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英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件
【2024年11月20日, 德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G5晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數(shù)據(jù)中心、電信整流器等消費(fèi)和工業(yè)開關(guān)電源（SMPS）、可再生能源，以及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
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資本加速涌入!GaN和SiC時(shí)代即將到來(lái)
隨著全球科技產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料作為信息技術(shù)的基石，正經(jīng)歷著前所未有的變革。其中，氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，正憑借其出色的性能吸引著大量資本的涌入。這標(biāo)志著GaN和SiC時(shí)代即將到來(lái)，將為電子、通信、能源等多個(gè)領(lǐng)域帶來(lái)革命性的變化。
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化解第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用痛點(diǎn)：策略與實(shí)踐
第三代半導(dǎo)體，以其獨(dú)特的寬禁帶特性，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，在功率電子、射頻電子和光電子器件領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。然而，盡管這些材料在性能上遠(yuǎn)超傳統(tǒng)半導(dǎo)體，其廣泛應(yīng)用仍面臨諸多挑戰(zhàn)和痛點(diǎn)。
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解鎖多個(gè)“業(yè)界第一”，PI推出全新1700V氮化鎵開關(guān)IC
為了填補(bǔ)開關(guān)IC市場(chǎng)高壓電源技術(shù)的空白，近日PI公司擴(kuò)充了旗下產(chǎn)品組合，推出了一款額定耐壓為1700V的氮化鎵開關(guān)IC——InnoMux?-2 1700V IC，旨在為業(yè)界提供更高能效、更低成本的解決方案。
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CGD和QORVO將徹底改變電機(jī)控制解決方案
評(píng)估套件具有 Qorvo 的高性能無(wú)刷直流/永磁同步電機(jī)控制器/驅(qū)動(dòng)器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能
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Power Integrations推出1700V氮化鎵開關(guān)IC， 為氮化鎵技術(shù)樹立新標(biāo)桿
1700V額定耐壓的氮化鎵InnoMux-2 IC可在1000VDC母線電壓下實(shí)現(xiàn)高于90%的效率， 并通過(guò)三路精確調(diào)整的輸出提供高達(dá)70W的功率
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德州儀器擴(kuò)大氮化鎵半導(dǎo)體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍
德州儀器采用當(dāng)前先進(jìn)的 GaN 制造技術(shù)，現(xiàn)啟用兩家工廠生產(chǎn) GaN 功率半導(dǎo)體全系列產(chǎn)品 新聞亮點(diǎn)： 德州儀器增加了 GaN 制造投入，將兩個(gè)工廠的 GaN 半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍。 德州儀器基于 GaN 的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。 憑借德州儀器品類齊...
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英飛凌攜手AWL-Electricity通過(guò)氮化鎵功率半導(dǎo)體優(yōu)化無(wú)線功率
【2024年10月21日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布與總部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作關(guān)系，后者是兆赫級(jí)電容耦合諧振式功率傳輸技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN? GS61008P，幫助該公司開發(fā)先進(jìn)的無(wú)線功率解決方案，為各行各業(yè)開辟解決功率難題的新途徑。
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英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革
憑借這一突破性的?300 mm GaN技術(shù)，英飛凌將推動(dòng)GaN市場(chǎng)快速增長(zhǎng) 利用現(xiàn)有的大規(guī)模300 mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率 300 mm GaN的成本將逐漸與硅的成本持平 德國(guó)慕尼黑和奧地利菲拉赫2024年9月12日 /美...
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英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革
【2024年9月11日，德國(guó)慕尼黑和奧地利菲拉赫訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項(xiàng)突破將極大地推動(dòng)GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展。相較于 200 mm晶圓，300 mm晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進(jìn)，也因?yàn)榫A直徑的擴(kuò)大，每片晶圓上的芯片數(shù)量增加了 2.3 倍，效率也顯著提高。
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羅姆將亮相2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia）（展位號(hào)：11號(hào)館D14）。屆時(shí)，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)，羅姆工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。
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Peregrine 推出支持氮化鎵功率放大器頻率的新型單片相位和振幅控制器
在當(dāng)今快速發(fā)展的通信技術(shù)領(lǐng)域，高效、穩(wěn)定的功率放大器及其配套控制設(shè)備是確保數(shù)據(jù)傳輸質(zhì)量和效率的關(guān)鍵。近日，Peregrine Semiconductor(派更半導(dǎo)體公司)憑借其強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新精神，成功推出了兩款支持氮化鎵(GaN)功率放大器頻率的新型單片相位和振幅控制器(MPAC)——PE46130和PE46140。這兩款產(chǎn)品的問(wèn)世，不僅為無(wú)線通信、雷達(dá)技術(shù)等領(lǐng)域的發(fā)展注入了新的活力，還進(jìn)一步鞏固了Peregrine在射頻解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
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探索硅摻雜對(duì)塊體 GaN 熱導(dǎo)率的影響
寬帶隙半導(dǎo)體材料氮化鎵 (GaN) 具有出色的電氣和光學(xué)特性，可用于各種電子和光電設(shè)備。然而，與其他半導(dǎo)體相比，其固有熱導(dǎo)率明顯較低。硅摻雜可以顯著影響塊狀氮化鎵 (GaN) 的熱導(dǎo)率。
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什么是氮化鎵充電器?如何選擇氮化鎵充電器?
氮化鎵基發(fā)光二極管，電子學(xué)術(shù)語(yǔ)，GaN 是一種寬帶隙化合物半導(dǎo)體材料，具有發(fā)射藍(lán)光、高溫、高頻、高壓、大功率和耐酸、耐堿、耐腐蝕等特點(diǎn)，是繼鍺、硅和砷化鎵之后最主要的半導(dǎo)體材料之一。
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Nexperia將在漢堡投資2億美元
擴(kuò)大研發(fā)和生產(chǎn)能力，支持未來(lái)技術(shù)的發(fā)展
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GaN， “鎵”馭全功率 ——高壓大功率應(yīng)用，氮化鎵前景可期
功率半導(dǎo)體領(lǐng)域已有很多年未發(fā)生系統(tǒng)性技術(shù)變革，目前熱門的寬禁帶（WBG）功率器件已經(jīng)開始占據(jù)自己所“擅長(zhǎng)”的市場(chǎng)領(lǐng)域——氮化鎵（GaN）功率器件應(yīng)用從快充起步已獲得顯著的商業(yè)化進(jìn)展，EV的逆變器則率先采用了碳化硅（SiC）。
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Power Integrations收購(gòu)Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
該筆交易有利于高電壓、高功率氮化鎵技術(shù)的持續(xù)發(fā)展
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英飛凌榮獲群光電能“氮化鎵戰(zhàn)略合作伙伴獎(jiǎng)”
【2024 年 5 月6日，德國(guó)慕尼黑和臺(tái)灣新北市訊】全球電源供應(yīng)器制造商及電力電子行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者群光電能 （Chicony Power; TWSE：6412）（以下簡(jiǎn)稱群電） 宣布其年度合作伙伴獎(jiǎng)項(xiàng)得主，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）脫穎而出，榮獲2023年度“氮化鎵戰(zhàn)略合作伙伴獎(jiǎng)”。
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Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件
該SiP系列現(xiàn)已增至三款器件，均使用了Transphorm的SuperGaN，為支持新一代適配器和充電器拓展了功率等級(jí)
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陜西光電子先導(dǎo)院攜“新質(zhì)生產(chǎn)力”成果亮相慕尼黑上海光博會(huì)
2024年慕尼黑上海光博會(huì)于3月20-22日舉行，陜西光電子先導(dǎo)院科技有限公司攜VCSEL單孔晶圓、VCSEL陣列晶圓、砷化鎵（GaAs）IPD晶圓、氮化鎵（GaN）HEMT晶圓4項(xiàng)成果亮相，展位上的各項(xiàng)產(chǎn)品吸引了眾多參觀者駐足、交流。
季冬
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