隨著全球能源需求的不斷攀升,提高效源效率成為降低二氧化碳排放,確保能源可靠供應(yīng)的重要手段。為此,德國半導(dǎo)體和太陽能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項(xiàng)目。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資助,旨在
隨著全球能源需求的不斷攀升,提高效源效率成為降低二氧化碳排放,確保能源可靠供應(yīng)的重要手段。為此,德國半導(dǎo)體和太陽能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項(xiàng)目。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資助,旨在
MILMEGA有限公司總經(jīng)理 Pat Moore 氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù),這種新興技術(shù)逐漸用于替代橫向擴(kuò)散金屬氧化物硅半導(dǎo)體(Si LDMOS)和砷化鎵(GaAs)晶體管技術(shù)以及某些特定應(yīng)用中的真空管。 與現(xiàn)有技術(shù)相比,
一條完整的LED產(chǎn)業(yè)鏈由幾個(gè)環(huán)節(jié)構(gòu)成,從上游的襯底材料、外延片和芯片制造,到中游的封裝,再到下游的應(yīng)用,技術(shù)特征和資本特征差異很大,行業(yè)進(jìn)入門檻逐步降低。據(jù)媒體報(bào)道,我國LED產(chǎn)業(yè)具有典型的不均衡產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu),2008年
一條完整的LED產(chǎn)業(yè)鏈由幾個(gè)環(huán)節(jié)構(gòu)成,從上游的襯底材料、外延片和芯片制造,到中游的封裝,再到下游的應(yīng)用,技術(shù)特征和資本特征差異很大,行業(yè)進(jìn)入門檻逐步降低。據(jù)媒體報(bào)道,我國LED產(chǎn)業(yè)具有典型的不均衡產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu),2008年
美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員利用氮化鎵(gallium nitride,GaN)材料做成的晶圓片,制造出一種內(nèi)含硅晶體管的芯片;雖然該種芯片大部分的晶體管仍是以硅制成,但其余的氮化鎵晶體管性能更高。 目前的研究人員試圖
據(jù)美國工程物理科學(xué)委員會(huì)(Engineering and Physical Science Council)消息,劍橋大學(xué)氮化鎵中心研究出一種發(fā)光二極管(LED)的新制法,可使其造價(jià)降低90%,并有望在五年內(nèi)將家庭電費(fèi)減少75%。 90年代以來,用于制
據(jù)美國工程物理科學(xué)委員會(huì)(Engineering and Physical Science Council) 消息,劍橋大學(xué)(Cambridge University)氮化鎵(Gallium Nitride GaN)中心研究出一種發(fā)光二極管(LED)的新制法,可使其造價(jià)降低90%,并有望在
今天,OKI公司宣布將開始預(yù)備為無線基站研制的增強(qiáng)型偽同晶高電子遷移率氮化鎵晶體管(GaN-HEMT)。這種晶體管的使用,將有效降低3G移動(dòng)電話和PHS基站以及城域網(wǎng)基站的規(guī)模與能耗。 GaN-HEMT擁有3-10W/mm...