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二極管反向恢復機理是什么？二極管反向恢復軟度介紹
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)矶O管的有關報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對它具備清晰的認識，主要內(nèi)容如下。
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減輕 MOSFET 體二極管的反向恢復過沖
由于 SiC MOSFET 尺寸緊湊、效率更高，并且在高功率應用中具有卓越的性能，因此目前正在開關應用中取代 Si 器件。 SiC 器件可實現(xiàn)更快的開關時間，從而顯著降低開關損耗。這些優(yōu)勢源于 SiC 器件獨特的電氣和材料特性——MOSFET 體二極管結構固有的快速反向恢復，這削弱了 SiC MOSFET 的優(yōu)勢。在快速反向恢復事件期間，設備可能會經(jīng)歷較大的電壓尖峰，從而給設備和整個系統(tǒng)帶來風險。其他設計挑戰(zhàn)包括增加的電磁干擾 (EMI) 和意外故障，例如假柵極事件或寄生導通 。幸運的是，您可以減輕這些影響，從而優(yōu)化系統(tǒng)性能。
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如何理解二極管的反向恢復過程？
二極管從正向導通到截止有一個反向恢復過程
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二極管的反向恢復過程
二極管從正向導通到截止有一個反向恢復過程
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關于二極管的反向恢復過程
產(chǎn)生反向恢復過程的原因――電荷存儲效應產(chǎn)生上述現(xiàn)象的原因是由于二極管外加正向電壓VF時，載流子不斷擴散而存儲的結果。當外加正向電壓時Ｐ區(qū)空穴向Ｎ區(qū)擴散，Ｎ區(qū)電子向Ｐ區(qū)擴散，這樣，不僅使勢壘區(qū)（耗盡區(qū)）變窄，而且使載流子有相當數(shù)量的存儲，在Ｐ區(qū)內(nèi)存儲了電子
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