在不久前于美國舊金山舉行的國際電子組件會議(IEDM)上,不少有關(guān)先進(jìn)邏輯制程技術(shù)的論文發(fā)表都著重在32納米節(jié)點(diǎn),只有IBM等少數(shù)公司發(fā)表了幾篇22納米技術(shù)論文;事實上,不少領(lǐng)先半導(dǎo)體大廠都在進(jìn)行22納米制程的研發(fā),究竟在這個領(lǐng)域有哪些技術(shù)挑戰(zhàn)?
在不久前于美國舊金山舉行的國際電子組件會議(IEDM)上,不少有關(guān)先進(jìn)邏輯制程技術(shù)的論文發(fā)表都著重在32納米節(jié)點(diǎn),只有IBM等少數(shù)公司發(fā)表了幾篇22納米技術(shù)論文;事實上,不少領(lǐng)先半導(dǎo)體大廠都在進(jìn)行22納米制程的研發(fā),究竟在這個領(lǐng)域有哪些技術(shù)挑戰(zhàn)?
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款具有低電容及漏電流的最新小型ESD 保護(hù)陣列--- 2 線路的 VBUS052CD-FAH 和 4 線路的 VBUS054CD-FHI,這些器件可保護(hù)高速數(shù)據(jù)線,以防止瞬態(tài)電壓信號。 具有 0.6 mm 超
美國風(fēng)險企業(yè)Cambrios Technologies在“FPD International 2008”(2008年10月29~31日,太平洋橫濱會展中心)上展出了卷狀塑料底板,使用了通過溶液加工的透明導(dǎo)電膜。將用于靜電容量式觸摸面板。目前靜電容量式觸
全新電容性觸摸屏控制器IC(Atmel)
如圖所示為高速積分電路。該電路中積分時間常數(shù)RtCt有較大的變化范圍。如果不考慮積分電容Ct,A2是一個具有正反饋補(bǔ)償?shù)膶拵Ы涣鞣糯笃?。A2的負(fù)反饋回路中加上電容Ct,則構(gòu)成積分器。由于輸入信號的低頻和直流部分通
如圖所示為實用微分電路。該電路為由通用運(yùn)放構(gòu)成。當(dāng)微分器輸入一個三角波時,其輸出為方波,而輸入信號頻率由電路中電阻R1、R2和電容C決定。本電路要求R1的值約為R2的十分之一,即: R1=R2/10 而電容C的值由R2的值
如圖所示是一個負(fù)脈沖觸發(fā)的寬延時單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器,它提供了數(shù)秒的延時時間,用于定時精度要求不高的場合。圖中延時主要決定于電容C。對于TTL電路來說,R的阻值一般為5~10kΩ。下表中列出了R=5.1kΩ時,延時的實測數(shù)
通過外部電容CSEL1、CSEL2可將低通濾波器的截止頻率設(shè)置在1kHz以下,以滿足窄帶應(yīng)用的需要,電路如圖所示。電容量的計算公式如下:
從模擬及混合信號芯片,尤其是放大器類產(chǎn)品發(fā)展趨勢來看,高集成度、兼顧速度與精度、低功耗、較寬的溫度范圍,以及軟件可控等性能,將是未來各個模擬器件供應(yīng)商的新產(chǎn)品呈現(xiàn)的新特點(diǎn)。對于某些中、低端電子產(chǎn)品的成