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臺積電18英寸制造技術(shù)計劃不變：2012年內(nèi)開始試生產(chǎn)
臺積電公司近日表示,盡管很少有半導(dǎo)體公司有較快推出18英寸晶圓制造技術(shù)的計劃，但他們原定的2012年內(nèi)開始基于18英寸(450mm)晶圓的試生產(chǎn) 的計劃將如期進(jìn)行。目前臺積電正和設(shè)備及材料制造商積極合作，努力推進(jìn)18英
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Intel 2013年第四季度轉(zhuǎn)向15nm制程技術(shù)?
在上周舉辦的IDF2009秋季開發(fā)者論壇上，Intel曾提到會在2011年下半年開始使用22nm制程技術(shù)，而其后的下一步目標(biāo)則將是15nm制程技術(shù)。而對手AMD的代工公司Globalfoundries則會在2012年啟用22nm制程技術(shù)，兩年后的2014
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英特爾22納米制程技術(shù)最新動態(tài)
2009年秋季英特爾信息技術(shù)峰會(Intel Developer Forum, IDF)于9月22日至24日在美國舊金山舉行。今天，英特爾總裁兼首席執(zhí)行官保羅•歐德寧(Paul Otellini)展示了世界上第一款基于22納米制程技術(shù)的芯片。英特爾繼
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東芝Sandisk明年下半年欲啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片
據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能，直至達(dá)到20萬片的產(chǎn)
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富士通、臺積電合作開發(fā)28nm技術(shù)
日本富士通微電子與臺積電(TSMC)宣布，雙方將以臺積電技術(shù)平臺為基礎(chǔ)，針對富士通微電子的28奈米邏輯IC產(chǎn)品進(jìn)行生產(chǎn)、共同開發(fā)并強(qiáng)化28奈米高效能制程。 之前富士通微電子已經(jīng)與臺積電就40奈米制程進(jìn)行合作。這項協(xié)議
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8月下旬低容量NAND價格小漲 高容量基本持平
集邦科技指出8月下旬NAND Flash合約價大致呈現(xiàn)高容量顆粒持平及低容量顆粒小漲的情況，主要原因為隨著供貨商們的較先進(jìn)的4xnm及3xnm制程技術(shù)產(chǎn)出比重逐漸增加，以較成熟制程技術(shù)生產(chǎn)的低容量顆粒供給也隨之減少，同時
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爾必達(dá)：計劃明年轉(zhuǎn)向40nm制程技術(shù)
據(jù)透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達(dá)將采 用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達(dá)公司剛剛在65nm制
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DRAM廠40納米開戰(zhàn) 50納米恐曇花一現(xiàn)
臺系DRAM廠身陷財務(wù)泥淖且制程停留在70納米制程，然國際大廠卻提前引爆40納米制程大戰(zhàn)!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開始送樣，美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟，2010年將加入戰(zhàn)局，爾必達(dá)(Elpida)這次
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DRAM廠40納米開戰(zhàn) 50納米恐曇花一現(xiàn)
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自信心爆棚：Globalfoundries首腦稱Fab3工廠項目近期出臺
最近Globalfoundries公司可謂喜事連連，繼紐約Fab2工廠正式奠基后，又與意法半導(dǎo)體成功簽約。不過按GF公司主席Hector Ruiz的說法，他們現(xiàn)在已經(jīng)開始籌劃第三間制造廠Fab3的項目。目前在建的Fab2將采用300mm技術(shù)生產(chǎn)晶
