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意法半導體第四代碳化硅功率技術問世：為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制
2024年9月27日，中國– 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術。公司計劃在 2027 年前推出更多先進的 SiC 技術創(chuàng)新成果，履行創(chuàng)新承諾。
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電驅(qū)逆變器SiC功率模塊芯片級熱分析
摘要：本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續(xù)工作時的溫度，分析兩個電驅(qū)逆變模塊驗證，該測溫系統(tǒng)的驗證方法是，根據(jù)柵源電壓閾值選擇每個模塊內(nèi)的裸片。我們將從實驗數(shù)據(jù)中提取一個數(shù)學模型，根據(jù)Vth 選擇標準，預測當逆變器工作在電動汽車常用的電壓和功率范圍內(nèi)時的熱不平衡現(xiàn)象。此外，我們還能夠延長測試時間，以便分析在電動汽車生命周期典型電流負荷下的芯片行為。測試結果表明，根據(jù)閾壓為模塊選擇適合的裸片可以優(yōu)化散熱性能，減少熱失衡現(xiàn)象。
