源極接地放大器的工作原理
(1)啟動(dòng)過程分析。QM100DY-2H當(dāng)需要開燈時(shí),只要觸摸一下金屬片M,這時(shí)人體的感應(yīng)電壓經(jīng)R5、R6加到三極管VT2基極。由于晶體三極管所需的基極電流是很小的,只有幾十微安,人
電池電壓指示電路
超低壓降線性穩(wěn)壓電路
[導(dǎo)讀] 如今,汽車用戶越來(lái)越關(guān)注油耗,期望節(jié)省燃油支出,而這也能幫助減少對(duì)環(huán)境的影響。為了了配合此趨勢(shì),汽車制造商們紛紛采用各種途徑來(lái)降低油耗,其中一種途徑就是在新車型中應(yīng)用自動(dòng)“啟動(dòng)/停止”(Start/St
[導(dǎo)讀] 很多用戶都遇到相同的問題,就是怎樣計(jì)算一定容量的超級(jí)電容在以一定電流放電時(shí)的放電時(shí)間,或者根據(jù)放電電流及放電時(shí)間,怎么選擇超級(jí)電容的容量,下面我們給出簡(jiǎn)單的計(jì)算公司,用戶根據(jù)這個(gè)公式,就可以簡(jiǎn)單
奧地利微電子(ams)推出新的參考設(shè)計(jì)樣板,可由監(jiān)測(cè)電路板上銅片追蹤器的電壓降來(lái)測(cè)量電流,誤差范圍僅±1%。奧地利微電子副總裁及汽車業(yè)務(wù)總經(jīng)理Bernd Gessner表示,此次推出的新參考設(shè)計(jì)顯示同款裝置即使免除電阻器
賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 4 月22 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出8款新的采用小尺寸、低外形SlimSMA (DO-221AC) eSMP?系列封裝的2A和3A FRED Pt?超快恢復(fù)整流器。
接地電流或靜態(tài)電流 (IGND 或 IQ)、電源波紋抑止比 (PSRR)、噪聲與封裝大小通常是為便攜式應(yīng)用決定最佳LDO選擇的要素。在選擇低壓降線性調(diào)節(jié)器(LDO) 時(shí),需要考慮的基本問題包括輸入電壓范圍、預(yù)期輸出電壓、負(fù)載電
一、線性穩(wěn)壓器和開關(guān)穩(wěn)壓器的不同概念1.什么是線性穩(wěn)壓器?線性穩(wěn)壓器使用在其線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或 FET,從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。
節(jié)能、環(huán)保這些詞匯在社會(huì)乃至整個(gè)世界上出現(xiàn),人們也對(duì)生活的方式,生活的觀念產(chǎn)生了一些轉(zhuǎn)變,而在這幾年的LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展中,節(jié)能也將成為L(zhǎng)ED行業(yè)的首要任務(wù)。 這是一個(gè)節(jié)能,環(huán)保的時(shí)代,LED顯示屏的進(jìn)一步節(jié)能又無(wú)
大部分設(shè)計(jì)者認(rèn)為所有LED產(chǎn)品的品質(zhì)都是一樣的。然而,LED的制造商和供應(yīng)商眾多,亞洲生產(chǎn)商向全球供應(yīng)低成本的LED。令人吃驚的是,在這些制造商中只有一少部分能夠制造出高
一、LED顯示屏維修的檢測(cè)方法1、短路檢測(cè)法,將萬(wàn)用表調(diào)到短路檢測(cè)擋(一般具有報(bào)警功能,如導(dǎo)通則發(fā)出鳴叫聲),檢測(cè)是否有短路的現(xiàn)象出現(xiàn),發(fā)現(xiàn)短路后應(yīng)馬上解決,短路現(xiàn)象也是最常見的LED顯示屏模塊故障。有的通過觀
負(fù)載開路指示電路
【導(dǎo)讀】電源的設(shè)計(jì)是一個(gè)比較成熟的領(lǐng)域,可以采用另外一種設(shè)計(jì)思路實(shí)現(xiàn)度顯示屏的供電,例如同步整流技術(shù)。Q10為功率MOSFET,在次級(jí)電壓的正半周,Q10導(dǎo)通,Q10起整流作用;在次級(jí)電壓的負(fù)半周,Q10關(guān)斷,同步整流電
介紹了目前計(jì)量用電壓互感器現(xiàn)場(chǎng)檢定的現(xiàn)狀及存在的問題,提出并闡述了一種多路計(jì)量用電壓互感器在線監(jiān)測(cè)的方法。
摘要:N+緩沖層設(shè)計(jì)對(duì)PT-IGBT器件特性的影響至關(guān)重要。文中利用Silvaco軟件對(duì)PT-IGBT的I-V特性進(jìn)行仿真。提取相同電流密度下,不同N+緩沖層摻雜濃度PT-IGBT的通態(tài)壓降,得到了通態(tài)壓降隨N+緩沖層摻雜濃度變化的曲線,
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP,擴(kuò)充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V
欠電壓延時(shí)脫扣器電路b
欠電壓延時(shí)脫扣器電路a