHz 帶寬)。支持STM32H7的評(píng)估以用于高階AI。支持現(xiàn)場(chǎng)錯(cuò)誤信息采集。
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STM32G473
意法半導(dǎo)體(ST)具備從低功率至高功率完整的無線充電PTx和RTx方案？梢詽M足不同功率段無線充電的需求。本次演講將介紹ST無線充電PTx至RTx如何在實(shí)際項(xiàng)目中設(shè)計(jì)導(dǎo)入，并介紹無線充電設(shè)計(jì)過程中需要注意的事項(xiàng)。幫助用戶了解如何采用ST的無線充電方案，更快，更有效地實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)應(yīng)用。
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無線充電器接收器
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STWBC86 符合Qi標(biāo)準(zhǔn)的感應(yīng)式無線電源發(fā)射器，支持最高5W應(yīng)用
STWLC38 符合Qi標(biāo)準(zhǔn)的感應(yīng)式無線電源接收器，支持最高15W應(yīng)用
意法半導(dǎo)體高性能模擬器件在運(yùn)算放大器、接口、DCDC和LDO等領(lǐng)域，在自動(dòng)化、工業(yè)、電源和汽車需求中發(fā)揮著不可或缺的作用。
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低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器
LDO穩(wěn)壓器 線性穩(wěn)壓快速參考指南
熱插拔(eFuse)電源管理
接口與收發(fā)器
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引領(lǐng)創(chuàng)新，ST意法半導(dǎo)體積極布局第三代半導(dǎo)體技術(shù)，穩(wěn)步推進(jìn)第三代半導(dǎo)體特別是氮化鎵GaN技術(shù)在快充產(chǎn)品中的應(yīng)用。借助ST在電源轉(zhuǎn)換控制領(lǐng)域多年的積累，結(jié)合最新的氮化鎵GaN技術(shù)，為您帶來新一代快充及大功率輔助電源的完整解決方案。
本場(chǎng)演講著重于ST VIPerGaN系列產(chǎn)品的介紹， 相關(guān)應(yīng)用案例及技術(shù)細(xì)節(jié)的分享和探討。第三代半導(dǎo)體助力快充產(chǎn)品的高速發(fā)展，開啟更小，更輕，更快，氮化鎵充電時(shí)代 !
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VIPERGAN50
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STUSB4761 Stand-alone USB PD controller (with integrated CC/CV)
電池供電的大量應(yīng)用促使降壓芯片往高壓大電流發(fā)展，L3751是一款75V輸入的降壓控制器，其具體參數(shù)，功能和典型應(yīng)用都會(huì)在這里詳細(xì)介紹。 隔離降壓的需求也是越來越多，可以一起來看看我們有哪些具體的方案。
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L6983I 38 V 10W synchronous iso-buck converter for isolated applications
ST專注無線充電技術(shù)的研究與產(chǎn)品開發(fā)，致力于無線充電技術(shù)創(chuàng)新與能效提升。公司具備完整的無線充電Tx，Rx解決方案，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子領(lǐng)域，工業(yè)領(lǐng)域，醫(yī)療領(lǐng)域，汽車領(lǐng)域等。作為WPC標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)的成員之一，ST始終致力于為客戶提供高品質(zhì)，高效率，高標(biāo)準(zhǔn)的解決方案，持續(xù)改善用戶體驗(yàn)。本視頻旨在向各位觀眾介紹ST在現(xiàn)階段廣泛應(yīng)用的解決方案，希望通過本次介紹，可以讓大家對(duì)ST無線充電產(chǎn)品有更全面的了解。
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無線充電IC
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無線充電器發(fā)射器
本期視頻中會(huì)介紹CAN總線的基礎(chǔ)知識(shí)，特別是在汽車應(yīng)用，解釋保護(hù)器件的重要性，以及ST的ESDCAN系列如何解決這個(gè)問題。同時(shí)我們將深入研究保護(hù)質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)及ST可提供的工具和材料來選擇合適的ESDCAN。
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ESDCAN網(wǎng)頁
汽車級(jí)ESD保護(hù)的評(píng)估板STEVAL-OET003V1的詳情
ESD視頻
應(yīng)用筆記AN2689
通過本期網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，我們來了解可控硅整流器(SCR)對(duì)電動(dòng)汽車充電的作用。為了滿足汽車電氣化的更高要求，可控硅整流器在汽車插入充電站時(shí)限制了浪涌電流？煽毓枵髌骶哂须妷航递^低的優(yōu)點(diǎn)，當(dāng)汽車電池供應(yīng)于汽車交流負(fù)載時(shí)，可控硅整流器還為雙向充電器提供高效的解決方案。在本次網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)上，我們將了解在汽車充電拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用可控硅整流器的好處，以及如何輕松控制它們。本期研討會(huì)專門為從事車載充電器或充電站前端設(shè)計(jì)的人員準(zhǔn)備。ST的汽車級(jí)可控硅整流器系列產(chǎn)品專為可靠、高效的汽車充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，可從離散表面貼裝的30至130 A擴(kuò)展到功率范圍為3至50 kW的頂部散熱式功率模塊。無論您是初步進(jìn)入這個(gè)行業(yè)還是有多年的經(jīng)驗(yàn)，如果您需要了解可控硅整流器對(duì)汽車充電的作用，就來觀看我們這期的研討會(huì)吧!
通過本期視頻，我們來了解CAN總線和浪涌保護(hù)面臨的眾多挑戰(zhàn)以及解決方案，幫助您選擇符合設(shè)計(jì)需求的最佳保護(hù)裝置，并了解選擇ESDCAN設(shè)備的原因。
在本期視頻中，我們來了解靜電保護(hù)的重要性。通過一個(gè)快速的演示，我們來看看向微型控制器釋放ESD會(huì)發(fā)生什么。一般來說，意法半導(dǎo)體的ESD保護(hù)器件，包括瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)主要具有以下特點(diǎn)：符合IEC 61000-4-2標(biāo)準(zhǔn); 低鉗位電壓; 低泄漏電流，對(duì)保護(hù)具有可靠性; 超低電容和超寬帶寬，信號(hào)具有完整性。ST提供多種封裝選項(xiàng)，包括單線和多線、緊湊、平面和流體版本，以優(yōu)化空間布局。
本期視頻將關(guān)注ST最新的ECMF共模濾波器，該濾波器深度衰減藍(lán)牙和WLAN頻率下的共模噪聲，并與強(qiáng)大的+10 kV接觸放電ESD保護(hù)相結(jié)合。這些新的共模濾波器具有10.7 GHz的帶寬，成為USB4、HDMI 2.1和USB 3.2等對(duì)最新高速標(biāo)準(zhǔn)的理想選擇。
本方案是一個(gè)30kW 直流轉(zhuǎn)化的數(shù)字電源解決方案，適用于汽車充電模塊中。該平臺(tái)使用了SCT025W120G3-4AG碳化硅MOSFET和 STTH60RQ06W 超快恢復(fù)二極管。本方案峰值效率高達(dá)98.2%，輸出電壓200-1000V，功率密度高達(dá) 50W/inch³。
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SCT025W120G3-4AG
STGAP2SICS
STTH60RQ06W
本方案是一個(gè)25kW 直流轉(zhuǎn)化的數(shù)字電源解決方案。該平臺(tái)使用了ST ACEPACK 模塊A2F12M12W2和A2H6M12W3。本方案峰值效率高達(dá)98%，能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充放電功能。
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STM32G4
STGAP2SiC
A2F12M12W2
本方案是一個(gè)30kW 三相整流電源的數(shù)字電源解決方案，適用于汽車充電模塊中。該平臺(tái)使用了 SCT018W65G3AG 碳化硅MOSFET和 STPSC40H12C碳化硅二極管。本方案峰值效率高達(dá)98.5%，輸入諧波小于5%，功率因數(shù)0.99。整體外形尺寸 430mm*330mm*80mm，功率密度高達(dá) 49W/inch³。
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SCT018W65G3AG
STPSC40H12CWL
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本視頻介紹STDES-PFCBIDIR參考設(shè)計(jì)方案；赟T 650V和1200V碳化硅MOSFET和STM32G4數(shù)字微處理芯，實(shí)現(xiàn)了三相交流電與直流電之間的能量雙向傳輸，該方案適合于需要回饋電網(wǎng)功能的充電樁和車載充電器的應(yīng)用。碳化硅MOSFET的使用，以及三相拓?fù)涞倪x取使電路能夠達(dá)到接近99%的高效率，同時(shí)更高的開關(guān)頻率也能夠減小無源元件的尺寸和成本。
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STM32G474RET3
SCTW35N65G2V
SCTW40N120G2VAG
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本視頻介紹方案的是一個(gè) 3kW 電信電源的完整系統(tǒng)解決方案。 它由 CCM無橋圖騰柱功率因數(shù)校正器 (PFC) 和帶同步整流器的全橋 LLC DC-DC 諧振轉(zhuǎn)換器組成。 它采用了最新的 ST 電源套件器件：碳化硅 MOSFET、具有低 Rdson 的超結(jié) MOS、隔離式 FET 驅(qū)動(dòng)器和 32 位 MCU。 該參考設(shè)計(jì)為緊湊型解決方案開辟了道路，并提供了高峰值效率。 整個(gè) PSU 在 230 VAC 時(shí)測(cè)得的峰值效率為 96.5%。 PSU 的整體外形尺寸為 105 mm x 281 mm x 41 mm，功率密度高達(dá) 40 W/inch³。
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本視頻介紹2KW 3相交錯(cuò)ZVS 圖騰柱PFC，其特點(diǎn)包括：
-. 輸入115Vac-230Vac
-. 輸出 Vout=390Vdc
-. 輸出功率Pout=2kW@230Vac (1kW@115Vac)
-. 230Vac輸入滿載峰值效率超過99%
-. ZVS諧振工作
-. 三相交錯(cuò)并聯(lián)
-. 電流遲滯控制
-. 功率密度: 1.85 W/cm3 ( 30.4 W/inc3)
-. 自然冷卻，無需散熱片
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本視頻介紹及演示了CAN、LIN總線通訊時(shí)受到靜電干擾，通過ST ESD保護(hù)器件進(jìn)行充分保護(hù)，仍然可以正常工作，無任何影響。
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保護(hù)和EMI濾波器
本視頻介紹及展示基于VIPREGAN50/65系列的45W/65W充電器。EVLVIPGAN50PD 45 W USB Type-C® Power Delivery 3.0適配器是一款USBPD參考設(shè)計(jì)解決方案。它是一款基于VIPERGAN50(屬于VIPerPlus系列的一種新型離線高壓轉(zhuǎn)換器，配有650 V HEMT功率GaN晶體管)的隔離式電源，專為準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì)，能夠在大范圍內(nèi)提供最高50 W的輸出功率。EVLVIPGAN65PD 是同系列輸出最大65W功率的充電器方案。
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SRK2001
本視頻介紹及展示基于ST-One和 MasterGaN的高功率密度快充解決方案。該方案的演示系統(tǒng)包括三部分：65W的快充demo板，基于STM32G4的USB PD以及基于STM32H7的一個(gè)觸摸顯示屏。該方案采用橋式整流加有源鉗位反激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其中主控制器為ST-ONE,是首款集成了ARM內(nèi)核的可編程電源數(shù)字控制芯片,內(nèi)置有源鉗位反激和同步整流控制器,并可輕松與快充協(xié)議IC協(xié)同工作。
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本視頻介紹基于L6599A+MasterGaN的雙輸出半橋LLC方案，整個(gè)板子厚度小于10mm，特別適用于OLED TV電源應(yīng)用。
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本視頻介紹基于ST-One的高功率密度65W充電器采用了ST MasterGaN系列的氮化鎵芯片。MasterGaN集成了兩個(gè)半橋結(jié)構(gòu)的氮化鎵及其驅(qū)動(dòng)電路，便于使用。我們同時(shí)展示了使用傳統(tǒng)繞線變壓器及平面變壓器的方案。
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MasterGaN2
本視頻介紹STDES-200GANADP板， STDES-200GANADP是一款輸出19V-200W的適配器方案，控制器STCMB1集成了PFC和半橋LLC的控制，有效降低了輕載待機(jī)功耗，提高了平均i效率。氮化鎵芯片MasterGaN的使用提高了整機(jī)效率。
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STCMB1
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STL140N6F7
SRK2001A
本視頻介紹并演示基于STWBC2-HP和STWLC98的無線充電系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)直接對(duì)電動(dòng)工具電池包的無線充電管理。
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STWBC2-HP
STW:C98
本視頻重于ST對(duì)寬禁帶器件GaN產(chǎn)品及技術(shù)介紹、特別介紹最新的 MasterGaN和VIPerGaN的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)會(huì)在相充電器/適配器等應(yīng)用案例及技術(shù)細(xì)節(jié)進(jìn)行分享和探討。
1. 介紹ST氮化鎵(GaN)產(chǎn)品 - MasterGaN和VIPerGaN的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
2. MasterGaN和VIPerGaN在充電器/適配器/服務(wù)器待機(jī)電源應(yīng)用案例研究
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氮化鎵(GaN)
集成式智能GaN
MASTERGAN2
ST-ONE 適用于USB-PD充電器的全集成數(shù)字控制器
意法半導(dǎo)體積極布局第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)，其下SiC和GaN產(chǎn)品和技術(shù)組合最為廣泛，包括分立器件，模塊組合和晶圓裸片，能夠?qū)崿F(xiàn)極為高效和緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，從而滿足未來對(duì)可持續(xù)發(fā)展、綠色能源等優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的需求。氮化鎵材料非常高的電子遷移率使得器件具有非常低的導(dǎo)通電阻和非常高的開關(guān)頻率，這是下一代電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，意法半導(dǎo)體的GaN產(chǎn)品適用于各種各樣的應(yīng)用，如電源和適配器(PC、便攜式電子產(chǎn)品、插座式USB充電器、無線充電器等)、功率因數(shù)校正(PFC)，以及DC/DC變換器。在汽車領(lǐng)域，GaN器件非常適合高效電動(dòng)汽車車載充電器和輕度混合動(dòng)力DC-DC變換器 。
相關(guān)產(chǎn)品：
氮化鎵(GaN)
本視頻重于ST對(duì)寬禁帶器件SiC產(chǎn)品及技術(shù)介紹、特別介紹最新的SiC的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
1. 介紹STPower產(chǎn)品系列及寬禁帶器件的優(yōu)點(diǎn)
2. ST碳化硅(SiC)產(chǎn)品概述
相關(guān)產(chǎn)品：
碳化硅(SiC)器件
碳化硅(SiC)MOSFET
碳化硅(SiC)二極管
STPOWER ACEPACK模塊
太陽能分布式發(fā)電
直流快速充電站
STDES-VIENNARECT
STDES-PFCBIDIR
STEVAL-DPSTPFC1 使用TN3050H-12WY和SCTW35N65G2V的3.6 kW PFC圖騰柱，具有浪涌電流限流器參考設(shè)計(jì)
本視頻旨在闡述共模濾波器 + ESD保護(hù)組合在應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)，并由ST的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室專家提供特定部件及相應(yīng)的測(cè)試結(jié)果。
您將獲得以下信息：
*需要共模濾波器的噪聲干擾的案例
* 共模濾波器如何抑制重新產(chǎn)生的噪聲并保持有用信號(hào)
* 如何解決天線失感問題
* ECMFTM產(chǎn)品如何幫助設(shè)計(jì)符合EMC 標(biāo)準(zhǔn)
* 采用ECMF 產(chǎn)品可以如何提高 ESD 保護(hù)性能以保護(hù) IC
* 通過我們應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室專家提供的方案：您將看到通過Wi-Fi連接和10Gbps傳輸?shù)母鞣N測(cè)試結(jié)果(RSSI測(cè)試結(jié)果、頻譜分析和傳輸速度測(cè)試結(jié)果)
* 全新 USB4 和 HDMI 2.1 標(biāo)準(zhǔn)概述
* 相關(guān)應(yīng)用及產(chǎn)品概述
相關(guān)產(chǎn)品：
ECMF2-40A100N6
ECMF4-40A100N10
共模濾波器的應(yīng)用說明
ECMF AN4511 應(yīng)用筆記
共存-仿真-方法的白皮書
碳化硅材料是功率半導(dǎo)體主要進(jìn)步發(fā)展方向，可顯著提高電能利用率。新能源汽車，光伏，儲(chǔ)能，大功率電源及高端工業(yè)都是碳化硅功率器件的主要應(yīng)用場(chǎng)景。ST擁有完整的供應(yīng)鏈和全面設(shè)計(jì)支持，可以提供優(yōu)質(zhì)的碳化硅產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)較長系統(tǒng)使用壽命和高可靠性，能很好滿足更智能，更高效發(fā)電用電需求。
借此機(jī)會(huì)，邀請(qǐng)大家一起來分享探討ST碳化硅產(chǎn)品最新技術(shù)，市場(chǎng)分析和相關(guān)資訊。
相關(guān)產(chǎn)品：
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碳化硅(SiC)MOSFET
碳化硅(SiC)二極管
應(yīng)用手冊(cè)AN3152–The right technology for solar converters
應(yīng)用手冊(cè)AN5355–Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp
應(yīng)用手冊(cè)AN4671–How to fine-tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses
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MASTERGAN2
ST-ONE 適用于USB-PD充電器的全集成數(shù)字控制器
EVLMG1-250WLLC 評(píng)估版
碳化硅 SiC可適用于所有能源優(yōu)化的應(yīng)用，例如能源生產(chǎn)，轉(zhuǎn)換，分配和儲(chǔ)存等。在優(yōu)化汽車設(shè)計(jì)方面，可讓充電更快，駕駛時(shí)間更長。在優(yōu)化工業(yè)應(yīng)用中，更可提升可靠性和效率。在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)效率方面，可實(shí)現(xiàn)緊湊高效性能。STPower系列有 碳化硅 MOSFETs和碳化硅二極管等不同的產(chǎn)品。
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碳化硅(SiC)器件
碳化硅(SiC)MOSFET
碳化硅(SiC)二極管
隨著工業(yè)自動(dòng)化和半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，模擬器件的選型對(duì)于電子產(chǎn)品與系統(tǒng)設(shè)計(jì)已經(jīng)成為工程師著重考慮的環(huán)節(jié)，在信號(hào)調(diào)理及系統(tǒng)反饋等方面，對(duì)于高性能運(yùn)放的需求越來越多，且技術(shù)要求越來越復(fù)雜。
本次視頻著重關(guān)注與ST在高性能運(yùn)放產(chǎn)品的介紹及相關(guān)的應(yīng)用案例及技術(shù)細(xì)節(jié)的分享和討論。助力工業(yè)和汽車應(yīng)用的發(fā)展。
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放大器和比較器
功率運(yùn)放
TSU101納功率(580nA)軌到軌I/O 5V CMOS運(yùn)算放大器
電流感應(yīng)放大器
STEVAL-AETKT1V1開發(fā)套件
X-NUCLEO-IKA01A1用于STM32 Nucleo的多功能擴(kuò)展板，基于運(yùn)算放大器
本視頻主要介紹ST模擬在電源管理和信號(hào)調(diào)理和接口一系列的產(chǎn)品。
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放大器和比較器
TSV792增益穩(wěn)定放大器
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TSB712高精度6 Mhz - RR IO - 36 V BiCMOS運(yùn)算放大器
運(yùn)算放大器 - 快速參考指南(PDF)
降壓穩(wěn)壓器 L6983
具有可調(diào)電流限值的61 V 3 A異步降壓開關(guān)穩(wěn)壓器L7987
ST1PS03負(fù)載開關(guān)
ST1PS02極低靜態(tài)電流同步整流降壓轉(zhuǎn)換器
此視頻介紹TSV792高帶寬運(yùn)算放大器，具高帶寬 (50 MHz)，單位增益穩(wěn)定的特性，擁有多項(xiàng)的優(yōu)勢(shì)， 如 高頻信號(hào)精準(zhǔn)放大和準(zhǔn)確的低側(cè)電流檢測(cè)等。TSV792 可用于工業(yè)、智能家居 和 汽車 應(yīng)用，并有多種封裝選擇。
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TSV792
L6983 / 2 / 1 此3 款產(chǎn)品擁有相同功能但不同電壓。 可以使用于多種應(yīng)用如電池供電系統(tǒng)，工業(yè)總線，去中心化智能節(jié)點(diǎn)，常開且對(duì)噪聲敏感的應(yīng)用場(chǎng)景等。ST同時(shí)提供開發(fā)環(huán)境， 助您創(chuàng)建自己的系統(tǒng)。使用 eDesign Suite 進(jìn)行仿真，還可采用ST提供的6款開發(fā)板進(jìn)行原型設(shè)計(jì)和測(cè)試。
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st.com/L6983-2-1
eDesignSuite
L7983 - 緊湊型60 V & 300 mA DC-DC轉(zhuǎn)換器。
開關(guān)穩(wěn)壓器， 10µA靜態(tài)電流， 可用于許多關(guān)鍵應(yīng)用， 如故障安全系統(tǒng)， 去中心化智能節(jié)點(diǎn)等。
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DC/DC轉(zhuǎn)換器
無線充電解決方案，通過電磁感應(yīng)實(shí)現(xiàn)功率在發(fā)射電路板(TX)和電池供電設(shè)備(RX)之間傳輸，并擁有廣泛的市場(chǎng)和應(yīng)用前景，例如在智能手機(jī)、智能手表、計(jì)算機(jī)和外圍設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備甚至工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域，能夠減少充電線和一次性電池的使用。
ST是無線充電方案及器件的主要供應(yīng)商之一，提供包括從低功率到高功率，從TX到RX的全套無線充電方案。ST的多種無線充電解決方案，發(fā)射端TX和接收端RX通過調(diào)制信號(hào)和控制環(huán)路，實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載變化的響應(yīng)和調(diào)節(jié)，并具有低待機(jī)功率檢測(cè)和異物檢測(cè)(FOD)等功能。ST還提供評(píng)估板和開發(fā)工具以及參考設(shè)計(jì)，以幫助客戶開發(fā)符合Qi協(xié)議的高效緊湊無線充電方案。
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無線充電IC
本視頻記錄意法半導(dǎo)體在線工業(yè)巡迴系列 - 電源與能源場(chǎng)，將會(huì)分享意法半導(dǎo)體的工業(yè)市場(chǎng)策略，同時(shí)視頻的內(nèi)容將涵蓋：
5G TPS/CCM圖騰柱PFC中STM32G4的數(shù)字電源解決方案
基于SiC技術(shù)的充電站和儲(chǔ)能應(yīng)用AC-DC轉(zhuǎn)換解決方案
具有用于OLED電視之MasterGaN的10mm高度/ 150 + 350W LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)考量
基于MasterGaN的65W有源箝位反激轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)考量
50W + RX / TX 無線充電
5G通信電源功率離散組件解決方案
DC-DC 控制器電熔絲熱插拔
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能源生產(chǎn)和分配的應(yīng)用
計(jì)量的應(yīng)用
此視頻介紹一個(gè)50W的無線充電解決方案和一個(gè)12W的反向的無線充電方案。
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無線充電IC
此視頻介紹 ST 2.5W 無線充電解決方案，這方案由于小尺寸，小功率，適合可穿戴應(yīng)用。方案的TX 和 RX 都基于 STWLC68 系列芯片。該設(shè)備是單體的，集成了全橋MOS和驅(qū)動(dòng)程序，Qi ASK/FSK和LDOs在內(nèi)。它對(duì) TX 和 RX 板都只需要很少的外部組件。 因此，此解決方案是緊湊的，尤其是 RX 板，完整的參考應(yīng)用限制在 10x10 mm的PCB板內(nèi)。板徑不超過2厘米。
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無線充電IC
ST MasterGaN 平臺(tái)助力享受電力沖浪!開啟更小，更輕，更快，氮化鎵充電時(shí)代!
引領(lǐng)創(chuàng)新，ST 積極布局第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用，ST獨(dú)有的MasterGaN產(chǎn)品平臺(tái)是基于經(jīng)過市場(chǎng)檢驗(yàn)的專業(yè)知識(shí)和設(shè)計(jì)能力整合高壓智能功率BCD工藝與GaN技術(shù)，集成高壓半橋驅(qū)動(dòng)和半橋配置的GaN晶體管的芯片，MasterGaN平臺(tái)系列采用9mm*9mm*1mm, GQFN封裝， 友好的設(shè)計(jì)環(huán)境能幫助加快新一代 400W 以內(nèi)用于消費(fèi)電子和工業(yè)領(lǐng)域的充電器和電源適配器的開發(fā)速度， ST MasterGaN 平臺(tái)助力享受電力沖浪!開啟更小，更輕，更快，氮化鎵充電時(shí)代 !
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內(nèi)容摘要：
1. SiC材料及SiC MOSFET技術(shù)介紹
2. ST SiC MOSFET產(chǎn)品介紹
3. SiC MOSFET的在工業(yè)上的典型應(yīng)用以及帶來的好處
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碳化硅(SiC)MOSFET
STDES-VIENNARECT
STDES-PFCBIDIR
ST電源管理介紹
新能源轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)主要包括電動(dòng)汽車領(lǐng)域的能量轉(zhuǎn)換如OBC, DC-DC，Traction inverter，充電樁和工業(yè)領(lǐng)域的光伏，UPS, 儲(chǔ)能等應(yīng)用。針對(duì)不同應(yīng)用對(duì)功率器件的具體需求，ST擁有MOSFET, IGBT, 二極管，SIC器件等不同類型的高密度功率器件。本材料針對(duì)新能源轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)的不同應(yīng)用對(duì)ST的功率器件產(chǎn)品及其優(yōu)勢(shì)作個(gè)介紹。
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功率MOSFET
ST電源管理介紹
ST的IGBT
650V HB2
650V HB系列
M6, DM6鏈接
碳化硅(SiC)MOSFET
該視頻主要介紹意法半導(dǎo)體公司推出的兩款基于碳化硅MOSFET的AC/DC功率變換電路參考設(shè)計(jì)方案。第一款參考設(shè)計(jì)方案采用三相維也納整流的電路拓?fù)洌ㄟ^數(shù)字模擬混合控制的方式實(shí)現(xiàn)。方案適用于直流充電樁，車載充電器，交流電源等應(yīng)用領(lǐng)域。第二款參考設(shè)計(jì)采用T型三電平的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，全數(shù)字控制方式，能夠?qū)崿F(xiàn)能量的雙向流動(dòng)。該方案適合于直流充電樁，儲(chǔ)能等應(yīng)用。兩款參考設(shè)計(jì)方案均使用了意法半導(dǎo)體公司的成熟元器件，能夠幫助客戶加速研發(fā)過程，快速進(jìn)入市場(chǎng)。
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STDES-VIENNARECT
STNRG388A
STDES-PFCBIDIR
STM32G4
碳化硅(SiC)MOSFET
ACEPACK功率模塊
STGAP柵驅(qū)動(dòng)器
PFC轉(zhuǎn)換器是針對(duì)輸入電流進(jìn)行控制，使其與輸入電壓同步，以增加功率因數(shù)并降低輸入電流諧波。 在傳統(tǒng)的PFC拓?fù)渲，存在橋式二極管功率損耗，降低了PFC轉(zhuǎn)換器效率。 然而，無橋圖騰柱式PFC轉(zhuǎn)換器，移除橋式整流的損耗，從而提高了效率。
該演示板將著重在無橋圖騰柱PFC轉(zhuǎn)換器的實(shí)現(xiàn)，包括電路設(shè)計(jì)和數(shù)字控制演算法，同時(shí)推廣最新ST的技術(shù)(SiC MOS / SCR / STGAP / STM32 / VIPER) 可實(shí)現(xiàn)於高效率和高功率密度的解決方案。
此外，該參考設(shè)計(jì)通過使用兩個(gè)工作在低頻的SCR和兩個(gè)工作在固定開關(guān)頻率的SiC MOSFET，在PFC啟動(dòng)序列中提供了浪涌電流限制的數(shù)字控制，進(jìn)而消除傳統(tǒng)的繼電器和NTC / PTC來提高功率密度。
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晶閘管 (SCR) 和 交流開關(guān)
STEVAL-DPSTPFC1
碳化硅(SiC)MOSFET
650 V 碳化硅功率肖特基二極管
1200V 碳化硅(SiC)二極管
意法半導(dǎo)體的兩款三相AC/DC功率轉(zhuǎn)換解決方案，用以客戶快速開發(fā)產(chǎn)品。采用碳化硅半導(dǎo)體器件，可以實(shí)現(xiàn)近99%的效率，并減小無源器件尺寸和成本。該方案適合用于電動(dòng)汽車車載充電器、充電樁、工業(yè)電池充電器等應(yīng)用，雙向AC/DC功率轉(zhuǎn)換功能適合用于需要V2G功能的充電樁和儲(chǔ)能應(yīng)用。
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STDES-VIENNARECT
STDES-PFCBIDIR
碳化硅MOSFET SCTW35N65G2V
碳化硅MOSFET SCTW40N120G2V
碳化硅二極管 STPSC20H12
數(shù)字控制器 STNRG388A
STM32 G4系列數(shù)字控制器
隔離型驅(qū)動(dòng)芯片 STGAP2SM
高壓轉(zhuǎn)化器 VIPER26
主要介紹意法半導(dǎo)體在服務(wù)器與通訊網(wǎng)絡(luò)電源管理應(yīng)用的解決方案，包含多項(xiàng)的( Multi-phase )的電源管理控制器以及功率元件( Dr.MOS )，以及48V系統(tǒng)的先進(jìn)解決方案。提供完整的架構(gòu)，適用於供給高速運(yùn)算( HPC )的設(shè)計(jì)平臺(tái)。
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多輸出控制器和穩(wěn)壓器
PM6776
意法半導(dǎo)體在SiC產(chǎn)品上有超過20年的經(jīng)驗(yàn)，為客戶帶來了SiC Diode/MOSFET/Driver產(chǎn)品的一站式采購。目前最新的Gen2的650V/1200V SiC MOSFET陸續(xù)批產(chǎn)面世，新產(chǎn)品以豐富的產(chǎn)品類型，領(lǐng)先的工藝，充裕的產(chǎn)能，出色的可靠性將更適合客戶項(xiàng)目的需求;此次研討會(huì)ST技術(shù)專家將從Double Pulse測(cè)試，門極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，結(jié)合ST最新的15KW/30KW Vienna，15KW雙向AC/DC整流電路Demo板，全方面介紹SiC MOSFET的設(shè)計(jì)要點(diǎn)。
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碳化硅(SiC)MOSFET
650 V 碳化硅功率肖特基二極管
1200V 碳化硅(SiC)二極管
ST的15KW 基于Type2 形式的Vienna整流的參考設(shè)計(jì)電路
STDES-PFCBIDIR- 是ST的15KW T字三電平形式的，雙向AC/DC參考設(shè)計(jì)電路
STNRG011是數(shù)字化PFC+LLC一體的電源控制方案, 該方案基于多模式PFC控制以及time shift LLC控制。STNRG011可以廣泛的應(yīng)用在300W以下的開關(guān)電源, 比如TV電源, LED照明電源, 6級(jí)能效適配器電源,工業(yè)電源等等。STNRG011采用的是S020封裝, 集成了PFC和LLC控制, 減少了周邊元器件, PFC部分采用ST最新的專利來實(shí)現(xiàn)高PF值和低THD, LLC部分是ST專利的time shift控制模式, 來實(shí)現(xiàn)低工頻紋波和更快的動(dòng)態(tài)響應(yīng)。STNRG011完全是基于數(shù)字化的控制模式,幾乎所有參數(shù)都支持NVM更改來實(shí)現(xiàn)客戶需求的性能,靈活的調(diào)試電源來達(dá)到設(shè)計(jì)的目標(biāo).
大多數(shù)用電設(shè)備在電源開啟瞬間,會(huì)有一個(gè)超級(jí)大浪涌電流從電網(wǎng)流入,電壓反彈或電弧將會(huì)造成額外的電磁干擾(EMI)輻射;晶閘管(SCR/Triac)用在交流開關(guān)控制替換機(jī)械繼電器方面，具有響應(yīng)速度快、導(dǎo)通無電壓反彈、關(guān)斷無電弧及無噪音干擾的多種優(yōu)勢(shì)。意法半導(dǎo)體作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，為家電/工業(yè)、汽車領(lǐng)域推出全面、高能效、可靠的晶閘管浪涌電流抑制解決方案。尤其配合電動(dòng)/混動(dòng)汽車市場(chǎng)趨勢(shì),可提供AECQ101認(rèn)證的功率器件組合，更加助力車載OBC制造商追求低能耗、高品質(zhì)的市場(chǎng)目標(biāo)。
為了滿足5G通訊大功率高能效高功率密度電源的需求，ST 功率分立器件部門提供了一整套功率分離器件解決方案，來幫助5G通訊電源客戶實(shí)現(xiàn)更大功率更高能效高可靠性的電源產(chǎn)品。
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ST電源管理介紹
N-溝道 (350V 至 700V) M6, DM6
MDmesh K5系列
碳化硅(SiC)MOSFET
晶閘管 (SCR) 和 交流開關(guān)
ST提供完整的光伏逆變器的功率分立方案。ST在對(duì)光伏逆變器系統(tǒng)的深刻理解的基礎(chǔ)上，我們提供的最佳方案能夠幫助客戶實(shí)現(xiàn)最佳效率和功率密度。在本介紹中，我們將分享ST最新的功率器件產(chǎn)品，如IGBT，SJ-MOS，F(xiàn)RD，SIC-MOS和SIC-Diode等。
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ST的IGBT產(chǎn)品介紹
650V HB2
650V HB系列
M6, DM6
MDmesh K5系列
碳化硅(SiC) MOSFET
ST F7系列是ST第七代低壓MOSFET工藝，覆蓋 電壓范圍在40V-100V. 主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通阻抗和米勒電容，優(yōu)化的Crss/Ciss的比值，性能優(yōu)良的體二極，并且具備汽車級(jí)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。另外F7可提供Dpack，D2Pack, Powerflat等貼片封裝。
介紹ST IGBT和模塊產(chǎn)品系列，基于電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用上，包括按不同應(yīng)用/頻率提供的 IGBT系列的講解，以及對(duì)模塊應(yīng)用的模塊封裝和拓?fù)渲С值冗M(jìn)行介紹。 同時(shí)會(huì)根據(jù)不同的應(yīng)用性能，拓?fù)，頻率需求而定的ST功率器件解決方案作出建議。
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ST的IGBT產(chǎn)品介紹
650V HB2
650V HB系列
碳化硅(SiC) MOSFET
SLLIMM智能功率模塊
SLLIMM nano
ACEPACK功率模塊
主要介紹ST最新的高可靠性小功率ACDC開關(guān)電源解決方案。針對(duì)高價(jià)性比市場(chǎng)如家電，IOT和電機(jī)驅(qū)動(dòng)，將VIPer12升級(jí)到VIPer122,提升EMI及待機(jī)性的表現(xiàn)。針對(duì)三相輸入，更高抗干擾性能及可靠性的場(chǎng)合，ST推出了集成1050V MOS的VIPer26K，適合智能電表，電焊機(jī)等工業(yè)類需求。針對(duì)下一代更低待機(jī)功耗的家電需求，推出了VIPer*1及VIPer0P.
ST 針對(duì)充電樁這類大功率，高功率密度，高可靠性并面臨巨大成本壓力的應(yīng)用，可以提供低內(nèi)阻，低寄生電容的Mosfet，VF和反向恢復(fù)特性優(yōu)化的快恢復(fù)二極管。對(duì)于成本壓力較大的方案，ST還可以提供新一代的IGBT器件;對(duì)于需要進(jìn)一步提升功率密度的方案，ST還擁有先進(jìn)的高可靠性的SiC Mosfet和二極管可供選擇。
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ST電源管理介紹
650V HB2
650V HB系列
N-溝道 (350V 至 700V) M6, DM6
MDmesh K5系列
碳化硅(SiC)MOSFET
共3節(jié)
Power MOSFET 規(guī)格書參數(shù)小課堂
主要介紹ST分立IGBT系列產(chǎn)品，為大范圍的工業(yè)應(yīng)用量身定制，特別是感應(yīng)加熱應(yīng)用。此外，我們將研究感應(yīng)加熱現(xiàn)象和利用其獨(dú)特特性的常用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以及將介紹我們專門用于感應(yīng)加熱應(yīng)用的新型IGBT系列，并查看顯示其改進(jìn)性能的基準(zhǔn)。
該視頻主要介紹為什么以及如何保護(hù)USB-C型連接器免受過電壓和ESD的影響。首先我們將介紹新的USB-C型連接器，并回顧保護(hù)要求。然后我們將介紹用于USB C型連接器的TCPP01-M12保護(hù)，并回顧相關(guān)的電子應(yīng)用程序。
該視頻主要介紹SLLIMMTM第二代智能功率模塊，應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和一般家用電器的三相逆變器中，具有高性能和高效率。我們將探討是什么使IPMs如此有趣，SLLIMM第二代的特點(diǎn)和好處，不同的封裝選項(xiàng)和產(chǎn)品，以涵蓋更廣泛的功率范圍和接近不同的應(yīng)用。然后，我們將看到一些基準(zhǔn)來驗(yàn)證SLLIMM第二代的功率和熱性能，并討論基于新的超級(jí)結(jié)MOSFET的SLLIMM第二代。最后，我們將概述用于IPMs的可用工具和軟件
在該視頻中，我們將回顧浪涌是什么，解釋它對(duì)電路的影響和根本原因，并描述用來定義它們的標(biāo)準(zhǔn)。此外，我們還將介紹如何保護(hù)設(shè)備，并給出一個(gè)簡(jiǎn)單的例子。
以太網(wǎng)無處不在，最流行的數(shù)據(jù)傳輸鏈接之一，大多數(shù)人都知道并且會(huì)使用它作為。該視頻介紹了如何通過PEP01-5841 對(duì)以太網(wǎng)供電保護(hù)
本視頻介紹關(guān)于在Vienna維也納方案中采用STM32G4的數(shù)字電源控制器的一個(gè)實(shí)現(xiàn)方案，並會(huì)討論比較宏觀的未來架構(gòu)及常見的一些控制方式等等，并且提供了一個(gè)基于STM32G4的數(shù)字控制實(shí)際參考范例，以及設(shè)計(jì)考量。
內(nèi)容分為4個(gè)部分，首先在第1部分會(huì)針對(duì)維也納整流器以及30kW維也納整流器數(shù)字電源方案介紹，以及分享數(shù)字電源控制的設(shè)計(jì)考量，最后會(huì)針對(duì)在這樣的參考方案當(dāng)中ST能夠提供的關(guān)鍵元件以及輔助開發(fā)板等等。
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Source: 南京航空航天大學(xué)周翟和教授
STDES-30KWVRECT
STM32G4
STM32G4x4
SCTWA90N65G2V
STPSC40H12C
STGAP
STM32Cube初始化代碼生成器
本視頻介紹關(guān)于采用STM32的TIM定時(shí)器控制LED燈閃爍的實(shí)現(xiàn)編程和方案。
內(nèi)容分為5個(gè)部分，首先介紹了TIM定時(shí)器類型，然后介紹了TIM定時(shí)器的工作原理，最后利用STM32教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)驗(yàn)證了TIM2定時(shí)器的控制工作并給出了軟件設(shè)計(jì)配置以及分析總結(jié)。
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Source: 南京航空航天大學(xué)周翟和教授
STM32 ARM Cortex 32位微控制器
本視頻介紹脈寬調(diào)制PWM輸出并在實(shí)驗(yàn)平臺(tái)上利用STM32內(nèi)部PWM定時(shí)器驗(yàn)證控制LED燈閃爍的方案。
內(nèi)容分為6個(gè)部分，首先介紹了脈寬調(diào)制PWM的基本概念，然后介紹了PWM輸出的工作原理、流程、基本參數(shù)，接著在實(shí)驗(yàn)平臺(tái)上給出了PWM控制的驗(yàn)證，并給出了硬件電路和軟件設(shè)計(jì)配置，最后對(duì)整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程進(jìn)行了分析和總結(jié)。
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Source: 南京航空航天大學(xué)周翟和教授
STM32 ARM Cortex 32位微控制器
本視頻介紹了關(guān)于DAC數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器，并采用STM32實(shí)驗(yàn)平臺(tái)通過軟硬件配合最終在液晶屏幕上顯示驗(yàn)證了正弦波產(chǎn)生的方案。
內(nèi)容分為6個(gè)部分，首先介紹了DAC的概念，然后介紹了DAC的工作原理包括DAC結(jié)構(gòu)、轉(zhuǎn)換、數(shù)據(jù)格式、觸發(fā)源和DMA數(shù)據(jù)傳輸，接著介紹了實(shí)驗(yàn)室平臺(tái)的實(shí)驗(yàn)要求和實(shí)驗(yàn)原理，并給出相關(guān)軟件設(shè)計(jì)。最后對(duì)整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程進(jìn)行了分析和總結(jié)。
相關(guān)產(chǎn)品：
Source: 南京航空航天大學(xué)周翟和教授
STM32 ARM Cortex 32位微控制器
本視頻介紹了關(guān)于FSMC與TFT-LCD接口和顯示，并利用STM32通過FSMC和液晶進(jìn)行接口實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)交互和控制。
內(nèi)容分為6個(gè)部分，首先介紹了TFT-LCD包括基本概念、顯示驅(qū)動(dòng)，然后以ILI9341驅(qū)動(dòng)為例介紹了工作原理包括顏色顯示、FSMC，接著提出了實(shí)驗(yàn)的要求和提高，并給出了相應(yīng)硬件電路和軟件設(shè)計(jì)配置，最后對(duì)整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程進(jìn)行了分析和總結(jié)。
相關(guān)產(chǎn)品：
Source: 南京航空航天大學(xué)周翟和教授
STM32 ARM Cortex 32位微控制器
本視頻介紹了關(guān)于SPI讀寫Flash并利用STM32對(duì)Flash進(jìn)行讀寫同時(shí)通過串口顯示的方案。
內(nèi)容分為6個(gè)部分，首先介紹了SPI的基本概念，其次介紹了其工作原理包括通訊連接、工作模式、時(shí)序、硬件結(jié)構(gòu)、引腳和寄存器、Flash等。接著提出了實(shí)驗(yàn)要求，并給出了硬件電路和軟件設(shè)計(jì)配置，最后對(duì)實(shí)驗(yàn)過程進(jìn)行了分析和總結(jié)。
相關(guān)產(chǎn)品：
Source: 南京航空航天大學(xué)周翟和教授
STM32 ARM Cortex 32位微控制器
本視頻介紹了關(guān)于IGBT_SiC傳輸特性和轉(zhuǎn)移特性測(cè)試并通過仿真和實(shí)驗(yàn)平臺(tái)對(duì)ST的IGBT進(jìn)行了測(cè)試驗(yàn)證的方案。
內(nèi)容分為6個(gè)部分，首先介紹了ST典型功率器件包括IGBT和SiC MOSFET的概念和襯底材料對(duì)比，然后通過STGWA40H65DFB2介紹了IGBT的工作原理和靜態(tài)特性，接著提出了實(shí)驗(yàn)要求并給出了硬件電路仿真，最后通過實(shí)驗(yàn)平臺(tái)對(duì)IGBT進(jìn)行了測(cè)試驗(yàn)證并給出了分析總結(jié)。
相關(guān)產(chǎn)品：
Source: 南京航空航天大學(xué)周翟和教授
STM32 ARM Cortex 32位微控制器
摘要：
•USB Power Delivery關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)回顧
•為何采用 STM32實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)高效的 USB-C Power Delivery設(shè)計(jì)
•帶有 Type-C 端口保護(hù)的穩(wěn)健解決方案
•用于Type-C Power Delivery的認(rèn)證代碼實(shí)例
相關(guān)產(chǎn)品：
專為USB Type-C及功率傳輸而設(shè)的STM32解決方案
X-CUBE-TCPP軟件包, 適用于STM32的USBPD SINK應(yīng)用
X-CUBE-TCPP軟件包, 適用于STM32的USBPD源應(yīng)用
X-CUBE-TCPP軟件包,面向STM32的USBPD雙重角色應(yīng)用
STM32G0
STM32G4
為了滿足更高能效更高功率密度開關(guān)電源的需求，ST 功率分立器件部門提供了寬禁帶產(chǎn)品（SIC＆GaN）來幫助開關(guān)電源客戶實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)。
相關(guān)產(chǎn)品：
功率晶體管
寬帶隙晶體管
IGBT
碳化硅（SiC）器件
碳化硅（SiC）MOSFET
STPOWER ACEPACK模塊
碳化硅（SiC）二極管
氮化鎵（GaN）
PowerGaN STPOWER氮化鎵晶體管
本視頻演示受電應(yīng)用:
X-CUBE-TCPP軟件包內(nèi)含用于STM32 Nucleo (X-NUCLEO-SNK1M1、X-NUCLEO-SRC1M1和X-NUCLEO-DRP1M1)的USB Type-C™擴(kuò)展板演示應(yīng)用示例，具有用于受電應(yīng)用的TCPP01-M12 USB Type-C™端口保護(hù)裝置、用于供電應(yīng)用的TCPP02-M18 USB Type-C™端口保護(hù)裝置和用于雙重功能端口(DRP)應(yīng)用的TCPP03-M20 USB Type-C™ Power Delivery裝置。
對(duì)于受電應(yīng)用，擴(kuò)展板插在STM32 Nucleo開發(fā)板(任何STM32 Nucleo-64開發(fā)板、NUCLEO-G071RB、NUCLEO-G474RE或NUCLEO-L412RB-P)上，配有執(zhí)行代碼的STM32微控制器。
相關(guān)產(chǎn)品：
X-CUBE-TCPP USB Type-C STM32Cube軟件包
STM32 Nucleo 板
X-NUCLEO-SNK1M1擴(kuò)展板
X-NUCLEO-SRC1M1 USB Type-C Power Delivery（SINK）擴(kuò)展板，基于TCPP02-M18（適用于STM32 Nucleo)
X-NUCLEO-DRP1M1 USB Type-C Power Delivery雙重功能電源（DRP）和雙重功能數(shù)據(jù)（DRD）擴(kuò)展板，基于TCPP03-M20，用于STM32 Nucleo
TCPP01-M12 USB Type-C端口保護(hù)，用于受電應(yīng)用
USB Type-C端口保護(hù)，用于供電應(yīng)用
TCPP03-M20 USB Type-C端口保護(hù)，用于雙重功能電源應(yīng)用
本視頻演示供電應(yīng)用:
X-CUBE-TCPP軟件包內(nèi)含用于STM32 Nucleo (X-NUCLEO-SNK1M1、X-NUCLEO-SRC1M1和X-NUCLEO-DRP1M1)的USB Type-C™擴(kuò)展板演示應(yīng)用示例，具有用于受電應(yīng)用的TCPP01-M12 USB Type-C™端口保護(hù)裝置、用于供電應(yīng)用的TCPP02-M18 USB Type-C™端口保護(hù)裝置和用于雙重功能端口(DRP)應(yīng)用的TCPP03-M20 USB Type-C™ Power Delivery裝置。
對(duì)于供電應(yīng)用，擴(kuò)展板插在STM32 Nucleo開發(fā)板(NUCLEO-G071RB、NUCLEO-G474RE或NUCLEO-F446RE)上，配有執(zhí)行代碼的STM32微控制器。
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STM32 Nucleo 板
X-NUCLEO-SNK1M1擴(kuò)展板
X-NUCLEO-SRC1M1 USB Type-C Power Delivery（SINK）擴(kuò)展板，基于TCPP02-M18（適用于STM32 Nucleo)
X-NUCLEO-DRP1M1 USB Type-C Power Delivery雙重功能電源（DRP）和雙重功能數(shù)據(jù)（DRD）擴(kuò)展板，基于TCPP03-M20，用于STM32 Nucleo
TCPP01-M12 USB Type-C端口保護(hù)，用于受電應(yīng)用
USB Type-C端口保護(hù)，用于供電應(yīng)用
TCPP03-M20 USB Type-C端口保護(hù)，用于雙重功能電源應(yīng)用
本視頻演示雙重角色電源DRP應(yīng)用:
X-CUBE-TCPP軟件包內(nèi)含用于STM32 Nucleo (X-NUCLEO-SNK1M1、X-NUCLEO-SRC1M1和X-NUCLEO-DRP1M1)的USB Type-C™擴(kuò)展板演示應(yīng)用示例，具有用于受電應(yīng)用的TCPP01-M12 USB Type-C™端口保護(hù)裝置、用于供電應(yīng)用的TCPP02-M18 USB Type-C™端口保護(hù)裝置和用于雙重功能端口(DRP)應(yīng)用的TCPP03-M20 USB Type-C™ Power Delivery裝置。
對(duì)于DRP應(yīng)用，擴(kuò)展板插在配有STM32微控制器的STM32 Nucleo開發(fā)板上，該微控制器具有USB Type-C™ Power Delivery控制器(STM32G0、STM32G4、STM32L5、STM32U5)
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X-NUCLEO-SNK1M1擴(kuò)展板
X-NUCLEO-SRC1M1 USB Type-C Power Delivery（SINK）擴(kuò)展板，基于TCPP02-M18（適用于STM32 Nucleo)
X-NUCLEO-DRP1M1 USB Type-C Power Delivery雙重功能電源（DRP）和雙重功能數(shù)據(jù)（DRD）擴(kuò)展板，基于TCPP03-M20，用于STM32 Nucleo
TCPP01-M12 USB Type-C端口保護(hù)，用于受電應(yīng)用
USB Type-C端口保護(hù)，用于供電應(yīng)用
TCPP03-M20 USB Type-C端口保護(hù)，用于雙重功能電源應(yīng)用
針對(duì)新能源市場(chǎng)和光儲(chǔ)充應(yīng)用，介紹意法半導(dǎo)體豐富的功率半導(dǎo)體解決方案，包括IGBT，HV Mosfet以及寬禁帶SiC和PowerGaN。
1，ST功率器件概述
2，HV Mosfet， IGBT， SiC和PowerGaN最新產(chǎn)品技術(shù)和產(chǎn)品路線
3，ST針對(duì)新能源的功率解決方案
相關(guān)產(chǎn)品：
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MDmesh M9系列
MDmesh DM9
MDmesh K6系列
碳化硅（SiC）器件
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STPOWER ACEPACK模塊
碳化硅（SiC）二極管
氮化鎵（GaN）
PowerGaN STPOWER氮化鎵晶體管
STEVAL-ISA211V1
STDES-PFCBIDIR基于數(shù)字平臺(tái)的三相AC/DC和DC/AC (800 VDC到400 VAC)功率轉(zhuǎn)換解決方案
STDES-DABBIDIR25 kW雙有源橋雙向電源轉(zhuǎn)換器，用于電動(dòng)汽車充電和電池儲(chǔ)能系統(tǒng)
ST 碳化硅 和 氮化鎵產(chǎn)品介紹，技術(shù)路線，產(chǎn)能投資布局及重點(diǎn)應(yīng)用。
1. SiC 技術(shù)及產(chǎn)業(yè)分布;
2. SiC產(chǎn)品組合,路線及封裝;
3. PowerGaN技術(shù)及產(chǎn)業(yè)分布;
4. PowerGaN 的產(chǎn)品組合,路線及封裝
相關(guān)產(chǎn)品：
碳化硅(SiC)器件
碳化硅(SiC)MOSFET
碳化硅(SiC)二極管
氮化鎵(GaN)
PowerGaN STPOWER氮化鎵晶體管
STDES-VIENNARECT本參考設(shè)計(jì)針對(duì)基于基于 Vienna 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的高功率三相AC/DC整流應(yīng)用
STDES-PFCBIDIR參考設(shè)計(jì)針對(duì)基于 Vienna 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的高功率三相AC/DC整流應(yīng)用
STEVAL-DPSTPFC1使用TN3050H-12WY和SCTW35N65G2V的3.6 kW PFC圖騰柱，具有浪涌電流限流器參考設(shè)計(jì)
STPOWER ACEPACK模塊
本方案是一個(gè)30kW 三相整流電源的數(shù)字電源解決方案，適用于汽車充電模塊中。該平臺(tái)使用了 SCT018W65G3AG 碳化硅MOSFET和 STPSC40H12C碳化硅二極管。本方案峰值效率高達(dá)98.5%，輸入諧波小于5%，功率因數(shù)0.99。整體外形尺寸 430mm*330mm*80mm，功率密度高達(dá) 49W/inch³。
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帶DSP和FPU的170MHz主流ARM Cortex-M4 MCU STM32G474RET3
SCT018H65G3AG汽車級(jí)碳化硅功率MOSFET 650 V
STPSC40H12CWL 1200 V、40 A高浪涌碳化硅功率肖特基二極管
STGAP2SICS用于碳化硅 MOSFET 的電氣隔離 4 A 單柵極驅(qū)動(dòng)器
本方案是一個(gè)30kW 直流轉(zhuǎn)化的數(shù)字電源解決方案，適用于汽車充電模塊中。該平臺(tái)使用了SCT025W120G3-4AG碳化硅MOSFET和 STTH60RQ06W 超快恢復(fù)二極管。本方案峰值效率高達(dá)98.2%，輸出電壓200-1000V，功率密度高達(dá) 50W/inch³。
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帶DSP和FPU的170MHz主流ARM Cortex-M4 MCU - STM32G474VBT
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STGAP2SICS用于碳化硅 MOSFET 的電氣隔離 4 A 單柵極驅(qū)動(dòng)器
600 V、60 A Turbo 2超快軟恢復(fù)二極管 STTH60RQ06W
本方案是一個(gè)25kW 直流轉(zhuǎn)化的數(shù)字電源解決方案。該平臺(tái)使用了ST ACEPACK 模塊A2F12M12W2和A2H6M12W3。本方案峰值效率高達(dá)98%，能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充放電功能。
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STGAP2SiC
A2F12M12W2 ACEPACK 2電源模塊四單元拓?fù)?nbsp;
STDES-PFCBIDIR參考設(shè)計(jì)方案基于ST 650V和1200V碳化硅MOSFET和STM32G4數(shù)字微處理芯，實(shí)現(xiàn)了三相交流電與直流電之間的能量雙向傳輸，該方案適合于需要回饋電網(wǎng)功能的充電樁和車載充電器的應(yīng)用。碳化硅MOSFET的使用，以及三相拓?fù)涞倪x取使電路能夠達(dá)到接近99%的高效率，同時(shí)更高的開關(guān)頻率也能夠減小無源元件的尺寸和成本。
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SCTW35N65G2V 碳化硅功率MOSFET
SCTW40N120G2VAG 汽車級(jí)碳化硅功率MOSFET
STGAP2SM 電流隔離4 A單重柵極驅(qū)動(dòng)器
VIPER26HD 節(jié)能的12W高壓轉(zhuǎn)換器
該方案是一個(gè) 3kW 電信電源的完整系統(tǒng)解決方案。 它由 CCM無橋圖騰柱功率因數(shù)校正器 (PFC) 和帶同步整流器的全橋 LLC DC-DC 諧振轉(zhuǎn)換器組成。 它采用了最新的 ST 電源套件器件：碳化硅 MOSFET、具有低 Rdson 的超結(jié) MOS、隔離式 FET 驅(qū)動(dòng)器和 32 位 MCU。 該參考設(shè)計(jì)為緊湊型解決方案開辟了道路，并提供了高峰值效率。 整個(gè) PSU 在 230 VAC 時(shí)測(cè)得的峰值效率為 96.5%。 PSU 的整體外形尺寸為 105 mm x 281 mm x 41 mm，功率密度高達(dá) 40 W/inch³。
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STGAP2D電流隔離4 A半橋雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器
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STL130N8F7 N溝道80 V
STGAP2HSC 單柵極驅(qū)動(dòng)器
-. 輸入115Vac-230Vac
-. 輸出 Vout=390Vdc
-. 輸出功率Pout=2kW@230Vac (1kW@115Vac)
-. 230Vac輸入滿載峰值效率超過99%
-. ZVS諧振工作
-. 三相交錯(cuò)并聯(lián)
-. 電流遲滯控制
-. 功率密度: 1.85 W/cm3 ( 30.4 W/inc3)
-. 自然冷卻，無需散熱片
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STGAP2S 電流隔離4 A單重柵極驅(qū)動(dòng)器
VIPER25 準(zhǔn)諧振高性能離線高壓轉(zhuǎn)換器
該方案演示了CAN、LIN總線通訊時(shí)受到靜電干擾，通過ST ESD保護(hù)器件進(jìn)行充分保護(hù)，仍然可以正常工作，無任何影響
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ESDLIN1524BJ 用于ESD保護(hù)的瞬態(tài)浪涌電壓抑制器
USBLC6-2SC6Y 汽車級(jí)超低電容ESD保護(hù)
該演示展示了一個(gè) USB-C PD 電池充電用例，其中包含源和接收器設(shè)備應(yīng)用。通過觸摸屏可以監(jiān)控可用的PDO列表并驅(qū)動(dòng)接收器以手動(dòng)選擇供電配置文件。如果未執(zhí)行任何操作，演示將啟動(dòng)每個(gè)配置文件的接收器滾動(dòng)附件(電源協(xié)商)。定制設(shè)備(手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦)也允許通過 ST-ONE USB-C PD 適配器連接和充電。
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MasterGaN2
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STM32G474RE帶DSP和FPU的170MHz主流ARM Cortex-M4 MCU，具有512 KB Flash存儲(chǔ)器、數(shù)學(xué)加速器、高分辨率定時(shí)器和高模擬電平集成
基于L6599A+MasterGaN的雙輸出半橋LLC方案整個(gè)板子厚度小于10mm，特別適用于OLED TV電源應(yīng)用。
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L6599A改進(jìn)的高壓諧振控制器
MasterGaN
基于ST-One的高功率密度65W充電器采用了ST MasterGaN系列的氮化鎵芯片。MasterGaN集成了兩個(gè)半橋結(jié)構(gòu)的氮化鎵及其驅(qū)動(dòng)電路，便于使用。我們同時(shí)展示了使用傳統(tǒng)繞線變壓器及平面變壓器的方案。
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MasterGaN2
STDES-200GANADP是一款輸出19V-200W的適配器方案，控制器STCMB1集成了PFC和半橋LLC的控制，有效降低了輕載待機(jī)功耗，提高了平均i效率。氮化鎵芯片MasterGaN的使用提高了整機(jī)效率。
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具有X-cap放電的TM PFC和LLC諧振組合控制器STCMB1
MasterGaN1
STL36N60M6N 溝道600 V、91 mOhm典型值、25 A MDmesh M6功率MOSFET
STL140N6F7 N溝道60 V、0.0024 Ohm典型值、140 A STripFET F7功率MOSFET
SRK2001A 自適應(yīng)同步整流控制器，用于LLC諧振轉(zhuǎn)換器
基于STWBC2-HP和STWLC98的無線充電系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)直接對(duì)電動(dòng)工具電池包的無線充電管理。
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無線充電IC
無線充電IC
兼容Qi的電感式無線充電器功率發(fā)射器，適用于高達(dá)100W的應(yīng)用 STWBC2-HP
符合Qi標(biāo)準(zhǔn)的電感式無線充電器電源接收器，適用于70W應(yīng)用 STWLC98
基于STWBC2-HP和STWLC99的高達(dá)100W Qi兼容無線功率傳輸
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無線充電IC
無線充電IC
兼容Qi的電感式無線充電器功率發(fā)射器，適用于高達(dá)100W的應(yīng)用 STWBC2-HP
STWLC99
STWBC2-HP
STWLC99
主要介紹 ST功率分立產(chǎn)品在新能源的一些應(yīng)用。碳排放的問題帶動(dòng)了新能源的發(fā)展，如再生能源，電動(dòng)車或是外面的充電樁。意法半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品相當(dāng)廣泛，高低壓Power MOSFET， IGBT， 電源模塊的模式，電源模塊， 碳化硅MOSFET等等，都會(huì)一一為大家介紹。
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碳化硅(SiC)MOSFET
碳化硅(SiC)二極管
汽車級(jí)超高速基二極管:RQ系列
晶閘管(SCR)
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本視頻介紹的是ST 70+W無線充電解決方案，您是否遇到過以下問題，充電頭或充電線與手機(jī)電腦不匹配，或者是充電線的種類太多了，您是否想過假如能用一種充電的方式給所有的充電設(shè)備進(jìn)行充電，不用擔(dān)心這些問題也是ST無線充電想幫你解決的。ST開發(fā)了一系列的無線充電產(chǎn)品和方案。無線充電評(píng)估版涵蓋了從2.5W到70W不同功率等級(jí)的TX和RX解決方案。
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無線充電IC
無線充電器接收器
無線充電器發(fā)射器
STWBC2-HP
STL20N6F7 (MOSFET)
STL50N6F7 (MOSFET)
STSAFE-A110高度安全的解決方案
TWLC98
本視頻介紹這款來自意法半導(dǎo)體的高功率密度200W電源適配器，同時(shí)也會(huì)對(duì)樣機(jī)的主要特性; 樣機(jī)的模塊化概念; 樣機(jī)所使用到的關(guān)鍵元器件; 樣機(jī)的功能性測(cè)試結(jié)果; 樣機(jī)的效率測(cè)試結(jié)果; 樣機(jī)的熱成像表現(xiàn); 以及意法半導(dǎo)體在智能功率氮化鎵的策略; 和ST現(xiàn)有的評(píng)估板作出介紹。
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MASTERGAN1
STCMB1
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TSM1014
VIPERGAN50
本視頻介紹關(guān)于在Vienna維也納方案中采用STM32G4的數(shù)字電源控制器的一個(gè)實(shí)現(xiàn)方案，並會(huì)討論比較宏觀的未來架構(gòu)及常見的一些控制方式等等，并且提供了一個(gè)基于STM32G4的數(shù)字控制實(shí)際參考范例，以及設(shè)計(jì)考量。
內(nèi)容分為4個(gè)部分，首先在第1部分會(huì)針對(duì)維也納整流器以及30kW維也納整流器數(shù)字電源方案介紹，以及分享數(shù)字電源控制的設(shè)計(jì)考量，最后會(huì)針對(duì)在這樣的參考方案當(dāng)中ST能夠提供的關(guān)鍵元件以及輔助開發(fā)板等等。
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STDES-30KWVRECT
STM32G4
STM32G4x4
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STGAP
STM32Cube初始化代碼生成器
PFC轉(zhuǎn)換器是針對(duì)輸入電流進(jìn)行控制，使其與輸入電壓同步，以增加功率因數(shù)并降低輸入電流諧波。 在傳統(tǒng)的PFC拓?fù)渲，存在橋式二極管功率損耗，降低了PFC轉(zhuǎn)換器效率。 然而，無橋圖騰柱式PFC轉(zhuǎn)換器，移除橋式整流的損耗，從而提高了效率。
該演示板將著重在無橋圖騰柱PFC轉(zhuǎn)換器的實(shí)現(xiàn)，包括電路設(shè)計(jì)和數(shù)字控制演算法，同時(shí)推廣最新ST的技術(shù)(SiC MOS / SCR / STGAP / STM32 / VIPER) 可實(shí)現(xiàn)於高效率和高功率密度的解決方案。
此外，該參考設(shè)計(jì)通過使用兩個(gè)工作在低頻的SCR和兩個(gè)工作在固定開關(guān)頻率的SiC MOSFET，在PFC啟動(dòng)序列中提供了浪涌電流限制的數(shù)字控制，進(jìn)而消除傳統(tǒng)的繼電器和NTC / PTC來提高功率密度。
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意法半導(dǎo)體的兩款三相AC/DC功率轉(zhuǎn)換解決方案，用以客戶快速開發(fā)產(chǎn)品。采用碳化硅半導(dǎo)體器件，可以實(shí)現(xiàn)近99%的效率，并減小無源器件尺寸和成本。該方案適合用于電動(dòng)汽車車載充電器、充電樁、工業(yè)電池充電器等應(yīng)用，雙向AC/DC功率轉(zhuǎn)換功能適合用于需要V2G功能的充電樁和儲(chǔ)能應(yīng)用。
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STM32 G4系列數(shù)字控制器
隔離型驅(qū)動(dòng)芯片 STGAP2SM
高壓轉(zhuǎn)化器 VIPER26
主要介紹意法半導(dǎo)體在服務(wù)器與通訊網(wǎng)絡(luò)電源管理應(yīng)用的解決方案，包含多項(xiàng)的( Multi-phase )的電源管理控制器以及功率元件( Dr.MOS )，以及48V系統(tǒng)的先進(jìn)解決方案。提供完整的架構(gòu)，適用於供給高速運(yùn)算( HPC )的設(shè)計(jì)平臺(tái)。
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意法半導(dǎo)體在SiC產(chǎn)品上有超過20年的經(jīng)驗(yàn)，為客戶帶來了SiC Diode/MOSFET/Driver產(chǎn)品的一站式采購。目前最新的Gen2的650V/1200V SiC MOSFET陸續(xù)批產(chǎn)面世，新產(chǎn)品以豐富的產(chǎn)品類型，領(lǐng)先的工藝，充裕的產(chǎn)能，出色的可靠性將更適合客戶項(xiàng)目的需求;此次研討會(huì)ST技術(shù)專家將從Double Pulse測(cè)試，門極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，結(jié)合ST最新的15KW/30KW Vienna，15KW雙向AC/DC整流電路Demo板，全方面介紹SiC MOSFET的設(shè)計(jì)要點(diǎn)。
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ST的15KW 基于Type2 形式的Vienna整流的參考設(shè)計(jì)電路
STDES-PFCBIDIR- 是ST的15KW T字三電平形式的，雙向AC/DC參考設(shè)計(jì)電路
大多數(shù)用電設(shè)備在電源開啟瞬間,會(huì)有一個(gè)超級(jí)大浪涌電流從電網(wǎng)流入,電壓反彈或電弧將會(huì)造成額外的電磁干擾(EMI)輻射;晶閘管(SCR/Triac)用在交流開關(guān)控制替換機(jī)械繼電器方面，具有響應(yīng)速度快、導(dǎo)通無電壓反彈、關(guān)斷無電弧及無噪音干擾的多種優(yōu)勢(shì)。意法半導(dǎo)體作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，為家電/工業(yè)、汽車領(lǐng)域推出全面、高能效、可靠的晶閘管浪涌電流抑制解決方案。尤其配合電動(dòng)/混動(dòng)汽車市場(chǎng)趨勢(shì),可提供AECQ101認(rèn)證的功率器件組合，更加助力車載OBC制造商追求低能耗、高品質(zhì)的市場(chǎng)目標(biāo)。
為了滿足5G通訊大功率高能效高功率密度電源的需求，ST 功率分立器件部門提供了一整套功率分離器件解決方案，來幫助5G通訊電源客戶實(shí)現(xiàn)更大功率更高能效高可靠性的電源產(chǎn)品。
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主要介紹ST最新的高可靠性小功率ACDC開關(guān)電源解決方案。針對(duì)高價(jià)性比市場(chǎng)如家電，IOT和電機(jī)驅(qū)動(dòng)，將VIPer12升級(jí)到VIPer122,提升EMI及待機(jī)性的表現(xiàn)。針對(duì)三相輸入，更高抗干擾性能及可靠性的場(chǎng)合，ST推出了集成1050V MOS的VIPer26K，適合智能電表，電焊機(jī)等工業(yè)類需求。針對(duì)下一代更低待機(jī)功耗的家電需求，推出了VIPer*1及VIPer0P.
ST F7系列是ST第七代低壓MOSFET工藝，覆蓋 電壓范圍在40V-100V. 主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通阻抗和米勒電容，優(yōu)化的Crss/Ciss的比值，性能優(yōu)良的體二極，并且具備汽車級(jí)認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。另外F7可提供Dpack，D2Pack, Powerflat等貼片封裝。
無線充電解決方案，通過電磁感應(yīng)實(shí)現(xiàn)功率在發(fā)射電路板(TX)和電池供電設(shè)備(RX)之間傳輸，并擁有廣泛的市場(chǎng)和應(yīng)用前景，例如在智能手機(jī)、智能手表、計(jì)算機(jī)和外圍設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備甚至工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域，能夠減少充電線和一次性電池的使用。
ST是無線充電方案及器件的主要供應(yīng)商之一，提供包括從低功率到高功率，從TX到RX的全套無線充電方案。ST的多種無線充電解決方案，發(fā)射端TX和接收端RX通過調(diào)制信號(hào)和控制環(huán)路，實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)載變化的響應(yīng)和調(diào)節(jié)，并具有低待機(jī)功率檢測(cè)和異物檢測(cè)(FOD)等功能。ST還提供評(píng)估板和開發(fā)工具以及參考設(shè)計(jì)，以幫助客戶開發(fā)符合Qi協(xié)議的高效緊湊無線充電方案。
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本視頻記錄意法半導(dǎo)體在線工業(yè)巡迴系列 - 電源與能源場(chǎng)，將會(huì)分享意法半導(dǎo)體的工業(yè)市場(chǎng)策略，同時(shí)視頻的內(nèi)容將涵蓋：
5G TPS/CCM圖騰柱PFC中STM32G4的數(shù)字電源解決方案
基于SiC技術(shù)的充電站和儲(chǔ)能應(yīng)用AC-DC轉(zhuǎn)換解決方案
具有用于OLED電視之MasterGaN的10mm高度/ 150 + 350W LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)考量
基于MasterGaN的65W有源箝位反激轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)考量
50W + RX / TX 無線充電
5G通信電源功率離散組件解決方案
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此視頻介紹一個(gè)50W的無線充電解決方案和一個(gè)12W的反向的無線充電方案。
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此視頻介紹 ST 2.5W 無線充電解決方案，這方案由于小尺寸，小功率，適合可穿戴應(yīng)用。方案的TX 和 RX 都基于 STWLC68 系列芯片。該設(shè)備是單體的，集成了全橋MOS和驅(qū)動(dòng)程序，Qi ASK/FSK和LDOs在內(nèi)。它對(duì) TX 和 RX 板都只需要很少的外部組件。 因此，此解決方案是緊湊的，尤其是 RX 板，完整的參考應(yīng)用限制在 10x10 mm的PCB板內(nèi)。板徑不超過2厘米。
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ST MasterGaN 平臺(tái)助力享受電力沖浪!開啟更小，更輕，更快，氮化鎵充電時(shí)代!
引領(lǐng)創(chuàng)新，ST 積極布局第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用，ST獨(dú)有的MasterGaN產(chǎn)品平臺(tái)是基于經(jīng)過市場(chǎng)檢驗(yàn)的專業(yè)知識(shí)和設(shè)計(jì)能力整合高壓智能功率BCD工藝與GaN技術(shù)，集成高壓半橋驅(qū)動(dòng)和半橋配置的GaN晶體管的芯片，MasterGaN平臺(tái)系列采用9mm*9mm*1mm, GQFN封裝， 友好的設(shè)計(jì)環(huán)境能幫助加快新一代 400W 以內(nèi)用于消費(fèi)電子和工業(yè)領(lǐng)域的充電器和電源適配器的開發(fā)速度， ST MasterGaN 平臺(tái)助力享受電力沖浪!開啟更小，更輕，更快，氮化鎵充電時(shí)代 !
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內(nèi)容摘要：
1. SiC材料及SiC MOSFET技術(shù)介紹
2. ST SiC MOSFET產(chǎn)品介紹
3. SiC MOSFET的在工業(yè)上的典型應(yīng)用以及帶來的好處
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ST電源管理介紹
新能源轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)主要包括電動(dòng)汽車領(lǐng)域的能量轉(zhuǎn)換如OBC, DC-DC，Traction inverter，充電樁和工業(yè)領(lǐng)域的光伏，UPS, 儲(chǔ)能等應(yīng)用。針對(duì)不同應(yīng)用對(duì)功率器件的具體需求，ST擁有MOSFET, IGBT, 二極管，SIC器件等不同類型的高密度功率器件。本材料針對(duì)新能源轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)的不同應(yīng)用對(duì)ST的功率器件產(chǎn)品及其優(yōu)勢(shì)作個(gè)介紹。
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該視頻主要介紹意法半導(dǎo)體公司推出的兩款基于碳化硅MOSFET的AC/DC功率變換電路參考設(shè)計(jì)方案。第一款參考設(shè)計(jì)方案采用三相維也納整流的電路拓?fù)洌ㄟ^數(shù)字模擬混合控制的方式實(shí)現(xiàn)。方案適用于直流充電樁，車載充電器，交流電源等應(yīng)用領(lǐng)域。第二款參考設(shè)計(jì)采用T型三電平的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，全數(shù)字控制方式，能夠?qū)崿F(xiàn)能量的雙向流動(dòng)。該方案適合于直流充電樁，儲(chǔ)能等應(yīng)用。兩款參考設(shè)計(jì)方案均使用了意法半導(dǎo)體公司的成熟元器件，能夠幫助客戶加速研發(fā)過程，快速進(jìn)入市場(chǎng)。
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ST提供完整的光伏逆變器的功率分立方案。ST在對(duì)光伏逆變器系統(tǒng)的深刻理解的基礎(chǔ)上，我們提供的最佳方案能夠幫助客戶實(shí)現(xiàn)最佳效率和功率密度。在本介紹中，我們將分享ST最新的功率器件產(chǎn)品，如IGBT，SJ-MOS，F(xiàn)RD，SIC-MOS和SIC-Diode等。
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ST 針對(duì)充電樁這類大功率，高功率密度，高可靠性并面臨巨大成本壓力的應(yīng)用，可以提供低內(nèi)阻，低寄生電容的Mosfet，VF和反向恢復(fù)特性優(yōu)化的快恢復(fù)二極管。對(duì)于成本壓力較大的方案，ST還可以提供新一代的IGBT器件;對(duì)于需要進(jìn)一步提升功率密度的方案，ST還擁有先進(jìn)的高可靠性的SiC Mosfet和二極管可供選擇。
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主要介紹ST分立IGBT系列產(chǎn)品，為大范圍的工業(yè)應(yīng)用量身定制，特別是感應(yīng)加熱應(yīng)用。此外，我們將研究感應(yīng)加熱現(xiàn)象和利用其獨(dú)特特性的常用拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以及將介紹我們專門用于感應(yīng)加熱應(yīng)用的新型IGBT系列，并查看顯示其改進(jìn)性能的基準(zhǔn)。
該視頻主要介紹為什么以及如何保護(hù)USB-C型連接器免受過電壓和ESD的影響。首先我們將介紹新的USB-C型連接器，并回顧保護(hù)要求。然后我們將介紹用于USB C型連接器的TCPP01-M12保護(hù)，并回顧相關(guān)的電子應(yīng)用程序。
在該視頻中，我們將回顧浪涌是什么，解釋它對(duì)電路的影響和根本原因，并描述用來定義它們的標(biāo)準(zhǔn)。此外，我們還將介紹如何保護(hù)設(shè)備，并給出一個(gè)簡(jiǎn)單的例子。
以太網(wǎng)無處不在，最流行的數(shù)據(jù)傳輸鏈接之一，大多數(shù)人都知道并且會(huì)使用它作為。該視頻介紹了如何通過PEP01-5841 對(duì)以太網(wǎng)供電保護(hù)
