英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件
資本加速涌入!GaN和SiC時(shí)代即將到來(lái)
化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn):策略與實(shí)踐
解鎖多個(gè)“業(yè)界第一”,PI推出全新1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC
CGD和QORVO將徹底改變電機(jī)控制解決方案
Power Integrations推出1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC, 為氮化鎵技術(shù)樹(shù)立新標(biāo)桿
德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模,產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍
英飛凌攜手AWL-Electricity通過(guò)氮化鎵功率半導(dǎo)體優(yōu)化無(wú)線功率
英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù),推動(dòng)行業(yè)變革
英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù),推動(dòng)行業(yè)變革
1700V 10A氮化鎵二極管推廣演示板開(kāi)發(fā)
預(yù)算:¥10000求氮化鎵器件的電源成熟方案,希望經(jīng)過(guò)量產(chǎn)考驗(yàn),可以批量生產(chǎn)
預(yù)算:¥110000