晶體管

JSJ型晶體管時(shí)間繼電器電路（1）

JSJ10型晶體管時(shí)間繼電器電路

JSJ1型晶體管時(shí)間繼電器電路

JSDJ型晶體管斷電延時(shí)繼電器電路

JSB型晶體管時(shí)間繼電器電路

JS20型系列晶體管時(shí)間繼電器所有場(chǎng)效應(yīng)管通電延時(shí)電路

JS14型晶體管時(shí)間繼電器電路

JS13型晶體管時(shí)間繼電器電路

增壓電路介紹

這里描述的電源把電壓從一節(jié)手電筒電池的1.5伏提高到LED所需的3.5伏，同時(shí)用電源把LED和手電筒電池串聯(lián)起來(lái)。設(shè)計(jì)這種電路是為了用LED對(duì)手電筒進(jìn)行改進(jìn)。增壓電路在有兩節(jié)電池的手電筒中將代替的一節(jié)電池，LED裝置則

突破硅晶極限! IBM碳納米晶體管小于10nm

近些日子，IBM、三星等研制3D芯片的消息層出不窮，在集成電路芯片上晶體管越來(lái)越密，硅晶體管在尺寸上達(dá)到極限時(shí)，為了提升芯片的性能，除了在結(jié)構(gòu)上引入3D改進(jìn)外，尋早另外一種材料突破硅晶極限也頗為重要。前些日子

美研究將MEMS晶體管集成至CMOS電路，可取代獨(dú)立晶振

　　MEMS-JFET構(gòu)造　　美國(guó)半導(dǎo)體研發(fā)聯(lián)盟機(jī)構(gòu)Semiconductor Research （SRC）與康耐爾大學(xué)（Cornell University）合作發(fā)表一種微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）晶體管，并可提供給SRC聯(lián)盟成員采用，做為CMOS芯片上的時(shí)序（timing

晶體管多“1”檢測(cè)電路

美研究將MEMS晶體管集成至CMOS電路，可取代獨(dú)立晶振

美國(guó)半導(dǎo)體研發(fā)聯(lián)盟機(jī)構(gòu)Semiconductor Research (SRC)與康耐爾大學(xué)(Cornell University)合作發(fā)表一種微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)晶體管，并可提供給SRC聯(lián)盟成員采用，做為CMOS芯片上的時(shí)序(timing)解決方案。 這種MEMS-JFET元

ARM：低調(diào)的隱形超級(jí)芯片帝國(guó)，誰(shuí)在革英特爾的命

ARM是誰(shuí)？ARM，誕生于劍橋，距離劍橋大學(xué)十英里遠(yuǎn)的鄉(xiāng)間。ARM，成為微軟公開認(rèn)證的英特爾對(duì)手。然而，ARM究竟是誰(shuí)？一、ARM—低調(diào)的隱形超級(jí)芯片帝國(guó)ARM從沒生產(chǎn)過(guò)一顆芯片，但它卻像是一個(gè)隱形芯片帝國(guó)。去年全

ARM：低調(diào)的隱形超級(jí)芯片帝國(guó)，誰(shuí)在革英特爾的命

ARM：低調(diào)的隱形超級(jí)芯片帝國(guó)，誰(shuí)在革英特爾的命

飛思卡爾使用新型Airfast RF功率解決方案重新定義晶體管性能

過(guò)去，RF功率的性能完全取決于線性效率。如今，開發(fā)者遇到更加復(fù)雜的挑戰(zhàn)：需要滿足多種標(biāo)準(zhǔn)、信號(hào)變化和嚴(yán)格的帶寬要求等。針對(duì)這一問(wèn)題，飛思卡爾半導(dǎo)體推出新型硅片RF LDMOS功率晶體管Airfast RF功率解決方案

石英晶體管振蕩電路

四個(gè)晶體管構(gòu)成的直流電機(jī)的正／反轉(zhuǎn)電路

晶體管構(gòu)成的直流伺服系統(tǒng)電路

電子輻照對(duì)功率雙極晶體管損耗分析

功率雙極晶體管由于其低廉的成本， 在開關(guān)電源中作為功率開關(guān)管得到了廣泛的應(yīng)用。應(yīng)用電子輻照技術(shù)可以減小少子壽命， 降低功率雙極晶體管的儲(chǔ)存時(shí)間、下降時(shí)間， 提高開關(guān)速度， 且一致性、重復(fù)性好， 成品率高，