超級電容模式是針對以上兩種結(jié)構(gòu)的局限而產(chǎn)生的,因?yàn)榍皟煞N結(jié)構(gòu)的最大輸出電流受到電池使用規(guī)格的限制。如果假定工作電流均可以達(dá)到1A,且輸出電壓是輸入電壓的2倍,根據(jù)前面給出的效率表達(dá)式,假定各自的平均效率可
P4是USB 端口,USB 總線包括一對5V 電源線和一對數(shù)據(jù)信號線,通常,+5V 電源線是紅色,接 地線是黑色,D+信號線是綠色,D-信號線是白色。USB 總線提供的電源電流最大可以達(dá)到500mA,一般情況下,CH341 芯片和低功耗
考慮到調(diào)制解調(diào)時(shí)可靠性,利用紅外線專用接收集成芯片CX20106 進(jìn)行調(diào)制解調(diào),其 內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如下圖 所示。 前置電路將接收到的信號,轉(zhuǎn)換成 CX2010 可以接收的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字信號,送到CX20106 的①腳,CX20106 的總放
變換器若能實(shí)現(xiàn)并聯(lián)模塊的交錯(cuò)運(yùn)行,就可以減小總的電壓和電流紋渡以及電磁干擾。因此,隨著電子信息技術(shù)的發(fā)展。交錯(cuò)并聯(lián)供電方式在通信電源、航空等領(lǐng)域中應(yīng)用的越來越廣泛。為此,本文在采用UC3846為控制芯片時(shí),通過使用晶振、反相器和脈沖計(jì)數(shù)器來共同產(chǎn)生振蕩頻率。從而在兩路電源并行工作時(shí)很好地解決了交錯(cuò)并聯(lián)時(shí)的同步問題。
USB(通用串行總線)規(guī)格要求,一個(gè)連接的USB設(shè)備對主機(jī)或集線器給出一個(gè)與44Ω并聯(lián)的不大于10μF的負(fù)載,它包含了通過器件穩(wěn)壓器的所有可見旁路電容。這個(gè)限制可避免當(dāng)浪涌電流為電容充電時(shí),設(shè)備上有過高的壓降。
0 引言 在模擬電子技術(shù)課程中,判別振蕩電路能否產(chǎn)生振蕩的步驟的是:先看直流通路,看放大器件是否工作在放大區(qū);再看交流通路,看是臺滿足振蕩條件。RC振蕩也好,LC振蕩電路也好,振蕩條件為: AF=1
California Micro Devices (CAMD) 近日宣布針對最先進(jìn)的數(shù)字消費(fèi)品和計(jì)算機(jī)應(yīng)用推出一款超低電容靜電放電 (ESD) 裝置 PicoGuard CM1227。 CM1227 提供四通道+/-15kV 接觸靜電放電保護(hù),并且超越了 IEC61000-4-2的四級
0 引言 隨著我國通訊事業(yè)的迅猛發(fā)展,對駐極體傳聲器的需求也越來越大。目前,一些小型的駐極體傳聲器雖然可以將場效應(yīng)管集成于傳聲器內(nèi)部,但由于高端產(chǎn)品的售價(jià)高昂,低端產(chǎn)品傳聲器的精度和靈敏度又無法保
2008年年底,上海海爾集成電路有限公司委托律師事務(wù)所對美國微芯科技公司在臺灣的專利發(fā)動(dòng)大規(guī)模專利舉發(fā)攻勢,歷時(shí)近一年的審查,目前已取得實(shí)質(zhì)進(jìn)展。上海海爾集成電路有限公司已于近日收到臺灣“經(jīng)濟(jì)部智慧財(cái)
充磁機(jī)存儲電容脈沖放電,最大瞬間放電電流可達(dá)到30ka以上,在10ms時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生極高強(qiáng)度的磁場,不會對電網(wǎng)造成沖擊影響。配合合適的充磁線圈,在瞬間產(chǎn)生30000 oe(奧斯特)以上的磁場,針對釹鐵硼等高矯頑力磁體,充磁效果更好。充磁和磁通檢測為一體適合流水線作業(yè),具有高效、可靠、抗干擾的特點(diǎn),但是,減少電力電子器件在通斷時(shí)對周圍影響待于進(jìn)一步研究。
分析影響VDMOS開關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù),為了減少寄生電容,提高開關(guān)速度,在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條,并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū),改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀,減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬,結(jié)果表明:這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比,能有效減小器件的寄生電容,減少柵電荷量,提高開關(guān)時(shí)間,提高器件的動(dòng)態(tài)性能。
國際電子商情訊 英飛凌科技股份公司近日被指定為參與歐洲合作研究項(xiàng)目MaxCaps 的德國五家合作伙伴的項(xiàng)目協(xié)調(diào)人,該項(xiàng)目旨在使電子設(shè)備變得更緊湊、更高效。共有來自半導(dǎo)體和汽車行業(yè)的17家公司和科研機(jī)構(gòu)參與MaxCaps
面板大廠友達(dá)持續(xù)強(qiáng)化在臺灣中科的布局。繼LED廠隆達(dá)通過將以300億元在中科興建LED晶粒廠,旗下彩色濾光片觸控面板廠達(dá)虹也將計(jì)劃投資250億元在中科投資興建新廠,用于生產(chǎn)投射式電容觸控面板,第一階段投資金額預(yù)估
英飛凌科技股份公司近日被指定為參與歐洲合作研究項(xiàng)目MaxCaps 的德國五家合作伙伴的項(xiàng)目協(xié)調(diào)人,該項(xiàng)目旨在使電子設(shè)備變得更緊湊、更高效。共有來自半導(dǎo)體和汽車行業(yè)的17家公司和科研機(jī)構(gòu)參與MaxCaps項(xiàng)目,開發(fā)“適用
分析影響VDMOS開關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù),為了減少寄生電容,提高開關(guān)速度,在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條,并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū),改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀,減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度,并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬,結(jié)果表明:這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比,能有效減小器件的寄生電容,減少柵電荷量,提高開關(guān)時(shí)間,提高器件的動(dòng)態(tài)性能。