本視頻介紹了關(guān)于IGBT_SiC傳輸特性和轉(zhuǎn)移特性測試并通過仿真和實驗平臺對ST的IGBT進行了測試驗證的方案。

內(nèi)容分為6個部分，首先介紹了ST典型功率器件包括IGBT和SiC MOSFET的概念和襯底材料對比，然后通過STGWA40H65DFB2介紹了IGBT的工作原理和靜態(tài)特性，接著提出了實驗要求并給出了硬件電路仿真，最后通過實驗平臺對IGBT進行了測試驗證并給出了分析總結(jié)。

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Source: 南京航空航天大學(xué)周翟和教授