-
臺積電承諾2011年年底推出28納米工藝
知名半導(dǎo)體代工廠商TSMC臺積電公司日前確認(rèn)，該公司將于2011年年底左右正式開始生產(chǎn)基于28納米制造工藝的半導(dǎo)體芯片。臺積電計劃將于2011年第三季度的某個時候開始完成28納米制造工藝的商業(yè)化生產(chǎn)，而到2011年第四季
-
儀器儀表，國產(chǎn)PK進(jìn)口差距在哪？
目前，我國國產(chǎn)儀器儀表產(chǎn)品因創(chuàng)新不足，質(zhì)量關(guān)不嚴(yán)格，面臨信任危機(jī)，造成同檔次的國產(chǎn)貨無法和進(jìn)口貨平等競爭，這種現(xiàn)象在高端科研儀器方面表現(xiàn)尤其明顯。那么國產(chǎn)與進(jìn)口儀器儀表差距究竟在哪里？國產(chǎn)儀器儀表現(xiàn)狀
-
NVIDIA尋20nm工藝伙伴 欲擺脫臺積電束縛
近日比利時注明的獨立微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC近日宣布與NVIDIA達(dá)成合作協(xié)議，共同致力于先進(jìn)CMOS工藝的研發(fā)。簽署這份為期三年的協(xié)議后，NVIDIA將成為IMEC的InSite核心級別無工廠合作伙伴，能在第一時間為自己的下一代產(chǎn)
-
NVIDIA尋20nm工藝伙伴 欲擺脫臺積電束縛
近日比利時注明的獨立微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC近日宣布與NVIDIA達(dá)成合作協(xié)議，共同致力于先進(jìn)CMOS工藝的研發(fā)。簽署這份為期三年的協(xié)議后，NVIDIA將成為IMEC的InSite核心級別無工廠合作伙伴，能在第一時間為自己的下一代產(chǎn)
-
NVIDIA尋20nm工藝伙伴 欲擺脫臺積電束縛
近日比利時注明的獨立微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC近日宣布與NVIDIA達(dá)成合作協(xié)議，共同致力于先進(jìn)CMOS工藝的研發(fā)。簽署這份為期三年的協(xié)議后，NVIDIA將成為IMEC的InSite核心級別無工廠合作伙伴，能在第一時間為自己的下一代產(chǎn)
-
NVIDIA與IMEC共同研發(fā)先進(jìn)CMOS工藝
近日比利時注明的獨立微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC近日宣布與NVIDIA達(dá)成合作協(xié)議，共同致力于先進(jìn)CMOS工藝的研發(fā)。簽署這份為期三年的協(xié)議后，NVIDIA將成為IMEC的InSite核心級別無工廠合作伙伴，能在第一時間為自己的下一代產(chǎn)
-
NVIDIA尋20nm工藝伙伴 欲擺脫臺積電束縛
【賽迪網(wǎng)訊】近日比利時注明的獨立微電子研究機(jī)構(gòu)IMEC近日宣布與NVIDIA達(dá)成合作協(xié)議，共同致力于先進(jìn)CMOS工藝的研發(fā)。 簽署這份為期三年的協(xié)議后，NVIDIA將成為IMEC的InSite核心級別無工廠合作伙伴，能在第一時間為
-
全球最小最先進(jìn)的單芯19納米工藝制造技術(shù)
SANDISK Corporation 近日宣布推出采用全球領(lǐng)先的19納米存儲制造工藝、基于2-bits-per-cell （X2） 技術(shù)的64-gigabit （Gb） 單塊芯片。此項技術(shù)將令SanDisk制造出適用于手機(jī)、平板電腦和其他設(shè)備的高性能、小尺寸嵌
-
SANDISK推出19納米工藝制造技術(shù)
21ic訊 SanDisk Corporation近日宣布推出采用全球領(lǐng)先的19納米存儲制造工藝、基于2-bits-per-cell (X2) 技術(shù)的64-gigabit (Gb) 單塊芯片。此項技術(shù)將令SanDisk制造出適用于手機(jī)、平板電腦和其他設(shè)備的高性能、小尺寸
-
SanDisk推出19納米存儲制造工藝
SANDISK Corporation 近日宣布推出采用全球領(lǐng)先的19納米存儲制造工藝、基于2-bits-per-cell (X2) 技術(shù)的64-gigabit (Gb) 單塊芯片。此項技術(shù)將令SanDisk制造出適用于手機(jī)、平板電腦和其他設(shè)備的高性能、小尺寸嵌入式
-
中電熊貓南京6代線投產(chǎn) 京東方認(rèn)為合作大于競爭
日前，采用日本夏普技術(shù)的中電熊貓南京第六代液晶面板生產(chǎn)線項目投產(chǎn)，而在這條生產(chǎn)線西邊不到200公里的地方，就是京東方（000725）于去年底投產(chǎn)的合肥六代線項目。對于央企背景的中電熊貓六代線投產(chǎn)，京東方看到更多
-
美國應(yīng)用材料計劃研發(fā)MOCVD降低LED成本
美國應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials)計劃改進(jìn)led制造工藝研究項目，通過改進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備、改善制造工藝，尤其是MOCVD的研制，實現(xiàn)降低生產(chǎn)成本40%的目標(biāo)。 該項目計劃投入871.9萬美元，其中，美國加州能源委員會和美國能
-
構(gòu)建芯片與整機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈 做強(qiáng)集成電路產(chǎn)業(yè)
“十一五”我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展回顧 我國集成電路產(chǎn)業(yè)在“十一五”前期延續(xù)了自2000年以來快速發(fā)展的勢頭，中期受到國際金融危機(jī)和集成電路產(chǎn)業(yè)硅周期雙重影響連續(xù)兩年下滑，但在國內(nèi)宏觀經(jīng)
-
加洲出資50萬美元助推LED制造工藝升級
加州能源委員會與美國能源部共同出資，助推應(yīng)用材料公司（Applied Materials）改進(jìn)led制造工藝。改進(jìn)LED制造工藝的研究項目（以下簡陳“項目”）總費用不足871.9萬美元：加州能源委員會提供50萬美元，該項資金來源于
-
美國能源部SunShot計劃為光伏制造業(yè)撥款1.12億美元
作為SunShot計劃的一部分，美國能源部決定在五年內(nèi)為推進(jìn)美國太陽能光伏制造業(yè)的發(fā)展撥款1.12億美元。將獲得撥款的項目為：灣區(qū)光伏聯(lián)盟（加利福尼亞州斯坦福大學(xué)）--250萬美元該項目由斯坦福大學(xué)和加州大學(xué)負(fù)責(zé)，將
-
我國集成電路企業(yè)努力搶占封測技術(shù)高地
“十一五”期間，占我國集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值“半壁江山”的封裝產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成了綜合配套能力，技術(shù)水平接近國際先進(jìn)水平，初步具備實現(xiàn)自主創(chuàng)新發(fā)展的能力。記者在采訪中獲悉，尤為令人欣慰的是，國內(nèi)相關(guān)企業(yè)在關(guān)鍵封
-
我國集成電路企業(yè)努力搶占封測技術(shù)高地
新華網(wǎng)江蘇頻道南京３月２７日電（記者蔡玉高）“十一五”期間，占我國集成電路產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值“半壁江山”的封裝產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成了綜合配套能力，技術(shù)水平接近國際先進(jìn)水平，初步具備實現(xiàn)自主創(chuàng)新發(fā)展的能力。記者在采訪中獲
-
IC制造裝備：十年趕超,信心來自何方？
昨天，國家科技重大專項《極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝》（以下簡稱“02專項”）在京舉行了成果發(fā)布會。在這個長期受到國外壟斷的領(lǐng)域，中國企業(yè)第一次拿出了諸多驕人成果。“02專項”專家組負(fù)責(zé)人之一、中科
-
IC制造裝備工藝十年趕超,信心來自何方？
昨天，國家科技重大專項《極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝》（以下簡稱“02專項”）在京舉行了成果發(fā)布會。在這個長期受到國外壟斷的領(lǐng)域，中國企業(yè)第一次拿出了諸多驕人成果。“02專項”專
-
三星今年下半年將為客戶試產(chǎn)20nm芯片(圖)
最新的消息顯示，三星芯片代工業(yè)務(wù)部門副總裁Ana Hunter近日表示，三星將會從今年下半年開始為部分客戶試產(chǎn)采用20nm制造工藝的芯片產(chǎn)品，這種20nm制造工藝的芯片產(chǎn)品是在28nm制造工藝的基礎(chǔ)上進(jìn)行優(yōu)化而來的全代技術(shù)
li1874
grantwen
21ic小喇叭
zyj9490
fansi
askeyes
chencharles72
foxhao1899
EVER21
不愛說話
yingdian6
shuangbang
dcf866553
cdwujinshan
lele4090039
lilijiang2
chen217
liuliuqiu1212
啦啦啦德瑪西亞1
peak0210
