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宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進的0.13微米嵌入式閃存制程
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布其先進的0.13微米嵌入式閃存制程。 宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準分柵閃存技術(shù)和自身
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布先進的0.13微米嵌入式閃存制程
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，發(fā)布其先進的0.13微米嵌入式閃存制程。宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準分柵閃存技術(shù)和自身的
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宏力半導(dǎo)體發(fā)布0.13微米嵌入式閃存制程
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，發(fā)布其先進的0.13微米嵌入式閃存制程。宏力半導(dǎo)體的新0.13微米嵌入式閃存制程結(jié)合了其已經(jīng)量產(chǎn)的自對準分柵閃存技術(shù)和自身的0.13微米邏輯技術(shù)。該授權(quán)閃存技術(shù)具有單元尺寸
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臺積電完成0.18微米快閃新制程認證 Q3量產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品
臺積電日前宣布完成0.18微米嵌入式閃存(0.18-micron embFlash)制程認證，此制程因有低漏電的特性，因此適用于手持式裝置與汽車電子等芯片應(yīng)用上，有助于臺積電爭取更多新客戶，預(yù)計今年第3季就可以量產(chǎn)。 臺積電目前
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華虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝取得進一步成果
純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）日前宣布，與多家智能卡行業(yè)龍頭設(shè)計公司的合作順利進行?；谌A虹NEC的0.13微米嵌入式閃存工藝（“EF130”）生產(chǎn)的SIM卡產(chǎn)品完成產(chǎn)品的可靠性測試
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IBM獲英飛凌130納米嵌入式閃存工藝使用許可
IBM獲英飛凌130納米嵌入式閃存工藝使用許可
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臺積電將銅工藝引入0.13微米嵌入式閃存芯片
臺積電將銅工藝引入0.13微米嵌入式閃存芯片
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技術(shù)、產(chǎn)能齊發(fā)力，宏力半導(dǎo)體2007年可望繼續(xù)快跑
海宏力半導(dǎo)體制造有限公司近日宣布，在過去的2006年，其晶圓出貨量和營業(yè)額較2005年的增長率均超過100%。2007年伊始，在半導(dǎo)體行業(yè)普遍低迷的情況下，宏力依然延續(xù)06年第四季度的增長勢頭，產(chǎn)能利用持續(xù)滿載，且
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英特爾擴展NOR閃存產(chǎn)品線 看好數(shù)十億美元嵌入式閃存市場
英特爾有限公司今天宣布, 將擴展其NOR閃存產(chǎn)品線，以滿足不斷增長的數(shù)十億美元嵌入式市場的需要。英特爾公司計劃引入3伏（3V）版本的英特爾StrataFlash®嵌入式存儲架構(gòu)。英特爾還透露,將以首款串行外圍接口（Ser
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Infineon 130納米嵌入式閃存微控制器實現(xiàn)量產(chǎn)
Infineon 130納米嵌入式閃存微控制器實現(xiàn)量產(chǎn)
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