-
維氏電橋振蕩器原理
1940年，William Hewlett和David Packard兩人將他們在車庫中制作的一種產(chǎn)品投放市場，這種產(chǎn)品就是維氏電橋（Wien-Bridge）振蕩器。它由一個單極點高通濾波器與一個單極點低通濾波串聯(lián)而成。為了保持增益恒定不變，該
-
維氏電橋振蕩器原理
1940年，William Hewlett和David Packard兩人將他們在車庫中制作的一種產(chǎn)品投放市場，這種產(chǎn)品就是維氏電橋（Wien-Bridge）振蕩器。它由一個單極點高通濾波器與一個單極點低通濾波串聯(lián)而成。為了保持增益恒定不變，該
-
變化范圍大的CR掃描振蕩器
電路工作功能頻率變化范圍大的掃描振蕩器用于頻率特性的自動測定。掃描范圍在對數(shù)軸需要3格數(shù)左右。本電路能獲得與控制電壓VC成正比的頻率，在對數(shù)掃描中，增加反對數(shù)電路，當輸入鋸齒波時還能進行自動掃描也可以作為
-
可在數(shù)兆赫茲CR振蕩器中應用的復合式高速積分電路
電路的功能OP放大器的開環(huán)特性與積分器的特性接近，最適合用于積分電路，但高頻時其增益下降，不能進行穩(wěn)定的積分。本電路把高速OP放大器組合起來，以提高積分速率。原先曾考慮用一個高速OP放大器成積分電路，但普通
-
SiTime公告其MEMS FirstTM 全硅振蕩器和時脈產(chǎn)生器出貨第2千萬片的里程碑
2010年五月三日，美國加州森尼韋爾市(SUNNYVALE), - 全硅MEMS摸擬半導體時脈方案領導公司SiTimeCorporation今天宣布其MEMS First TM 全硅振蕩器和時脈產(chǎn)生器總出貨量將于今年五月內超過2千萬片。SiTime具有世界領
-
技術到位 MEMS振蕩器市場起飛
在經(jīng)過數(shù)年研發(fā)以及制造產(chǎn)能建置之后，微機電系統(tǒng)振蕩器(MEMS oscillator)市場似乎已經(jīng)起飛；包括美商SiTimes、Discera等的小巧MEMS芯片產(chǎn)品，都藉由搶走笨重石英晶體振蕩器的生意，讓市占率穩(wěn)定成長中。 Silicon
-
MEMS First 全硅振蕩器和時脈產(chǎn)生器出貨2千萬片
2010年五月三日，美國加州森尼韋爾市(SUNNYVALE), - 全硅MEMS摸擬半導體時脈方案領導公司SiTime Corporation今天宣布其MEMS FirstTM 全硅振蕩器和時脈產(chǎn)生器總出貨量將于今年五月內超過2千萬片。SiTime具有世界領先地
-
全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102（IDT）
IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）日前宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS 振蕩器提供石英晶體級性能的公司。這些集成電路滿足小型化要求
-
SiTime宣布其MEMS First全硅振蕩器和時鐘發(fā)生器總出貨量將超2千萬片
全硅MEMS摸擬半導體時鐘方案領導公司SiTime Corporation今天宣布其MEMS FirstTM 全硅振蕩器和時鐘發(fā)生器總出貨量將于今年五月內超過2千萬片。SiTime具有世界領先地位的時鐘方案以其最佳的性能，最小的封裝和最短的供
-
SiTime的MEMS FirstTM全硅振蕩器和時脈產(chǎn)生器出貨超2千萬
SiTime Corporation日前宣布其MEMS FirstTM全硅振蕩器和時脈產(chǎn)生器總出貨量將于今年五月內超過2千萬片。SiTime具有世界領先地位的時脈方案以其最佳的性能，最小的封裝和最短的供貨期，在包括網(wǎng)通，通訊，存儲器和消費
-
SiTime MEMS First全硅振蕩器和時脈產(chǎn)生器出貨超過2千萬片
提供全硅MEMS模擬半導體時脈方案的SiTime公司近日宣布其MEMS FirstTM 全硅振蕩器和時脈產(chǎn)生器總出貨量將于今年五月內超過2千萬片。SiTime的時脈方案以其最佳的性能，最小的封裝和最短的供貨期，在包括網(wǎng)通，通訊，存
-
IDT推出首款封裝和裸片/晶圓形式高精度全硅CMOS振蕩器
致力于豐富數(shù)字媒體體驗、提供領先的混合信號半導體解決方案供應商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS
-
控振蕩器工作原理及應用
指輸出頻率與輸入控制電壓有對應關系的振蕩電路,常以符號(VCO)(Voltage Controlled Oscillator)。其特性用輸出角頻率ω0與 輸入控制電壓uc之間的關系曲線(圖1)來表示。圖1中,uc為零時的角頻率ω0,0稱為自由振蕩角頻率
-
LM567及NE567原理及應用
音頻解碼器567功能概述 本文討論鎖相環(huán)電路，介紹NE567單片音頻解碼器集成電路。此音調解碼塊包含一個穩(wěn)定的鎖相環(huán)路和一個晶體管開關，當在此集成塊的輸入端加上所先定的音頻時，即可產(chǎn)生一個接地方波。此 音頻
-
控振蕩器工作原理及應用
指輸出頻率與輸入控制電壓有對應關系的振蕩電路,常以符號(VCO)(Voltage Controlled Oscillator)。其特性用輸出角頻率ω0與 輸入控制電壓uc之間的關系曲線(圖1)來表示。圖1中,uc為零時的角頻率ω0,0稱為自由振蕩角頻率
-
基于Simulink的數(shù)控振蕩器性能仿真研究
本文在Simulink軟件平臺仿真LUTs技術實現(xiàn)NCOs時，累加器步長、累加器控制字等參數(shù)對NCOs性能的影響。重點討論NCOs的頻譜純度問題，即如何抑制雜波分量，影響頻譜純度的因素以及如何提高無雜散動態(tài)范圍(SpuriousFree Dynamic Range，SFDR)。
-
基于Simulink的數(shù)控振蕩器性能仿真研究
本文在Simulink軟件平臺仿真LUTs技術實現(xiàn)NCOs時，累加器步長、累加器控制字等參數(shù)對NCOs性能的影響。重點討論NCOs的頻譜純度問題，即如何抑制雜波分量，影響頻譜純度的因素以及如何提高無雜散動態(tài)范圍(SpuriousFree Dynamic Range，SFDR)。
-
基于Simulink的數(shù)控振蕩器性能仿真研究
本文在Simulink軟件平臺仿真LUTs技術實現(xiàn)NCOs時，累加器步長、累加器控制字等參數(shù)對NCOs性能的影響。重點討論NCOs的頻譜純度問題，即如何抑制雜波分量，影響頻譜純度的因素以及如何提高無雜散動態(tài)范圍(SpuriousFree Dynamic Range，SFDR)。
-
最實用基本圖解電路26－變壓器反饋式高頻振蕩器接近開關電路
最實用基本圖解電路共63幅，電路設計分析絕對佳作！僅供參考學習！
-
超級大電容模式結構框圖及再生接收電路原理
超級電容模式是針對以上兩種結構的局限而產(chǎn)生的，因為前兩種結構的最大輸出電流受到電池使用規(guī)格的限制。如果假定工作電流均可以達到1A，且輸出電壓是輸入電壓的2倍，根據(jù)前面給出的效率表達式，假定各自的平均效率可
