近日,“激光原位分析新方法及裝置的研究”項(xiàng)目順利通過了驗(yàn)收。該項(xiàng)目由鋼鐵研究總院承擔(dān),該項(xiàng)目可應(yīng)用于冷軋板和鍍鋅板樣品的缺陷分析。項(xiàng)目組在研究了激光誘導(dǎo)擊穿等離子體的形成機(jī)理、不同材料的激光等離子體光
北京海光儀器公司坐落于中關(guān)村電子城科技園區(qū),主營(yíng)原子熒光光度計(jì)、原子吸收分光光度計(jì)、等離子體發(fā)射光譜等分析儀器,是目前世界上最大的原子熒光制造、銷售商之一,隸屬于中國(guó)地質(zhì)裝備總公司北京地質(zhì)儀器廠,具有
1 前言 多晶硅薄膜材料同時(shí)具有單晶硅材料的高遷移率及非晶硅材料的可大面積、低成本制備的優(yōu)點(diǎn)。因此,對(duì)于多晶硅薄膜材料的研究越來越引起人們的關(guān)注,多晶硅薄膜的制備工藝可分為兩大類:一類是高溫工藝,制備
本周的《自然》雜志發(fā)表了關(guān)于2004年卡西尼飛船開始監(jiān)控土星以來所觀測(cè)到得最大的風(fēng)暴的詳細(xì)結(jié)果。這也讓人們知道,不僅僅只有地球才有風(fēng)暴。這次土星風(fēng)暴掃過的面積相當(dāng)于地球表面積的8倍,也比卡西尼飛船在2009至2
一種能使玻璃或相似材料更透明的方法可以提高led設(shè)備的效率,如平板屏幕等。 該項(xiàng)目以倫敦大學(xué)國(guó)王學(xué)院的博士生RyanMcCarron為領(lǐng)導(dǎo),成功的將黃金納米薄膜引入玻璃,用以散射光線。 一般來說,在視角越來越尖銳的情況
據(jù)美國(guó)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道,英國(guó)科學(xué)家表示,他們對(duì)石墨烯的最新研究表明,讓石墨烯與金屬納米結(jié)構(gòu)結(jié)合可將石墨烯的聚光能力提高20倍,改進(jìn)后的石墨烯設(shè)備有望在未來的高速光子通訊中用作光敏器,讓速度為現(xiàn)在幾
"所有機(jī)箱的所有通道都與NI PXI-6653的參考時(shí)鐘緊密同步。使用NI TClk技術(shù)以及內(nèi)嵌鎖相環(huán),我們可以獲得小于300ps的通道間偏移,即便是在這個(gè)高通道數(shù)目的系統(tǒng)中。"– Milan Aftanas, Institute of Plasma Phys
摘要:為了研究提高無極燈光效的途徑,本文通過測(cè)量無極燈的放電電壓、電流、功率和光照度,計(jì)算了無極燈的阻抗變化。結(jié)果表明,放電電壓先降后升而后趨于穩(wěn)定;放電電流先升后降然后趨于穩(wěn)定; 無極燈阻抗先迅速下降
摘要:為了研究提高無極燈光效的途徑,本文通過測(cè)量無極燈的放電電壓、電流、功率和光照度,計(jì)算了無極燈的阻抗變化。結(jié)果表明,放電電壓先降后升而后趨于穩(wěn)定;放電電流先升后降然后趨于穩(wěn)定; 無極燈阻抗先迅速下降
破舊倉庫誕生了中關(guān)村第一家企業(yè)。 現(xiàn)在的中關(guān)村高樓林立。 這是一幅上世紀(jì)八十年代典型街景:紅磚舊屋頂、爛窗破火爐,幾輛斑駁的自行車對(duì)著屋門。照片很土,題名很洋:中關(guān)村的DNA!這間中國(guó)科學(xué)院物理所的破舊倉庫
應(yīng)用材料公司日前發(fā)布新的Applied Centura Conforma系統(tǒng),采用突破性的投影等離子體摻雜技術(shù)(ConformalPlasma Doping),可實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的用于下一代邏輯和存儲(chǔ)芯片的3D晶體管結(jié)構(gòu)。
松下生產(chǎn)科技(Panasonic Factory Solutions,總部:大阪府門真市)在公司內(nèi)部展會(huì)(Private Show)“Panasonic FA Show 2010”(2010年12月15~17日,東京)上公開了固晶機(jī)(Die Bonder)的新功能,以及目前正在開發(fā)
引言 介質(zhì)阻擋放電(DBD)最早起源于對(duì)臭氧發(fā)生及其應(yīng)用技術(shù)的研究。近二十多年來,由于工業(yè)等離子體化學(xué)合成與分解、環(huán)境污染治理等方面的需求,同時(shí)又由于材料科學(xué)和電力電子技術(shù)等相關(guān)學(xué)科也取得了較大的發(fā)展
美國(guó)應(yīng)用材料(Applied Materials,AMAT)與美國(guó)諾發(fā)系統(tǒng)(Novellus Systems)在3維封裝用TSV(硅貫通過孔)技術(shù)上的開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。AMAT在TSV制造裝置產(chǎn)品種類中增加了絕緣膜形成用單葉式CVD裝置“Producer InVi
引言 介質(zhì)阻擋放電(DBD)最早起源于對(duì)臭氧發(fā)生及其應(yīng)用技術(shù)的研究。近二十多年來,由于工業(yè)等離子體化學(xué)合成與分解、環(huán)境污染治理等方面的需求,同時(shí)又由于材料科學(xué)和電力電子技術(shù)等相關(guān)學(xué)科也取得了較大的發(fā)展,
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2009年2月12日,當(dāng)廣大中國(guó)消費(fèi)者還沒有從農(nóng)歷新年的喜慶氣氛中緩解過來的時(shí)候,一個(gè)驚人的消息卻在整個(gè)平板顯示產(chǎn)業(yè)中蔓延:著名的消費(fèi)電子廠商,擁有全球最高端等離子技術(shù)和最好產(chǎn)品的日本先鋒電子剛剛發(fā)表了一份
北京時(shí)間11月17日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,自從20世紀(jì)40年代晶體管出現(xiàn)以來,它一直是電腦和其他現(xiàn)代電子裝置的核心元件。晶體管的作用是接通、關(guān)閉或者增強(qiáng)電流,晶體管有各種形狀、大小和材質(zhì),這些主要根據(jù)它的用途