意法半導體積極布局第三代寬禁帶半導體技術，其下SiC和GaN產(chǎn)品和技術組合最為廣泛，包括分立器件，模塊組合和晶圓裸片，能夠?qū)崿F(xiàn)極為高效和緊湊的系統(tǒng)設計，從而滿足未來對可持續(xù)發(fā)展、綠色能源等優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的需求。氮化鎵材料非常高的電子遷移率使得器件具有非常低的導通電阻和非常高的開關頻率，這是下一代電力電子系統(tǒng)設計的關鍵優(yōu)勢，意法半導體的GaN產(chǎn)品適用于各種各樣的應用，如電源和適配器(PC、便攜式電子產(chǎn)品、插座式USB充電器、無線充電器等)、功率因數(shù)校正(PFC)，以及DC/DC變換器。在汽車領域，GaN器件非常適合高效電動汽車車載充電器和輕度混合動力DC-DC變換器 。

相關產(chǎn)品：

氮化鎵(GaN)