每年我們都會(huì)回顧過去一年并對(duì)新年進(jìn)行展望,這在技術(shù)行業(yè)尤為如此。世上的事物發(fā)展瞬息萬變,因此無論是回顧還是展望12個(gè)月都是一個(gè)很長的跨度。因此我們決定簡化表述2013
聯(lián)華電子(13日)宣佈,為因應(yīng)先進(jìn)製程的持續(xù)推進(jìn),擴(kuò)大參與校園徵才活動(dòng),包含3/9(日)臺(tái)灣大學(xué)、3/15(六)交通大學(xué)、3/16(日)成功大學(xué),以及3/22(六)清華大學(xué)接連舉行的徵才博覽會(huì)。預(yù)計(jì)今年度將招募超過1,200名工程與
聯(lián)華電子與ARM日前共同宣布,協(xié)議將在聯(lián)華電子28納米高效能低功耗(HLP)制程上,提供ARM Artisan物理IP平臺(tái)與POP IP。為了支持各種不同的消費(fèi)電子產(chǎn)品客戶,諸如智能手機(jī)、平板電腦、無線通信與數(shù)字家庭等,聯(lián)華電子與
聯(lián)華電子7日宣布,采用聯(lián)華電子55納米嵌入式高壓(eHV)制程生產(chǎn)的小尺寸顯示器驅(qū)動(dòng)客戶芯片(SDDI),現(xiàn)已出貨超過1500萬顆??蛻舨捎么酥瞥逃诟叻直媛实母唠A智能手機(jī),此55納米eHV制程在聯(lián)華電子臺(tái)灣與新加坡的12吋晶圓
高分辨率智能手機(jī)適用的55納米顯示器驅(qū)動(dòng)芯片,制程良率達(dá)優(yōu)異水平聯(lián)華電子7日宣布,采用聯(lián)華電子55納米嵌入式高壓(eHV)制程生產(chǎn)的小尺寸顯示器驅(qū)動(dòng)客戶芯片(SDDI),現(xiàn)已出貨超過1500萬顆??蛻舨捎么酥瞥逃诟叻直媛?/p>
高分辨率智能手機(jī)適用的55納米顯示器驅(qū)動(dòng)芯片,制程良率達(dá)優(yōu)異水平 聯(lián)華電子7日宣布,采用聯(lián)華電子55納米嵌入式高壓(eHV)制程生產(chǎn)的小尺寸顯示器驅(qū)動(dòng)客戶芯片(SDDI),現(xiàn)已出貨超過1500萬顆??蛻舨捎么酥瞥逃诟叻?/p>
高分辨率智能手機(jī)適用的55納米顯示器驅(qū)動(dòng)芯片,制程良率達(dá)優(yōu)異水平聯(lián)華電子7日宣布,采用聯(lián)華電子55納米嵌入式高壓(eHV)制程生產(chǎn)的小尺寸顯示器驅(qū)動(dòng)客戶芯片(SDDI),現(xiàn)已出貨超過1500萬顆??蛻舨捎么酥瞥逃诟叻直媛?/p>
臺(tái)灣聯(lián)華電子(UMC)和美國SuVolta于2013年7月23日宣布,將共同開發(fā)28nm CMOS工藝技術(shù)(英文發(fā)布資料)。將把SuVolta獨(dú)自開發(fā)的工藝技術(shù)“Deeply Depleted Channel(DDC)”嵌入到聯(lián)華電子基于28nm高介電率(high-k)
聯(lián)華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,日前宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝。該項(xiàng)工藝將SuVolta的Deeply Depleted Channel™ (DDC)晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate(HKMG)高效
臺(tái)灣新竹, 加州洛斯加托斯— 聯(lián)華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,今日宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝。該項(xiàng)工藝將SuVolta的Deeply Depleted Channel? (DDC)晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米H
臺(tái)積電今天發(fā)布了2005年第四季度財(cái)報(bào)。報(bào)告顯示,由于芯片產(chǎn)品市場(chǎng)需求強(qiáng)勁,臺(tái)積電第四季度凈利潤同比增長52.8%,達(dá)到了分析師的預(yù)期。在截至2005年12月底的這一財(cái)季,臺(tái)積電的凈利潤為新臺(tái)幣339億元(約合10億美元)
聯(lián)華電子與全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造提供軟件、IP與服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商新思科技(Synopsys),日前(26日)共同宣布,兩家公司的合作已獲得成果。采用新思科技DesignWare®邏輯庫的IP組合及 Galaxy™實(shí)作平臺(tái)的一部分-寄生
晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)日前與IBM 共同宣布,聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟,共同開發(fā)10納米CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議,拓展了雙方于2012年簽訂14納米FinFET合作協(xié)議。擁有IBM的支援與know-how,聯(lián)電將
晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)日前與IBM共同宣布,聯(lián)電將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟,共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議,拓展了雙方于2012年簽訂之14奈米FinFET合作協(xié)議。擁有IBM的支援與know-how,聯(lián)電將
晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)日前與 IBM 共同宣布,聯(lián)電將加入 IBM 技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟,共同開發(fā)10奈米 CMOS制程技術(shù)。聯(lián)電與IBM兩家公司此次的協(xié)議,拓展了雙方于2012年簽訂之 14奈米 FinFET 合作協(xié)議。 擁有IBM的支援與know-
晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)宣布成立韓國業(yè)務(wù)辦公室,以協(xié)助拓展區(qū)域業(yè)務(wù),同時(shí)就近為當(dāng)?shù)乜蛻籼峁┓?wù)。聯(lián)電表示,該公司為韓國客戶所新設(shè)立的辦公室,由于地利之便,將可創(chuàng)造工作上的綜效,并進(jìn)而協(xié)助促進(jìn)與客戶間的合作
晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)宣布成立韓國業(yè)務(wù)辦公室,以協(xié)助拓展區(qū)域業(yè)務(wù),同時(shí)就近為當(dāng)?shù)乜蛻籼峁┓?wù)。聯(lián)電表示,該公司為韓國客戶所新設(shè)立的辦公室,由于地利之便,將可創(chuàng)造工作上的綜效,并進(jìn)而協(xié)助促進(jìn)與客戶間的合作
聯(lián)華電子與IBM日前(13日)共同宣布,聯(lián)華電子將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟,共同開發(fā)10奈米CMOS制程技術(shù)。IBM半導(dǎo)體研發(fā)副總Gary Patton表示:「IBM聯(lián)盟成立至今已逾十年,聯(lián)盟伙伴可整合運(yùn)用我們的專業(yè)知識(shí),團(tuán)隊(duì)研究合作與
晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)宣布成立韓國業(yè)務(wù)辦公室,以協(xié)助拓展區(qū)域業(yè)務(wù),同時(shí)就近為當(dāng)?shù)乜蛻籼峁┓?wù)。聯(lián)電表示,該公司為韓國客戶所新設(shè)立的辦公室,由于地利之便,將可創(chuàng)造工作上的綜效,并進(jìn)而協(xié)助促進(jìn)與客戶間的合作
聯(lián)華電子與半導(dǎo)體邏輯非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)硅智財(cái)領(lǐng)導(dǎo)廠商Kilopass日前共同宣布,雙方已簽署技術(shù)開發(fā)協(xié)議,Kilopass非揮發(fā)性內(nèi)存硅智財(cái)將于聯(lián)華電子兩個(gè)28奈米先進(jìn)制程平臺(tái)上使用,分別為:適用于生產(chǎn)可攜式裝置產(chǎn)品系統(tǒng)