1 . GMOS 集成電路輸入端的要求 CMOS 集成電路具有很高的輸入阻抗,其內(nèi)部輸入端接有二極管|0">二極管保護(hù)電路,以防范外界干擾、沖擊和靜電擊穿。 CMOS 集成電路的輸入
一、相變存儲(chǔ)器的工作原理相變存儲(chǔ)器(Phase Change Random Access Memory, 簡稱PCRAM)的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示,相變存儲(chǔ)器的基本存儲(chǔ)原理是在器件單元上施加不同寬度和高度的電
現(xiàn)有一片8031,擴(kuò)展了一片8255A,若把8255A的B口用作輸入,B口的每一位接一個(gè)開關(guān),A口用作輸出,每一位接一個(gè)發(fā)光二極管,請(qǐng)畫出電路原理圖,并編寫出B口某一位開關(guān)接高電平時(shí),A口相應(yīng)位發(fā)光二極管被點(diǎn)亮的程序。A
修電磁爐常用的元器件一、IGBT1.FGA25N120這是最常用的管子.一定要用正品的,太便宜的一定不要用。否則你會(huì)后悔的,基本可以修理現(xiàn)在2000W一下的所有品牌的電磁爐。注意此管
這幾年發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)的微小化,掀起一陣顯示器產(chǎn)品的革命。直下式微型LED背光模組能提供LCD TV更細(xì)膩的區(qū)域調(diào)光技術(shù)(Local Dimming),更能提升影像
按鈕控制燈亮接線原理圖如圖11所示。在單片機(jī)的P1口的低4位按上按鈕,在高4位接上發(fā)光二極管。當(dāng)按下SB1時(shí)(P1.0口為“0”),LED1發(fā)亮(P1.4口為“0”)。
變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部 “PN結(jié)” 的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設(shè)計(jì)出來的一種特殊二極管。變?nèi)荻O管在無繩電話機(jī)中主要用在手機(jī)
LM2576是一款常用的DC-DC降壓型穩(wěn)壓IC,其最大輸出電流可達(dá)3A,并且工作效率也高于LM317這類線性穩(wěn)壓IC,在大電流下其發(fā)熱量顯著小于LM317構(gòu)成的可調(diào)穩(wěn)壓電源。下面介紹一款
可調(diào)開關(guān)電源常見故障有保險(xiǎn)管燒毀、無輸出、輸出電壓過高或偏低、負(fù)載能力差及輸出電壓端整流二極管、 濾波電容失效等。那么這些可調(diào)開關(guān)電源的常見故障該如何檢修呢?可調(diào)
記者11月1日從南京郵電大學(xué)獲悉,該校王永進(jìn)教授團(tuán)隊(duì)與2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)得主 Hiroshi Amano教授合作,研發(fā)出同質(zhì)集成發(fā)射、傳輸和接收器件的芯片,用光子取代電子進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,并實(shí)現(xiàn)了基于音頻的雙工通信系統(tǒng)演示,相關(guān)成果于10月31日發(fā)表在《光:科學(xué)與通信》上。
學(xué)習(xí)就是迎接挑戰(zhàn)、解決困難的過程,沒有挑戰(zhàn),就沒有人生的樂趣。下面以MSP430系列單片機(jī)為例,解釋一下學(xué)習(xí)單片機(jī)的過程。 下面以MSP430系列單片機(jī)為例,解釋一下學(xué)習(xí)單
晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示,如: D5表示編號(hào)為5的二極管。 1、作用:二極管的主要特性是單向?qū)щ娦?,也就是在正向電壓的作用下,?dǎo)通電阻很??;
LED|0">LED具有低能耗、壽命長、發(fā)熱量低、環(huán)保等特點(diǎn),在很多領(lǐng)域內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用,例如: 1 照明|0">照明領(lǐng)域 路燈、遂道燈、LED格柵燈、LED室內(nèi)燈、LED天花燈等
二級(jí)管不是線性元什,對(duì)其構(gòu)成的鼙流、限幅、續(xù)流保護(hù)、低壓穩(wěn)壓、門電路等電路進(jìn)行分忻時(shí)可以采用二極管的理想模型 ( 正向?qū)〞r(shí)視為短路,反向截止時(shí)視為開路 ) 或恒壓降
初學(xué)者在業(yè)余條件下可以使用萬用表測(cè)試二極管性能的好壞。測(cè)試前先把萬用表的轉(zhuǎn)換開關(guān)撥到歐姆檔的RX1K檔位(注意不要使用RX1檔,以免電流過大燒壞二極管),再將紅、黑兩根表筆短路,進(jìn)行歐姆調(diào)零。
LLC的優(yōu)勢(shì)之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS,需要滿足以下三個(gè)基本條件:
整流二極管一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽?dǎo)體器件。通常它包含一個(gè)PN結(jié),有正極和負(fù)極兩個(gè)端子。二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中,電流只能從二極管的正
瞬態(tài)電壓抑制器(Transient Voltage Suppressor)簡稱TVS,是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件,有的文獻(xiàn)上也為TVP,AJTVS、SAJTVS等。當(dāng)TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量
建議初選之基本步驟:1、電壓應(yīng)力在電源電路應(yīng)用中,往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格
反激式:反激式開關(guān)電源是指使用反激高頻變壓器隔離輸入輸出回路的開關(guān)電源。“反激”指的是在開關(guān)管接通的情況下,當(dāng)輸入為高電平時(shí)輸出線路中串聯(lián)的電感為放電