64通道±100 V,±0.2/0.4 A,3/5級(jí)RTZ,TR開關(guān),帶集成發(fā)射波束形成器的高速超聲脈沖發(fā)生器
600V STL16N60M6采用PowerFLAT 5x6 HV封裝,結(jié)合了優(yōu)化的電容曲線和低柵極電荷(Qg),確保高效率和增加功率密度。
STL33N60DM6采用外形緊湊且熱效率高的PowerFLAT 8x8 HV封裝,結(jié)合其優(yōu)化的壽命限制制程和低開關(guān)損耗,提高了全橋和半橋拓?fù)涞男什⒐?jié)省了空間。
新型STP50N65DM6 MDmesh-DM6 功率 MOSFET具有高漏源擊穿電壓和低開關(guān)損耗的特點(diǎn),可提高電力系統(tǒng)的安全裕度,保證系統(tǒng)的高效可靠運(yùn)行。
基于第二代、第三代碳化硅MOS技術(shù)的STPOWER ACEPACK DMT-32 功率模塊產(chǎn)品
TSC213ICT電流檢測(cè)放大器具有50 V/V增益,可在整個(gè)工業(yè)溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高精度的電流測(cè)量以及卓越的穩(wěn)定性。