ST 針對(duì)充電樁這類大功率，高功率密度，高可靠性并面臨巨大成本壓力的應(yīng)用，可以提供低內(nèi)阻，低寄生電容的Mosfet，VF和反向恢復(fù)特性優(yōu)化的快恢復(fù)二極管。對(duì)于成本壓力較大的方案，ST還可以提供新一代的IGBT器件;對(duì)于需要進(jìn)一步提升功率密度的方案，ST還擁有先進(jìn)的高可靠性的SiC Mosfet和二極管可供選擇。

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