晶體管

設(shè)計(jì)自由度很大的二級(jí)直耦寬帶放大器電路及其工作原理

電路的功能雖然很多單片IC也被稱為寬帶放大器，但往往因具特性與使用要求不匹配，設(shè)計(jì)上又沒(méi)有自由度，因而無(wú)法應(yīng)用。用晶體管組合而成的放大器可以按使用要求進(jìn)行組合，設(shè)計(jì)自由度大，所以在圖象電路中得到廣泛的應(yīng)

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。

與非門組成晶體管速測(cè)器電路圖及其原理分析

圖中所示是用CMOS反相器組成的晶體管速測(cè)器.CMOS電路采用J330,該電路在設(shè)計(jì)上考慮到要驅(qū)動(dòng)TTL門電路,故輸出電流可達(dá)10MA以上.該晶體管速測(cè)器既可測(cè)晶體管的好壞,還可自動(dòng)指示出晶體管的類型,基極位置或二極管的極性等

高頻特性得到改善的功率MOSFET放大器電路及其工作原理

電路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其轉(zhuǎn)換速度比單級(jí)晶體管快，適合在高頻條件下工作。本電路使用了決定轉(zhuǎn)換速度的激勵(lì)器，而且還在輸出級(jí)采用了MOSFET，使高頻特性得以改善。輸出功率取決于電源電壓和負(fù)載。

由晶體管構(gòu)成的寬頻帶幅值放大電路

晶體管與晶振構(gòu)成的不可調(diào)振蕩電路

可獲得400VP-P輸出的高電壓增強(qiáng)器電路功能及原理

電路的功能OP放大器的輸出振幅幅值為正負(fù)10~30V，需要數(shù)百伏幅值的靜電激勵(lì)器或壓電器件就要使用專門的激勵(lì)放大器，也有采用由耐高壓晶體管組成的獨(dú)立電路的。本電路主要應(yīng)用OP放大器的直流特性，在OP放大器后面增加

頻率為3~30MHZ的高頻VCO電路功能及工作原理

電路的功能這是一種可在3M~30MHZ頻率使用的電壓控制振蕩器，在通信機(jī)或信號(hào)發(fā)生器等測(cè)量?jī)x器中，可與PLL電路配合使用。振蕩回路采用了變形克拉著振蕩電路方式，晶體管TR1的參數(shù)變動(dòng)對(duì)振蕩頻率影響不大。電路工作原理

高速前置放大器電路及原理

電路的功能差動(dòng)放大器的噪聲特性由輸入級(jí)決定，在本電路中，該級(jí)采用PMI公司生產(chǎn)的低噪聲雙晶體管，使噪聲特性得以改善。這是一種較完善的差動(dòng)輸入前置放大器。因?yàn)楸倦娐凡捎秒p極晶體管，所以宜用作信號(hào)源電阻低的傳

晶體管交流穩(wěn)壓器電路

IBM未來(lái)9納米電晶體以碳元素為主要材質(zhì)

Intel透露今年預(yù)計(jì)推出的Ivy Bridge將采用全新22nm的3D硅晶體技術(shù)，并且在接下來(lái)將進(jìn)展到14nm，乃至于之后于2016年間也預(yù)計(jì)推出采用11nm制程的 “Skymont”平臺(tái)。而看起來(lái)IBM也將不甘落后，目前官方宣布已

淺談SoC時(shí)代中的摩爾定律

目前，涉及到智能手機(jī)的市場(chǎng)必火，作為智能手機(jī)大腦的移動(dòng)SoC市場(chǎng)當(dāng)然也受到全球范圍內(nèi)為數(shù)眾多的芯片廠商大力追捧。以下就讓我們探討在SoC時(shí)代中，摩爾定律是如何作用于SoC的。當(dāng)CPU被逐漸退居二線，而移動(dòng)SoC登上首

IBM 研制出9nm晶體芯片

IBM 研制出9nm晶體芯片

IBM研發(fā)9納米碳納米管 可用于制造晶體管

碳納米管物理性質(zhì)良好，它既有強(qiáng)大的機(jī)械性能，也有相當(dāng)好的攜帶電子的能力。日前，IBM的研究人員宣布，已經(jīng)創(chuàng)建出一種僅有9納米尺寸的碳結(jié)構(gòu)納米管，它可以制造出非常小的晶體管，目前民用產(chǎn)品中最小的晶體管是英特

IBM以碳取代矽元素 進(jìn)入9nm制程晶體管技術(shù)

【聯(lián)合新聞網(wǎng)／記者楊又肇／報(bào)導(dǎo)】 Intel透露今年預(yù)計(jì)推出的Ivy Bridge將采用全新22nm的3D矽晶體技術(shù)，并且在接下來(lái)將進(jìn)展到14nm，乃至于之后于2016年間也預(yù)計(jì)推出采用11nm制程的「Skymont」平臺(tái)。而看起來(lái)IBM也將不

像紋身一樣的“表皮電子儀器”，可隨時(shí)監(jiān)控病人身體

病人即使在離開(kāi)醫(yī)院后，也需要讓醫(yī)生隨時(shí)了解他們的病情，以進(jìn)行身體狀況監(jiān)控。近日科學(xué)家發(fā)明了一種可以輕松監(jiān)測(cè)病人身體狀況的小型電子儀器，像臨時(shí)紋身一樣，貼在皮膚上，讓病人擺脫了以往笨重的電子儀器和電極進(jìn)

隧道二極管與晶體管的組合使用實(shí)例

國(guó)產(chǎn)的隧道二極管全都是鍺材料做成的，其峰值電壓約為0.25伏左右，若這種鍺的遂道二極管要與硅晶體管并聯(lián)使用時(shí)，則遂道二極管BG2要串接反向二極管BG1（同了圖5（a），反向二極管是一種變種的隧道二極管，其峰點(diǎn)電流

GaAsSb雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管集成電路DHBT技術(shù)

Abstract— 一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū)，InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為JC = 1.5 mA/µm²時(shí)fT 和 fmax分別達(dá)到了 185 GHz and 220 GHz，JC =

使用PNP晶體管放大的穩(wěn)壓器電路

三點(diǎn)式振蕩電路詳細(xì)設(shè)計(jì)

三點(diǎn)式振蕩電路是指諧振回路的三個(gè)引出端點(diǎn)分別與三極管的三個(gè)電極相連接。1）三點(diǎn)式振蕩電路相們條件判斷準(zhǔn)則 圖5.3-3為三點(diǎn)式振蕩電路的一般形式。可證明，三點(diǎn)式振蕩電路滿足相位條件的判斷準(zhǔn)則是：凡與晶體管發(fā)射