晶體管
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三星與Synopsys實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片
新思科技公司(Synopsys, Inc)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了一個關(guān)鍵性的里程碑，即采用三星的14LPE工藝成功實(shí)現(xiàn)了首款測試芯片的流片。雖然FinFET工藝較傳統(tǒng)的平面工藝在功耗與性能上明
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三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片
亮點(diǎn)：該里程碑有助于加速對FinFET技術(shù)的采用，以實(shí)現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級芯片(SoC)該合作為3D器件建模和物理設(shè)計(jì)規(guī)則支持奠定了基礎(chǔ)測試芯片驗(yàn)證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲器的
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三星與Synopsys合作實(shí)現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片
加利福尼亞州山景城，2013年1月— 亮點(diǎn)： ? 該里程碑有助于加速對FinFET技術(shù)的采用，以實(shí)現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級芯片（SoC） ? 該合作為3D器件建模和物理設(shè)計(jì)規(guī)則支持奠定了基礎(chǔ) ? 測試芯片驗(yàn)證了FinFET工藝和
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美開發(fā)出迄今最小砷化銦鎵晶體管
硅半導(dǎo)體作為微芯片之王的日子已經(jīng)屈指可數(shù)了，據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報(bào)道，美國麻省理工學(xué)院科學(xué)家開發(fā)出了有史以來最小的砷化銦鎵晶體管。該校微系統(tǒng)技術(shù)實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)開發(fā)的這個復(fù)合晶體管，長度僅為22納米。研究
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醫(yī)療科技發(fā)展史
從最廣義的角度上看，醫(yī)藥和健康科技的歷史是很久遠(yuǎn)的。最近相關(guān)方面證實(shí)，世界上最古老的「假肢」是古埃及人的以木頭、皮制的腳趾假體，而它出現(xiàn)的日子是公元前950年!雖然最近幾十年來醫(yī)療科技的發(fā)展之快是古代無法
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管
SoC(systemonachip)是智能手機(jī)及平板電腦等移動產(chǎn)品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsu
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FDSOI技術(shù)推進(jìn)SoC微細(xì)化至10nm工藝 無需3D晶體管
近日意法半導(dǎo)體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技術(shù)，使得作為智能手機(jī)及平板電腦等移動產(chǎn)品心臟的SoC(systemonachip)，在推動其低成本化和高性能化的微細(xì)化
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管
SoC(systemonachip)是智能手機(jī)及平板電腦等移動產(chǎn)品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulat
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管
SoC（systemonachip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動產(chǎn)品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fullydepletedsilicononin
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臺積電或成蘋果新伙伴 明年底展開合作
北京時間12月21日消息，據(jù)華爾街日報(bào)報(bào)道稱，近期有關(guān)臺積電（TSMC）有望將蘋果納入客戶群的猜測不斷浮現(xiàn)，但是分析師稱雙方合作可能要等到明年底。全球最大芯片代工商臺積電（TSMC）一直對客戶的關(guān)系含糊其辭，但是
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閱讀秘書／FinFET
3D鰭式晶體管（FinFET）是新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管技術(shù)。相較于傳統(tǒng)晶體管若要控制電流通過閘門，只能選擇在閘門的一側(cè)來控制，屬于平面式的結(jié)構(gòu)；3D FinFET的閘門，是類似魚鰭般的三面立體式的設(shè)計(jì)，能大
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變頻電路
晶體三極管變頻器的實(shí)際電路主要有兩類：本振電壓由單獨(dú)振蕩器產(chǎn)生的他激式變頻器和本振電壓由變頻管自身產(chǎn)生的自激式變頻器，它們都可接成共基極或共發(fā)射極電路。他激式變頻電路比較復(fù)雜，但uS和uL之間牽連作用小，
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調(diào)幅電路
任何一種非線性器件都可以用來產(chǎn)生調(diào)幅彼。晶體管是一種非線性器件，只要讓其工作在非線性（甲乙類，乙類或丙類）狀態(tài)下，即可用它構(gòu)成調(diào)幅電路。一般總是把高頻載波信號和調(diào)制信號分別加在諧振功率放大器的晶體管的
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管
SoC（systemonachip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動產(chǎn)品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fullydepletedsilicononin
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美開發(fā)出“4維”晶體管，或引領(lǐng)半導(dǎo)體新潮流
作為現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明之一，晶體管可以使用高度自動化的過程進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，因而可以不可思議地達(dá)到極低的單位成本。而低成本、靈活性和可靠性使得其成為非機(jī)械任務(wù)的通用器件，例如數(shù)字計(jì)算。在控制電器和機(jī)
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SoC已有眉目微細(xì)化至10nm無需3D晶體管
SoC（system on a chip）是智能手機(jī)及平板電腦等移動產(chǎn)品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細(xì)化技術(shù)又有了新選擇。那就是最近意法半導(dǎo)體（ST）已開始面向28nm工藝SoC量產(chǎn)的完全耗盡型SOI（fully depleted silico
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美研制出新型“4維”晶體管
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，美國普渡大學(xué)和哈佛大學(xué)的研究人員推出了一項(xiàng)極為應(yīng)景的新發(fā)明：一種外形如同一顆圣誕樹一樣的新型晶體管，其重要組件“門”(柵極)的長度縮減到了突破性的20納米。這個被稱為&ldquo
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自激振蕩的建立和振幅的穩(wěn)定
上面的分析中，是先假定有一個輸入信號經(jīng)放大后，再由反饋網(wǎng)絡(luò)送回到輸入端而形成穩(wěn)定振蕩的。事實(shí)上自激振蕩的起振是不需要外加信號激勵的。那么自激振蕩是如何建立的呢？原來，電源接通或元件的起伏噪聲引起的電擾
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有源濾波電路
為了提高濾波效果，解決π型RC濾波電路中交、直流分量對R的要求相互矛盾的問題，在RC電路中增加了有源器件-晶體管，形成了RC有源濾波電路。常見的RC有源濾波電路如圖Z0716所示，它實(shí)質(zhì)上是由C1、Rb、C2組成的π型
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TriQuint推出具有卓越增益的新氮化鎵晶體管
21ic訊 TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵 (GaN) HEMT 射頻功率晶體管產(chǎn)品。TriQuint的氮化鎵晶體管可使放大器的尺寸減半，同時改進(jìn)效率和增益。這些新的
