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從概念到現(xiàn)狀，一文讀懂FD-SOI
全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）是一種平面工藝技術(shù)，依賴于兩項主要技術(shù)創(chuàng)新。首先，在襯底上面制作一個超薄的絕緣層，又稱埋氧層。
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半導(dǎo)體概述
物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導(dǎo)電性差的材料，如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱為絕緣體。而把導(dǎo)電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體。可以簡單的把介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。與導(dǎo)體和絕緣體相比，半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的，直到20世紀30年代，當材料的提純技術(shù)改進以后，半導(dǎo)體的存在才真正被學術(shù)界認可。
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教你測量絕緣電阻的阻值
表面泄漏電流會導(dǎo)致連接點熱量增加，熱量增加又會促使絕緣層的退化，從而使導(dǎo)線變得脆弱。使所有的連接都保持清潔和緊固會使表面泄漏電流最小化。在600V及以下的系統(tǒng)中，表面泄漏電流是最小的，在中壓（1kV至35kV）應(yīng)用中，表面泄漏電流即成為了重要的一個因素。
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手機“免充”的節(jié)奏？拓撲絕緣體做得到！
據(jù)報道，中日科學家在拓撲絕緣體上做起了文章，他們發(fā)現(xiàn)了一種新的充電方式，可以在在室溫下直接產(chǎn)生電流，不僅不需要外部充電，更不會造成能量損耗。我們在初中物理課本上
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手機“免充”的節(jié)奏？！拓撲絕緣體做到了
一種新的充電方式，可以在在室溫下直接產(chǎn)生電流，不僅不需要外部充電，更不會造成能量損耗。
