據(jù)有關(guān)資料報(bào)道,IMEC公司現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出用于圓片級(jí)封裝的新技術(shù)。這種新技術(shù)通過(guò)在已制作有圖形的圓片上應(yīng)用感應(yīng)膜,使Q因數(shù)達(dá)到了30。另外,與Cu布線、A1布線等的后端工藝相適應(yīng),對(duì)下層布線在性能上據(jù)說(shuō)是沒(méi)有什么影響
摘要:本文論述了圓片級(jí)封裝的發(fā)展、優(yōu)勢(shì)、種類、應(yīng)用、研究課題及產(chǎn)業(yè)化注意事項(xiàng)。1 引言現(xiàn)代電子裝置的小型化、輕量化、高性能化、多功能化、低功耗化和低成本化,推動(dòng)著微電子技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展。IC芯片的特征尺寸
云振新(國(guó)營(yíng)970廠,四川成都610051)摘 要:本文介紹了圓片級(jí)封裝的設(shè)計(jì)考慮、基礎(chǔ)技術(shù)、可靠性、應(yīng)用情況及發(fā)展趨勢(shì)。關(guān)鍵詞:圓片級(jí)封裝;薄膜再分布技術(shù);焊料凸點(diǎn)技術(shù)中圖分類號(hào):TN305.94 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A 1引言現(xiàn)
王水弟,蔡堅(jiān),譚智敏,胡濤,郭江華,賈松良(清華大學(xué)微電子學(xué)研究所,北京 100084)摘要:介紹了電鍍法進(jìn)行圓片級(jí)封裝中金凸點(diǎn)制作的工藝流程,并對(duì)影響凸點(diǎn)成型的主要工藝因素進(jìn)行了研究。凸點(diǎn)下金屬化層(UBM,und