晶體管

我要報(bào)錯(cuò)

晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合，而且開(kāi)關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。2016年，勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm，完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。

使用逆變器的晶體管單穩(wěn)電路圖

電路圖將CD4049三重逆變器的所有的三個(gè)部分和串聯(lián)諧振晶體連接。電源電壓的范圍是3-15V。緊湊低功率便攜式射頻振蕩器的電池消耗很低。

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2013-09-04

晶體管逆變器電路圖 POINTER
如何使用氮化鎵器件：引進(jìn)氮化鎵晶體管技術(shù)

本文是專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師及工程經(jīng)理而設(shè)的連載文章的第一章。我們?cè)谖磥?lái)數(shù)個(gè)月將介紹應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換的氮化鎵技術(shù)，并討論其基本設(shè)計(jì)及輔以應(yīng)用范例。硅器件已稱王多時(shí)

功率器件
2013-09-04

器件氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管晶體管
東芝為開(kāi)關(guān)電源推出800V雙極晶體管

有助于降低移動(dòng)設(shè)備的待機(jī)功耗21ic訊東芝公司(Toshiba Corporation,)今天宣布，該公司已經(jīng)為移動(dòng)設(shè)備的開(kāi)關(guān)電源推出了一款有助于降低待機(jī)功耗的800V雙極晶體管。批量生產(chǎn)

功率器件
2013-09-03

東芝開(kāi)關(guān)電源直流電流晶體管
LED照明封裝技術(shù)掀起革命

【導(dǎo)讀】所謂2.5D是將多顆主動(dòng)IC并排放到被動(dòng)的硅中介層上，因?yàn)楣柚薪閷邮潜粍?dòng)硅片，中間沒(méi)有晶體管，不存在TSV應(yīng)力以及散熱問(wèn)題。摘要：所謂2.5D是將多顆主動(dòng)IC并排放到被動(dòng)的硅中介層上，因?yàn)楣柚薪閷邮潜粍?dòng)

半導(dǎo)體
2013-08-29

封裝技術(shù) 應(yīng)力 LED照明晶體管
直接耦合的非穩(wěn)態(tài)電路圖

兩個(gè)射極偏置晶體管的集電極和基極是直接互相耦合的。每個(gè)發(fā)射電路的電容控制轉(zhuǎn)換功能。發(fā)射極會(huì)產(chǎn)生三角波。兩個(gè)晶體管都不可能永遠(yuǎn)保持?jǐn)嚯姷臓顟B(tài)。相反的，電路有兩個(gè)固定的狀態(tài)，通過(guò)在這些狀態(tài)之間電容的充電和

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2013-08-26

耦合穩(wěn)態(tài)電路晶體管電路圖
布滿傳感器的透明塑料薄片，可作為醫(yī)學(xué)植入器

日本科學(xué)家研制出一種可作為假肢和機(jī)器人的“感官皮膚”，一種布滿傳感器的透明塑料薄片可作為醫(yī)學(xué)植入器。這項(xiàng)技術(shù)旨在研制新型生物醫(yī)學(xué)傳感器，使佩戴者沒(méi)有不舒適的感覺(jué)。它還可以在無(wú)壓狀態(tài)下測(cè)量體溫和心率，這

測(cè)試測(cè)量
2013-08-26

傳感器觸摸傳感器等離子晶體管
中國(guó)半浮柵晶體管橫空出世應(yīng)避免被國(guó)外趕超

8月9日出版的《科學(xué)》(Science)雜志刊發(fā)了復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組最新科研論文，該課題組提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件：半浮柵晶體管(SFGT，Semi-Floating-GateTransistor)。這是我國(guó)科學(xué)家在該頂級(jí)學(xué)

消費(fèi)電子
2013-08-23

圖像傳感器核心技術(shù) 集成電路產(chǎn)業(yè) 晶體管
中國(guó)半浮柵晶體管橫空出世應(yīng)避免被國(guó)外趕超

8月9日出版的《科學(xué)》(Science)雜志刊發(fā)了復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組最新科研論文，該課題組提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件：半浮柵晶體管(SFGT，Semi-Floating-GateTransistor)。這是我國(guó)科學(xué)家在該頂級(jí)學(xué)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-08-23

圖像傳感器集成電路產(chǎn)業(yè) MDASH 晶體管
中國(guó)半浮柵晶體管橫空出世應(yīng)避免被國(guó)外趕超

8月9日出版的《科學(xué)》（Science）雜志刊發(fā)了復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組最新科研論文，該課題組提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件：半浮柵晶體管（SFGT，Semi-Floating-GateTransistor）。這是我國(guó)科學(xué)家在該頂

模擬
2013-08-22

圖像傳感器核心技術(shù) 集成電路產(chǎn)業(yè) 晶體管
石墨烯晶體管能以超400GHz的速度操作

石墨烯和傳統(tǒng)的晶體管不一樣，石墨烯不能關(guān)閉，它的能隙太小。沒(méi)有開(kāi)和關(guān)的狀態(tài)意味著石墨烯不太適合用作晶體管。實(shí)用電路需要在室溫下有1eV級(jí)別的能隙，而石墨烯在最好的情

電源-能源動(dòng)力
2013-08-22

石墨烯電壓 HZ 晶體管
研究人員找到方法讓石墨烯晶體管變得實(shí)用

不同于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體晶體管，石墨烯不能關(guān)閉，它的能隙太小。沒(méi)有開(kāi)和關(guān)的狀態(tài)意味著石墨烯不太適合用作晶體管。實(shí)用電路需要在室溫下有1 eV級(jí)別的能隙，而石墨烯在最好的情況下也只有幾百meV的能隙。今天最快的石墨烯

模擬
2013-08-22

石墨烯電壓 HZ 晶體管
14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？

尺寸縮小是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每?jī)赡瓿叽缈s小70%的魔咒至此沒(méi)有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來(lái)的紅利，業(yè)界不會(huì)盲目跟進(jìn)

半導(dǎo)體
2013-08-21

英特爾半導(dǎo)體工藝 FINFET 晶體管
穩(wěn)定低噪聲放大器中晶體管工作點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法(上)

多數(shù)情況下有用信號(hào)都是非常微弱的，在這些應(yīng)用中噪聲系數(shù)成了表征晶體管性能優(yōu)劣的主要參數(shù)。本文討論了一種添加并聯(lián)電阻來(lái)穩(wěn)定低噪聲放大電路中晶體管工作點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法。

電源
2013-08-21

低噪聲放大器噪聲系數(shù) BSP 晶體管
穩(wěn)定低噪聲放大器中晶體管工作點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法(下)

多數(shù)情況下有用信號(hào)都是非常微弱的，在這些應(yīng)用中噪聲系數(shù)成了表征晶體管性能優(yōu)劣的主要參數(shù)。本文討論了一種添加并聯(lián)電阻來(lái)穩(wěn)定低噪聲放大電路中晶體管工作點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法。

電源
2013-08-21

低噪聲放大器 ST RS 晶體管
14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？

尺寸縮小是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每?jī)赡瓿叽缈s小70%的魔咒至此沒(méi)有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來(lái)的紅利，業(yè)界不會(huì)盲目跟進(jìn)

消費(fèi)電子
2013-08-21

英特爾半導(dǎo)體工藝 FINFET 晶體管
中國(guó)發(fā)明新晶體管提高芯片制造話語(yǔ)權(quán)

根據(jù)新華社華盛頓8月8號(hào)消息，在美國(guó)《科學(xué)》雜志刊登一個(gè)報(bào)告中，中國(guó)研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件，可讓數(shù)據(jù)擦寫(xiě)更容易、迅速。據(jù)了解，這項(xiàng)

消費(fèi)電子
2013-08-21

芯片制造核心技術(shù) MOSFET 晶體管
14nm納米是半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”

尺寸縮小是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每?jī)赡瓿叽缈s小70%的魔咒至此沒(méi)有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來(lái)的紅利，業(yè)界不

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2013-08-21

英特爾半導(dǎo)體工藝 FINFET 晶體管
中國(guó)發(fā)明新晶體管提高芯片制造話語(yǔ)權(quán)

根據(jù)新華社華盛頓8月8號(hào)消息，在美國(guó)《科學(xué)》雜志刊登一個(gè)報(bào)告中，中國(guó)研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件，可讓數(shù)據(jù)擦寫(xiě)更容易、迅速。據(jù)了解，這項(xiàng)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-08-21

芯片制造核心技術(shù) MOSFET 晶體管
中國(guó)發(fā)明新晶體管提高芯片制造話語(yǔ)權(quán)

根據(jù)新華社華盛頓8月8號(hào)消息，在美國(guó)《科學(xué)》雜志刊登一個(gè)報(bào)告中，中國(guó)研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發(fā)明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎(chǔ)微電子器件，可讓數(shù)據(jù)擦寫(xiě)更容易、迅速。據(jù)了解，這項(xiàng)

模擬
2013-08-20

芯片制造核心技術(shù) MOSFET 晶體管
14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？

尺寸縮小是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每?jī)赡瓿叽缈s小70%的魔咒至此沒(méi)有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來(lái)的紅利，業(yè)界不會(huì)盲目跟進(jìn)

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2013-08-20

英特爾半導(dǎo)體工藝 FINFET 晶體管

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晶體管

使用逆變器的晶體管單穩(wěn)電路圖

如何使用氮化鎵器件：引進(jìn)氮化鎵晶體管技術(shù)

東芝為開(kāi)關(guān)電源推出800V雙極晶體管

LED照明封裝技術(shù)掀起革命

直接耦合的非穩(wěn)態(tài)電路圖

布滿傳感器的透明塑料薄片，可作為醫(yī)學(xué)植入器

中國(guó)半浮柵晶體管橫空出世應(yīng)避免被國(guó)外趕超

中國(guó)半浮柵晶體管橫空出世應(yīng)避免被國(guó)外趕超

中國(guó)半浮柵晶體管橫空出世應(yīng)避免被國(guó)外趕超

石墨烯晶體管能以超400GHz的速度操作

研究人員找到方法讓石墨烯晶體管變得實(shí)用

14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？

穩(wěn)定低噪聲放大器中晶體管工作點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法(上)

穩(wěn)定低噪聲放大器中晶體管工作點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法(下)

14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？

中國(guó)發(fā)明新晶體管提高芯片制造話語(yǔ)權(quán)

14nm納米是半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”

中國(guó)發(fā)明新晶體管提高芯片制造話語(yǔ)權(quán)

中國(guó)發(fā)明新晶體管提高芯片制造話語(yǔ)權(quán)

14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？

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