加州理工大學(xué)的一組工程師表示,他們現(xiàn)在可以憧憬這樣的智能手機和電腦芯片:它們不僅能自我防護(hù),還能自我修復(fù),那樣就算遇到了麻煩(比如晶體管徹底失效),也能在短短幾微秒內(nèi)恢復(fù)如初。 科學(xué)家們聲稱,他們利用高
新的NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)外延沉積工藝對下一代移動處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要 應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù),繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來的領(lǐng)
新的NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)外延沉積工藝對下一代移動處理器芯片內(nèi)更快的晶體管至關(guān)重要 應(yīng)用材料公司在Applied Centura RP Epi系統(tǒng)設(shè)備上新開發(fā)了一套NMOS晶體管應(yīng)用技術(shù),繼續(xù)保持其在外延技術(shù)方面十年來的領(lǐng)
概述功率電子電路大多要求具有大電流輸出能力,以便于驅(qū)動各種類型的負(fù)載。功率驅(qū)動電路是功率電子設(shè)備輸出電路的一個重要組成部分。輸入回路的電阻有差別,ULN2003是2.7k,ULN2004是10.5k。靈敏度也有差別,簡單講2003
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)7月4日報道,美國麻省理工學(xué)院(MIT)電子研究實驗室(RLE)、哈佛大學(xué)以及奧地利維也納技術(shù)大學(xué)的科學(xué)家們在最新一期《科學(xué)》雜志撰文指出,他們研制出了一種由單個光子控制的全光開關(guān),新的全光晶體管
近日消息,美國麻省理工學(xué)院(MIT)電子研究實驗室(RLE)、哈佛大學(xué)以及奧地利維也納技術(shù)大學(xué)的科學(xué)家們在最新一期《科學(xué)》雜志撰文指出,他們研制出了一種由單個光子控制的全光開關(guān),新的全光晶體管有望讓傳統(tǒng)計算機和
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)7月4日報道,美國麻省理工學(xué)院(MIT)電子研究實驗室(RLE)、哈佛大學(xué)以及奧地利維也納技術(shù)大學(xué)的科學(xué)家們在最新一期《科學(xué)》雜志撰文指出,他們研制出了一種由單個光子控制的全光開關(guān),新的全光晶體管
體視顯微鏡又稱“實體顯微鏡”“立體顯微鏡”或稱“操作和解剖顯微鏡”,是一種具有正像立體感地目視儀器。目前體視顯微鏡主要有哪些應(yīng)用呢?體視顯微鏡在觀察方便具有許多優(yōu)勢,能夠低成本實現(xiàn)多人同步預(yù)覽,并有效
據(jù)國外媒體報道,美國科學(xué)家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點,實現(xiàn)量子隧穿效應(yīng),制造出了沒有半導(dǎo)體的晶體管。該成果有望開啟新的電子設(shè)備時代。幾十年來,電子設(shè)備變得越來越小,科學(xué)家們現(xiàn)已能將數(shù)百
據(jù)美國每日科學(xué)網(wǎng)站6月21日報道,美國科學(xué)家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點,實現(xiàn)量子隧穿效應(yīng),制造出了沒有半導(dǎo)體的晶體管。該成果有望開啟新的電子設(shè)備時代。幾十年來,電子設(shè)備變得越來越小,科學(xué)家
據(jù)報道,美國科學(xué)家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點,實現(xiàn)量子隧穿效應(yīng),制造出了沒有半導(dǎo)體的晶體管。該成果有望開啟新的電子設(shè)備時代。幾十年來,電子設(shè)備變得越來越小,科學(xué)家們現(xiàn)已能將數(shù)百萬個半導(dǎo)
在Synopsys 的協(xié)助下,臺灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造,而這次這款測試芯片完成流片設(shè)計則顯然向?qū)崿F(xiàn)
硅基晶體管無法一直縮小下去,芯片公司已經(jīng)考慮用其它材料取代硅,其中的熱門替代材料包括鍺和半導(dǎo)體化合物III-V。加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù),下一代或下下一代人將不會再使用硅,將會有更好的材
在Synopsys的協(xié)助下,臺灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造,而這次這款測試芯片完成流片設(shè)計則顯然向?qū)崿F(xiàn)這
在Synopsys 的協(xié)助下,臺灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造,而這次這款測試芯片完成流片設(shè)計則顯然向?qū)崿F(xiàn)
加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù),下一代或下下一代人將不會再使用硅,將會有更好的材料去取代硅。硅基晶體管無法一直縮小下去,芯片公司已經(jīng)考慮用其它材料取代硅,其中的熱門替代材料包括鍺和半導(dǎo)體
在Synopsys 的協(xié)助下,臺灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造,而這次這款測試芯片完成流片設(shè)計則顯然向?qū)崿F(xiàn)
微電池是指由同一鋼筋提供陰極和陽極的銹蝕電池,陽極為鋼筋未生銹部分,陰極為鋼筋上鐵的氧化物,微型電池中應(yīng)用最普遍、用量最大的是紐扣式鋅-氧化銀電池。隨著電子元件的小型化,特別是晶體管和集成電路的出現(xiàn)而
據(jù)美國每日科學(xué)網(wǎng)站6月21日報道,美國科學(xué)家首次利用納米尺度的絕緣體氮化硼以及金量子點,實現(xiàn)量子隧穿效應(yīng),制造出了沒有半導(dǎo)體的晶體管。該成果有望開啟新的電子設(shè)備時代。幾十年來,電子設(shè)備變得越來越小,科學(xué)家
硅基晶體管無法一直縮小下去,芯片公司已經(jīng)考慮用其它材料取代硅,其中的熱門替代材料包括鍺和半導(dǎo)體化合物III-V。加州伯克利大學(xué)教授胡正明確信硅的日子屈指可數(shù),下一代或下下一代人將不會再使用硅,將會有更好的材