近期,正值用電高峰,同時(shí)早晚溫差大,影響設(shè)備安全運(yùn)行,按照公司生產(chǎn)技術(shù)部關(guān)于進(jìn)一步加強(qiáng)變電站運(yùn)行維護(hù)管理的通知要求,變電工區(qū)積極采取措施確保設(shè)備安全穩(wěn)定運(yùn)行。一是運(yùn)行人員進(jìn)行變電站設(shè)備特巡,確保巡視到
摘要:通過一起220 kV 復(fù)合絕緣金屬氧化物避雷器進(jìn)水受潮故障分析,比較了不同檢測(cè)方法在發(fā)現(xiàn)和認(rèn)定金屬氧化物避雷器內(nèi)部進(jìn)水受潮和底絕緣劣化兩種缺陷同時(shí)存在情況下的有效性,及電氣量檢測(cè)金屬氧化物避雷器應(yīng)注意的
【摘要】污閃是架空線路運(yùn)行中常見的故障,通過對(duì)事故成因的分析,在此基礎(chǔ)上對(duì)污閃事故整理出的絕緣子污閃的防治方法。1前言架空線路一般分布較廣,長(zhǎng)期露天運(yùn)行,遭受塵土塵土 、鹽堿污穢 、海水鹽霧和鳥糞等自然污穢
絕緣子在線檢測(cè)方法分為非電量檢測(cè)法和電量檢測(cè)法兩類。非電量檢測(cè)法包括觀察法、紫外成像法、超聲波檢測(cè)法、紅外測(cè)溫法、無(wú)線電波法和激光多普勒法等;電量檢測(cè)法包括電場(chǎng)測(cè)量法、泄漏電流法和脈沖電流法等。一、傳統(tǒng)
摘要:泄漏電流是電氣安全性能測(cè)試最關(guān)鍵的參數(shù),為了設(shè)計(jì)滿足多標(biāo)準(zhǔn)、多種類型泄漏電流測(cè)試系統(tǒng)的要求,主要介紹了以TMS320F2812為核心的泄漏電流測(cè)試系統(tǒng),講述了泄漏電流的測(cè)試原理和測(cè)試方法,詳細(xì)講述了采取單一
摘要:泄漏電流是電氣安全性能測(cè)試最關(guān)鍵的參數(shù),為了設(shè)計(jì)滿足多標(biāo)準(zhǔn)、多種類型泄漏電流測(cè)試系統(tǒng)的要求,主要介紹了以TMS320F2812為核心的泄漏電流測(cè)試系統(tǒng),講述了泄漏電流的測(cè)試原理和測(cè)試方法,詳細(xì)講述了采取單一
摘要:泄漏電流是電氣安全性能測(cè)試最關(guān)鍵的參數(shù),為了設(shè)計(jì)滿足多標(biāo)準(zhǔn)、多種類型泄漏電流測(cè)試系統(tǒng)的要求,主要介紹了以TMS320F2812為核心的泄漏電流測(cè)試系統(tǒng),講述了泄漏電流的測(cè)試原理和測(cè)試方法,詳細(xì)講述了采取單一
中心議題: 二極管的泄漏電流的測(cè)量 MOSFET的亞閾區(qū)電流的測(cè)量解決方案: 采用源-測(cè)量單元測(cè)量二極管的泄漏電流 采用兩臺(tái)SMU來(lái)測(cè)量MOSFET的亞閥區(qū)電流 測(cè)試半導(dǎo)體器件和晶圓片(Wafer)常常要涉及到測(cè)量
這里介紹的兩種報(bào)警器,電路簡(jiǎn)單、觸發(fā)靈敏,能直接裝入組合式插座內(nèi),適用于家用電器的漏電報(bào)警,價(jià)廉易做。 工作原理 這兩只報(bào)警器電路分別見圖1(a)、(b)(點(diǎn)擊下載原理圖)。其中圖(a)是用一片
隨著由電池供電的便攜式消費(fèi)類產(chǎn)品的增長(zhǎng),IC芯片的功耗已成為了一個(gè)世界性的問題,設(shè)計(jì)者必須通過配置合適的功率管理系統(tǒng)采用各種辦法來(lái)節(jié)省能量。便攜產(chǎn)品的設(shè)計(jì)卻要求工程師開發(fā)更有效的節(jié)能系統(tǒng)。隨著消費(fèi)類產(chǎn)品
摘要:對(duì)影響開關(guān)電源可靠性的幾個(gè)方面作出較為詳細(xì)的分析比較,從工程實(shí)際出發(fā)提出提高開關(guān)電源可靠性的方案。 關(guān)鍵詞:開關(guān)電源;可靠性;電磁兼容引言電子產(chǎn)品的質(zhì)量是技術(shù)性和可靠性兩方面的綜合。電源作為一個(gè)
這里介紹的兩種報(bào)警器,電路簡(jiǎn)單、觸發(fā)靈敏,能直接裝入組合式插座內(nèi),適用于家用電器的漏電報(bào)警,價(jià)廉易做。這兩只報(bào)警器電路分別見圖1(a)、(b)。其中圖(a)是用一片CMOS六反相器CD4069制作的漏電報(bào)警器。平時(shí)
來(lái)自歐洲7個(gè)國(guó)家的14家高等學(xué)府和科研院所組成的研發(fā)聯(lián)盟日前啟動(dòng)一個(gè)旨在通過解決65nm節(jié)點(diǎn)以下CMOS制造工藝中的功率泄漏問題來(lái)改進(jìn)下一代系統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)的開發(fā)項(xiàng)目。根據(jù)IST第六框架計(jì)劃的“納電子”戰(zhàn)略目標(biāo),歐洲委