摘要:簡(jiǎn)要分析了UC3637雙PWM控制器和IR2110的特點(diǎn),工作原理。由UC3637和IR2110共同構(gòu)建一種高壓大功率小信號(hào)放大電路,并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其可行性。 關(guān)鍵詞:小信號(hào)放大器;雙脈寬調(diào)制;懸浮驅(qū)動(dòng);高壓大功率
摘要:簡(jiǎn)要分析了UC3637雙PWM控制器和IR2110的特點(diǎn),工作原理。由UC3637和IR2110共同構(gòu)建一種高壓大功率小信號(hào)放大電路,并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其可行性。 關(guān)鍵詞:小信號(hào)放大器;雙脈寬調(diào)制;懸浮驅(qū)動(dòng);高壓大功率
摘要:簡(jiǎn)要分析了UC3637雙PWM控制器和IR2110的特點(diǎn),工作原理。由UC3637和IR2110共同構(gòu)建一種高壓大功率小信號(hào)放大電路,并通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其可行性。 關(guān)鍵詞:小信號(hào)放大器;雙脈寬調(diào)制;懸浮驅(qū)動(dòng);高壓大功率
摘要:闡述了高壓大功率變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的發(fā)展,同時(shí)對(duì)它們進(jìn)行了分析和比較,指出各自的優(yōu)缺點(diǎn),其中重點(diǎn)介紹了級(jí)聯(lián)型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并給出了仿真波形。 關(guān)鍵詞:多電平變換器;拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);高壓大功率 0 引言
2011年1月19日,英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS? 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進(jìn)芯片架構(gòu),使得CoolMOS? 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化,這為取得成功
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進(jìn)芯片架構(gòu),使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化,這為取得成功奠
1前言電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)與控制理論的結(jié)合,有力地促進(jìn)了交流變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展。近年來,具有驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能的智能IGBT的應(yīng)用使得變頻器結(jié)構(gòu)更加緊湊且可靠。與其它電力電子器件相比,IGBT具有高可靠性、
摘要:論述了諧振變壓器的原理,設(shè)計(jì)方法及研制中應(yīng)注意的幾個(gè)問題,并通過計(jì)算值與實(shí)測(cè)值對(duì)比的方法證明了文中計(jì)算公式的精確性和實(shí)用性。1前言 隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,采用高壓諧振技術(shù)對(duì)大容量電氣設(shè)備進(jìn)行工
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進(jìn)芯片架構(gòu),使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化,這為取得成功奠
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進(jìn)芯片架構(gòu),使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化,這為取得成功奠
1前言電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)與控制理論的結(jié)合,有力地促進(jìn)了交流變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展。近年來,具有驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能的智能IGBT的應(yīng)用使得變頻器結(jié)構(gòu)更加緊湊且可靠。與其它電力電子器件相比,IGBT具有高可靠性、