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智能手機(jī)儲(chǔ)存需求漲 容量上看1TB

現(xiàn)在1TB儲(chǔ)存容量已經(jīng)成為智能型手機(jī)的主流，市場調(diào)查機(jī)構(gòu)Counterpoint預(yù)計(jì)全球智能型手機(jī)的平均NAND快閃儲(chǔ)存容量(Flash Memory Capacity )將在今年年底達(dá)到83GB，與去年同期相比成長了32%， 且?guī)缀跏?017年底全球平均43GB的兩倍。 另外，估計(jì)到了2019年底，Android智能型手機(jī)的平均存儲(chǔ)容量將達(dá)到68GB，iOS則為166GB。

富士通推出全新8位快閃微控制器MB95F128/168M

Microsemi發(fā)布全新65nm嵌入式快閃平臺(tái)

SK海力士加速NAND芯片投入 將投資增至20萬億韓圓

根據(jù)媒體報(bào)導(dǎo)，韓國存儲(chǔ)器大廠SK海力士宣布將投資20萬億韓圓(約178億美金)于4日啟用的NAND芯片廠，比原來的預(yù)算15.5萬億韓圓還要多29%。

群聯(lián)最新QLC規(guī)格64層3D NAND Flash 之的SSD控制芯片 于本月出貨

快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)控制芯片及儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)群聯(lián)6日正式宣布，搭載美系國際原廠最新QLC規(guī)格64層3D NAND Flash 之的SSD控制芯片PS3111-S11T于本月正式出貨。