晶體管
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應(yīng)材先進(jìn)化學(xué)氣相沉積薄膜推動(dòng)高解析顯示器發(fā)展
應(yīng)用材料公司(Applied Materials)宣布推出全新的電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積薄膜技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)可應(yīng)用在新一代的平板計(jì)算機(jī)和電視上，制造出效能更佳、高分辨率的顯示器。這些先進(jìn)絕緣薄膜是以應(yīng)用材料公司的 AKT 電漿強(qiáng)化
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硅芯片走向終結(jié) 碳納米管或?qū)⑷〈?/a>
根據(jù)摩爾定律，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，硅芯片遲早有一天會(huì)因?yàn)槌叽鐭o法繼續(xù)縮小而走向終結(jié)。哪種材料能替代硅芯片呢?斯坦福的研究團(tuán)隊(duì)的最新研究成果表明，碳納米管或許會(huì)成為替代材
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東芝推出增強(qiáng)型隔離高集電極電壓晶體管耦合器
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布，其已為工廠自動(dòng)化設(shè)備和空調(diào)推出一款可確保高工作溫度(最大Ta = 110°C)和高達(dá)350V集電極電壓(VCEO)的光電晶體管耦合器。新產(chǎn)品“TLP188”可確保最小漏
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英特爾以色列子公司去年出口額翻番
北京時(shí)間2月18日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾以色列子公司去年出口額增加一倍以上至46億美元，并尋求將英特爾下一代芯片生產(chǎn)引入以色列。 英特爾以色列子公司2012年出口額為46億美元，相比2011年的22億美元增長
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TSMC披露工藝計(jì)劃和資本支出
2012年第四季度，TSMC的營收已經(jīng)有22% 來自28納米業(yè)務(wù), 40 納米的業(yè)務(wù)也約占22%。 TSMC計(jì)劃在2013年1月實(shí)現(xiàn)20nm SoC工藝的小批量試產(chǎn)。預(yù)計(jì)2013年11月，16nm的FinFET 3D晶體管的工藝將開始試產(chǎn)。 資本支出方面
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雷聲大雨點(diǎn)小？GlobalFoundries稱2015年實(shí)現(xiàn)真正的10nm
GlobalFoundries雖然也承認(rèn)自己遇到了一些問題，但并不妨礙對美好前景的展望，比如10nm工藝，就號稱會(huì)在2015年實(shí)現(xiàn)，而且是真正的10nm。GlobalFoundries執(zhí)行副總裁Mike Noonen在通用平臺論壇會(huì)議上很內(nèi)疚地說，該公司
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那些開創(chuàng)未來的十年：晶體管計(jì)算機(jī)（1951-1960）
今天的連載把我們帶回到1951-1960年代，這個(gè)時(shí)候計(jì)算機(jī)從真空管轉(zhuǎn)向了晶體管，出現(xiàn)了第一張實(shí)現(xiàn)數(shù)字掃描的照片，呼啦圈為塑料開辟了一個(gè)全新的市場。 1953年：晶體管計(jì)算機(jī)(計(jì)算機(jī)) 40年代的時(shí)候，計(jì)算機(jī)成為
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TSMC披露工藝計(jì)劃和資本支出
2012年第四季度，TSMC的營收已經(jīng)有22% 來自28納米業(yè)務(wù), 40 納米的業(yè)務(wù)也約占22%。TSMC計(jì)劃在2013年1月實(shí)現(xiàn)20nm SoC工藝的小批量試產(chǎn)。預(yù)計(jì)2013年11月，16nm的FinFET 3D晶體管的工藝將開始試產(chǎn)。資本支出方面，2012年
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Samsung ：也來看看我們的14nm晶圓吧
通用平臺技術(shù)論壇上，IBM展示了14nm FinFET晶圓和可彎曲的28nm晶圓，GlobalFoundries吹噓了自己14nm工藝的高能效和28nm工藝對Cortex-A15的貢獻(xiàn)， Samsung 也擺出了自己的14nm晶圓。和Intel、IBM(還有臺積電16nm)一樣
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仙童和創(chuàng)造硅谷的人們
美國印象欄目(American Experience)新拍攝的紀(jì)錄片《硅谷》(Silicon Valley)將視線聚焦于“叛逆的八人”(Traitorous Eight)，這些人離開肖克利半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室(Shockley Semiconductor)創(chuàng)立了仙童半導(dǎo)體公司(Fairchild
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那些開創(chuàng)未來的十年：晶體管計(jì)算機(jī)（1951-1960）
今天的連載把我們帶回到1951-1960年代，這個(gè)時(shí)候計(jì)算機(jī)從真空管轉(zhuǎn)向了晶體管，出現(xiàn)了第一張實(shí)現(xiàn)數(shù)字掃描的照片，呼啦圈為塑料開辟了一個(gè)全新的市場。1953年：晶體管計(jì)算機(jī)(計(jì)算機(jī))40年代的時(shí)候，計(jì)算機(jī)成為現(xiàn)實(shí)，但它
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音樂VT66系列晶體管形音樂集成電路
音樂VT66系列晶體管形音樂集成電路
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Samsung ：也來看看我們的14nm晶圓吧
通用平臺技術(shù)論壇上，IBM展示了14nm FinFET晶圓和可彎曲的28nm晶圓，GlobalFoundries吹噓了自己14nm工藝的高能效和28nm工藝對Cortex-A15的貢獻(xiàn)， Samsung 也擺出了自己的14nm晶圓。 和Intel、IBM(還有臺積電16nm)一
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三星：也來看看我們的14nm晶圓吧
通用平臺技術(shù)論壇上，IBM展示了14nm FinFET晶圓和可彎曲的28nm晶圓，GlobalFoundries吹噓了自己14nm工藝的高能效和28nm工藝對Cortex-A15的貢獻(xiàn)，三星也擺出了自己的14nm晶圓。和Intel、IBM(還有臺積電16nm)一樣，三星
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利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(下)
本文提出了一個(gè)預(yù)測在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負(fù)載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內(nèi)有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。 后續(xù)小節(jié)中的結(jié)果可從Friis噪聲方程
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利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(中)
本文提出了一個(gè)預(yù)測在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負(fù)載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內(nèi)有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。 對于微波放大器噪聲性能經(jīng)常是一個(gè)
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利用阻性負(fù)載增強(qiáng)LNA穩(wěn)定性(上)
本文提出了一個(gè)預(yù)測在放大器的輸入和輸出端口增加阻性負(fù)載以改善穩(wěn)定性和噪聲指數(shù)的新方法。該方法在寬廣的頻率范圍內(nèi)有效，能夠用于低噪聲放大器(LNA)和寬帶放大器。 設(shè)計(jì)一個(gè)有效的低噪聲放大
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制作50W晶體管功放電路
此功法電路可謂一裝即成，特別適合初學(xué)者制作。這款功放一聲道只需17個(gè)零件，卻收到了意想不到的效果，還音效果真實(shí)，頻響平直，解析力高，且功率可以達(dá)到50W。具體電路如圖(只畫出一聲道)，全機(jī)用1/2W電阻，C2和C4用
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GlobalFoundries 20nm/14nm晶圓亮劍
GlobalFoundries的工藝進(jìn)展緩慢一直備受詬病，也坑壞了AMD，不過人家也在一直努力爭取，并屢屢向外界展示自己的進(jìn)展。近日，GlobalFoundries又首次公開了20nm、14nm工藝的晶圓實(shí)物。 不過，GlobalFoundries并未
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GlobalFoundries 20nm/14nm晶圓亮劍
GlobalFoundries的工藝進(jìn)展緩慢一直備受詬病，也坑壞了AMD，不過人家也在一直努力爭取，并屢屢向外界展示自己的進(jìn)展。近日，GlobalFoundries又首次公開了20nm、14nm工藝的晶圓實(shí)物。不過，GlobalFoundries并未提供多
