均壓環(huán)陷波

基于SiC MOSFET變電阻驅(qū)動(dòng)的電子負(fù)載并網(wǎng)控制研究

摘要:為應(yīng)對全球氣候變暖,響應(yīng)碳中和目標(biāo)的號召,近幾年新能源發(fā)電裝機(jī)容量快速增長。清潔能源存在周期性的變化,而儲(chǔ)能系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)"削峰填谷",但相關(guān)儲(chǔ)能電池設(shè)備在出廠前需要進(jìn)行大量測試。能饋型直流電子負(fù)載能進(jìn)行負(fù)載功能模擬,并將能量回饋電網(wǎng),因而得到了廣泛關(guān)注。為了優(yōu)化電子負(fù)載中siCM0sFET器件的驅(qū)動(dòng),設(shè)計(jì)了一種驅(qū)動(dòng)電阻可變的方案,隨著柵極電壓上升,通過模擬電路控制增大驅(qū)動(dòng)電阻,有效抑制了驅(qū)動(dòng)電壓超調(diào),提高了可靠性。為了提高電子負(fù)載的并網(wǎng)電流質(zhì)量,針對T型三電平逆變器,分析了輸入均壓環(huán)路對并網(wǎng)電流總諧波失真(Total Harmonic Distortion,THD）的影響,提出了一種均壓環(huán)陷波控制策略。通過實(shí)驗(yàn)觀測了電容壓差的紋波,驗(yàn)證了分析的正確性:測試了并網(wǎng)電流THD,驗(yàn)證了所提控制策略的可行性。