惠普實(shí)驗(yàn)室資深院士Stan Williams聲稱,該公司自2008年開(kāi)始研發(fā),基于“憶阻器”技術(shù)的兩端點(diǎn)、非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù),可望在未來(lái)18個(gè)月內(nèi)投入市場(chǎng),甚至取代閃存。“我們有很多相關(guān)計(jì)劃,也正和Hynix半
(21ic電子網(wǎng)配圖)【OFweek電子工程網(wǎng)原創(chuàng)】:惠普實(shí)驗(yàn)室高級(jí)研究員Stan Williams表示,惠普公司自2008年開(kāi)始研發(fā)的憶阻器非易失性內(nèi)存技術(shù)將于一年半后上市,將搶占閃存芯片市場(chǎng)。Williams在國(guó)際電子論壇上表示:&
請(qǐng)想象一下這樣一個(gè)世界:各種電子設(shè)備可以自己充電,音樂(lè)播放器可以終其壽命不停地播放歌曲,電池可以自充電,芯片可以實(shí)時(shí)改變其處理能力等等。根據(jù)美國(guó)各大實(shí)驗(yàn)室正在研究的項(xiàng)目來(lái)看,所有這些事物并非沒(méi)有可能,
2010年度硬件十大新聞 iPad一枝獨(dú)秀
惠普(HP)近日宣布與韓國(guó)業(yè)者海力士(Hynix)簽署合作研發(fā)協(xié)議,旨在將憶阻器(memristor)技術(shù)商業(yè)化;這兩家公司將共同開(kāi)發(fā)新的材料與制程整合技術(shù),好將HP的憶阻器技術(shù)由研發(fā)階段,推向以電阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(resistive
上世紀(jì)60年代,英特爾公司創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律:集成電路上可容納的晶體管數(shù)目,約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍,性能也將提升一倍。然而,芯片的進(jìn)一步小型化遇到越來(lái)越多的技術(shù)局限。在傳統(tǒng)硅
我們一般把人腦的位細(xì)胞叫做突觸(synapses),美國(guó)密西根大學(xué)研究人員指出,憶阻器(memristor)的功能特性是所有的電子組件中與突觸最相近的;他們最近展示單一憶阻器如何以與人腦相同的方式來(lái)學(xué)習(xí)同樣的技術(shù)。 人類的
惠普(HP)展示了一款能在邏輯運(yùn)作與內(nèi)存儲(chǔ)存之間動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換的憶阻器(memristor),其可配置架構(gòu)展現(xiàn)了HP號(hào)稱某天將可取代CPU器件的“狀態(tài)邏輯(stateful logic)”——也就是透過(guò)動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換的電路來(lái)維持恒定內(nèi)存狀態(tài),如此可
惠普(HP)展示了一款能在邏輯運(yùn)作與內(nèi)存儲(chǔ)存之間動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換的憶阻器(memristor),其可配置架構(gòu)展現(xiàn)了HP號(hào)稱某天將可取代CPU器件的“狀態(tài)邏輯(stateful logic)”——也就是透過(guò)動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換的電路來(lái)維持恒定內(nèi)存狀態(tài),如此可
幾乎從計(jì)算機(jī)問(wèn)世那天起,科學(xué)家和技術(shù)人員就夢(mèng)想著有朝一日計(jì)算機(jī)也能像人腦一樣工作。日前,美國(guó)密歇根大學(xué)的一個(gè)研究小組稱,他們制成了一種模擬大腦突觸的憶阻器電路,證實(shí)了此前關(guān)于憶阻器能用于電腦神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)制
目前,在一個(gè)典型的電子產(chǎn)品中,IC和分立的傳統(tǒng)元件占全部電子元器件及零部件的生產(chǎn)總成本的約50%和10%,而在總安裝成本中情況恰恰相反,分立元件的安裝成本占據(jù)了50%,某些片式元件的管理和安裝成本已經(jīng)超過(guò)其價(jià)格。
據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道,美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology;NIST) 目前正在進(jìn)行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開(kāi)發(fā)研究,希望能為內(nèi)存科技打開(kāi)新的大門。這項(xiàng)技術(shù)雖然相
據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道,美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology;NIST) 目前正在進(jìn)行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開(kāi)發(fā)研究,希望能為內(nèi)存科技打開(kāi)新的大門。這項(xiàng)技術(shù)雖然相
美國(guó)密歇根大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種由納米級(jí)憶阻器構(gòu)成的芯片,該芯片能存儲(chǔ)1千比特的信息。發(fā)表在《納米通訊》上的此項(xiàng)研究成果將有可能改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。 憶阻器
美國(guó)密歇根大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種由納米級(jí)憶阻器構(gòu)成的芯片,該芯片能存儲(chǔ)1千比特的信息。發(fā)表在《納米通訊》上的此項(xiàng)研究成果將有可能改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。 憶
本報(bào)訊美國(guó)密歇根大學(xué)科學(xué)家開(kāi)發(fā)出一種由納米級(jí)憶阻器構(gòu)成的芯片,該芯片能存儲(chǔ)1千比特的信息。發(fā)表在《納米通訊》上的此項(xiàng)研究成果將有可能改變半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。憶
據(jù)電子工程專輯報(bào)道,惠普實(shí)驗(yàn)室(HP Labs)日前在加州柏克萊(Berkeley)舉行的一場(chǎng)研討會(huì)上,介紹了該機(jī)構(gòu)正在研發(fā)中的首款3D憶阻器(memristor)芯片原型。該原型是惠普研究人員Qiangfei Xia將憶阻器縱橫栓(crossbar)內(nèi)
憶阻器技術(shù)在惠普實(shí)驗(yàn)室誕生以來(lái)取得了長(zhǎng)足的發(fā)展。在加利福尼亞大學(xué)伯克利分校舉行的一次研討會(huì)上,惠普實(shí)驗(yàn)室向我們展示了首個(gè)三維憶阻器混合芯片。 該憶阻器及憶阻系統(tǒng)研討會(huì)是由加利福尼亞大學(xué),美國(guó)半導(dǎo)體行