PNP型雙極晶體管的偏置是由電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)R1/R2。振蕩晶體管的集電極一直保持電容C5的交流接地,C5非常靠近晶體管的位置。反饋是由電容分壓器C2/C3提供的。
該電路是由一個(gè)單節(jié)1.35V汞電池供電的,提供1V的方波輸出。如圖所示,共射級(jí)裝置中的晶體管是位于晶體管Q1和Q2之間的調(diào)諧電路。R提供的正反饋會(huì)導(dǎo)致振蕩的發(fā)生。Q2的集電極型號(hào)被Q3調(diào)節(jié)成了正方形,在中斷和飽和之間
一個(gè)MECL 10K的晶體振蕩器和一個(gè)MECL III倍頻器可組合成一個(gè)高速振蕩器,具體如圖所示。MC10101的一部分作為一個(gè)100MHz的晶體振蕩器和晶體管在反饋回路中串聯(lián)。液晶振蕩電路可調(diào)諧晶體管100MHz的諧波,也可用來校準(zhǔn)電
為了有效利用SOI技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)并降低應(yīng)用門檻,國際SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所與芯原股份有限公司在上海成功舉辦了“SOI技術(shù)高峰論壇”。本次論壇的與會(huì)單位包括IBM、ST、Soitec、SunEdison、S
智能手機(jī)功能多又方便,但用電卻很快。科大科研團(tuán)隊(duì)最近研制出“高性能晶體管”,可成為電子產(chǎn)品內(nèi)下一代集成電路材料,比現(xiàn)時(shí)矽基底集成電路傳遞電子訊息快十倍,用電卻可減省九成,料快可面世,用于手機(jī)和平板電腦
晶體管和場效應(yīng)管組成的高增益放大器
晶體管穩(wěn)壓電路
采用晶體管作穩(wěn)流管的顯示電路
兩只LA3600構(gòu)成的十段均衡器
采用外接晶體管的十段均衡器
晶體管五段均衡電路之三
晶體管五段均衡電路之二
晶體管五段均衡電路之一
晶體管衰減--反饋式音調(diào)電路
動(dòng)磁唱頭均衡電路與話筒輸入電路
純甲類前置放大器
晶體管組成的帶通濾波器
用TA7796組成均衡器
晶體管雙差動(dòng)輸入級(jí)
差動(dòng)輸入的一般形式