晶體管
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新材料將令芯片更小 硅時代進(jìn)入倒計時
硅基晶體管無法一直縮小下去，芯片公司已經(jīng)考慮用其它材料取代硅，其中的熱門替代材料包括鍺和半導(dǎo)體化合物III-V。加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù)，下一代或下下一代人將不會再使用硅，將會有更好的材
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屬于硅芯片天下的日子屈指可數(shù)了
加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù)，下一代或下下一代人將不會再使用硅，將會有更好的材料去取代硅。硅基晶體管無法一直縮小下去，芯片公司已經(jīng)考慮用其它材料取代硅，其中的熱門替代材料包括鍺和半導(dǎo)體
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屬于硅的日子屈指可數(shù)
加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù)，下一代或下下一代人將不會再使用硅，將會有更好的材料去取代硅。硅基晶體管無法一直縮小下去，芯片公司已經(jīng)考慮用其它材料
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自開關(guān)電源電路圖
所提出的穩(wěn)壓電源電路的主要特征之一是，雖然固定電壓穩(wěn)壓器LM7805的電路中使用時，其輸出電壓是可變的。這是通過連接一個公共端子穩(wěn)壓器IC和地面之間的電位。對于每一個10
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電阻封裝形式
電阻的封裝電阻的PCB封裝常用的有：RES1，RES2，RES3，RES4;封裝屬性為axial系列電阻：AXIAL0.3-AXIAL0.7 其中0.4-0.7指電阻的長度，一般用AXIAL0.4貼片電阻的封裝0603表
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一款晶體管光電控制器電路
一款晶體管光電控制器電路
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東芝開發(fā)全球首款多層單元結(jié)構(gòu)MROM單元
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布開發(fā)全球首款掩膜式只讀存儲器(MROM)單元，以提供更好的單元電流特性，并且單元尺寸不會增加。這一進(jìn)展是通過采用多層單元結(jié)構(gòu)實現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)還可以保證高速運轉(zhuǎn)。詳細(xì)
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抗輻射晶體管3DK9DRH的貯存失效分析
摘要：為了找到并糾正抗輻射晶體管3DK9DRH貯存失效的原因，利用外部檢查、電性能測試、檢漏、內(nèi)部水汽檢測、開封檢查等試驗完成了對晶體管3DK9DRH的一種貯存失效分析。結(jié)果表明晶體管存在工藝問題，內(nèi)部未進(jìn)行水汽控
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如何選擇滿足FPGA設(shè)計需求的工藝？
FPGA在系統(tǒng)中表現(xiàn)出的特性是由芯片制造的半導(dǎo)體工藝決定的，當(dāng)然它們之間的關(guān)系比較復(fù)雜。過去，在每一節(jié)點會改進(jìn)工藝的各個方面，每一新器件的最佳工藝選擇是尺寸最小的最新工藝?，F(xiàn)在，情況已不再如此。取而代之的
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科學(xué)家研制出單光子開關(guān)的晶體管
晶體管在計算機(jī)內(nèi)充當(dāng)微型的電子或電流開關(guān)，而科學(xué)家正研制能利用光開關(guān)的芯片元件。上周MIT研究人員領(lǐng)導(dǎo)的一個團(tuán)隊報告他們創(chuàng)造出一個用單光子開關(guān)的晶體管。 MIT的Wenl
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LA5511原理框圖及典型應(yīng)用電路
LA5511原理框圖及典型應(yīng)用電路
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簡化等效電路
簡化等效電路
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夏普推進(jìn)IGZO量產(chǎn)氧化物半導(dǎo)體備受關(guān)注
本文是以高競爭率著稱的IEDM（International Electron Devices Meeting，國際電子元件會議）的回顧。在2012年12月于美國舉行的“IEDM 2012”上，被采用的4篇論文中，有2篇是有關(guān)氧化物半導(dǎo)體的成果?？梢钥闯鯯i（硅）
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一款簡單的三相無刷步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動電路
一款簡單的三相無刷步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動電路
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什么是推挽功率放大器？
利用兩只特性相同的晶體管，使它們都工作在乙類狀態(tài)，其中一只晶體管在正半周工作，另一只在負(fù)半周工作，然后設(shè)法將兩只管的輸出波形在負(fù)載上組合到一起，得到一個完整的輸出波形，這種放大器就叫做推挽功率放大器。
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功率放大器的分類
功率放大器根據(jù)工作狀態(tài)的不同分為以下四種：（1）甲類工作狀態(tài) 在整個工作周期內(nèi)晶體管的集電極電流始終是流通的，如圖9.1（1）所示。甲類工作狀態(tài)又稱為A類工作狀態(tài)。這種狀態(tài)放大器的效率最低，但非線性失真相對較
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英特爾:突破科技極限 用創(chuàng)新引領(lǐng)未來
21ic訊—英特爾公司創(chuàng)立已經(jīng)45年了，進(jìn)入中國也已28年。今天的英特爾，正在設(shè)計和構(gòu)建關(guān)鍵技術(shù)，為全球的計算設(shè)備奠定基礎(chǔ)。英特爾有一個清晰的愿景：創(chuàng)新和擴(kuò)展計算技術(shù)，連接世界上每一個人，讓大家的生活更美
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簡單的電平轉(zhuǎn)換電路圖
電平轉(zhuǎn)換電路包括快速切換的晶體管Q1和Q2。用戶選擇電平轉(zhuǎn)換為高和轉(zhuǎn)換為低，這是直流偏置電壓，連接到晶體管的射極，以匹配于所需要的輸出高邏輯電平和低邏輯電平。C1、R1
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石墨烯＋六方氮化硼＝新的晶體管
石墨烯(Graphene)自十幾年前誕生以來就一直讓科學(xué)家們著迷。這種僅僅一個原子厚度的碳元素材料擁有出色的電子特性、強(qiáng)度、超輕重量，用途也不斷拓寬，但是如何為其植入能隙(band gap/半導(dǎo)體或是絕緣體的價帶頂端至傳
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將運算放大器用作比較器—此舉可行嗎？
許多人偶爾會把運算放大器當(dāng)比較器使用。一般而言，當(dāng)您只需要一個簡單的比較器，并且您在四運算放大器封裝中還有一個“多余”運算放大器時，這種做法是可行的。穩(wěn)定運算放大器運行所需的相位補(bǔ)償意味著把
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