CIS

我要報(bào)錯(cuò)

  • 瑞薩2009釋放沉淀，穩(wěn)步革新

    2009年，全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)所帶來的負(fù)面影響波及世界各個(gè)角落。中國的半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模下降至682億美元，較去年下滑6.8%。相對(duì)于過去幾年保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)的中國半導(dǎo)體市場(chǎng)來說，這是很大的降幅。然而正是在這樣嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)面前，

    電源
    2009-12-21
    MCU 大賽 CIS ST

  • R32C/100系列CISC MCU（瑞薩）

    R32C/100系列CISC MCU（瑞薩）

  • 一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)

    分析影響VDMOS開關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù)，為了減少寄生電容，提高開關(guān)速度，在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條，并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū)，改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀，減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬，結(jié)果表明：這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比，能有效減小器件的寄生電容，減少柵電荷量，提高開關(guān)時(shí)間，提高器件的動(dòng)態(tài)性能。

    模擬
    2009-11-25
    電容 BSP VDMOS CIS

  • 一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)

    分析影響VDMOS開關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù)，為了減少寄生電容，提高開關(guān)速度，在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條，并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū)，改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀，減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬，結(jié)果表明：這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比，能有效減小器件的寄生電容，減少柵電荷量，提高開關(guān)時(shí)間，提高器件的動(dòng)態(tài)性能。

  • R&S公司將展示其全面領(lǐng)先的電磁兼容測(cè)試解決方案

    R&S公司將展出其全系列的EMI測(cè)試接收機(jī)：R&S?ESU、ESCI、ESPI和ESL,覆蓋了20Hz-40GHz 的頻率范圍, 全部支持最新的CISPR-AV, CISPR-RMS檢波方式，從全兼容的軍標(biāo)民標(biāo)測(cè)試到簡(jiǎn)單的診斷測(cè)試，可符合各種不同層次

  • 德章在大中華區(qū)分銷CISSOID高溫電子元件

    高溫半導(dǎo)體方案供應(yīng)商CISSOID與高溫電子元件及IC元件的專業(yè)分銷商德章系統(tǒng)有限公司聯(lián)合宣布，兩家公司已簽署獨(dú)家分銷協(xié)議，該協(xié)議由二零零九年八月一日起生效，適用于大中華地區(qū)(即中國、臺(tái)灣地區(qū)及香港地區(qū))。 德章

  • 韓國要求大企業(yè)必設(shè)CISO

    近日韓國通信委員會(huì)(KCC)召開“CEO信息保護(hù)戰(zhàn)略會(huì)議”，出臺(tái)了“提高企業(yè)信息安全水平”方案，旨在提高民營企業(yè)的信息安全意識(shí)。會(huì)上，該委員會(huì)規(guī)定年銷售額超過8000億韓元的大企業(yè)最快將從明年

  • 華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進(jìn)入量產(chǎn)

    晶圓代工企業(yè)上海華虹NEC電子有限公司日前宣布成功開發(fā)了0.162微米CMOS圖像傳感器(CIS162)工藝技術(shù)，已進(jìn)入量產(chǎn)階段。　 華虹NEC和關(guān)鍵客戶合作共同開發(fā)的CIS162工藝是基于標(biāo)準(zhǔn)0.162微米純邏輯工藝，1.8V的核心器件

  • 華虹NEC 0.162微米CIS工藝成功進(jìn)入量產(chǎn)

    晶圓代工企業(yè)上海華虹NEC電子有限公司日前宣布成功開發(fā)了0.162微米CMOS圖像傳感器(CIS162)工藝技術(shù)，已進(jìn)入量產(chǎn)階段?！?華虹NEC和關(guān)鍵客戶合作共同開發(fā)的CIS162工藝是基于標(biāo)準(zhǔn)0.162微米純邏輯工藝，1.8V的核心器件，

  • PIC單片機(jī)原理

    據(jù)統(tǒng)計(jì)，我國的單片機(jī)年容量已達(dá)1－3億片，且每年以大約16%的速度增長(zhǎng)，但相對(duì) 于世界市場(chǎng)我國的占有率還不到1%。這說明單片機(jī)應(yīng)用在我國才剛剛起步，有著廣闊的前景。培養(yǎng)單片機(jī)應(yīng)用人才，特別是在工程技術(shù)人員中

  • 新型EMI測(cè)試接收機(jī)（R&S）

    羅德與施瓦茨公司(R&S)推出完全符合CISPR 16-1-1的新型EMI測(cè)試接收機(jī)，覆蓋的頻率范圍從9 kHz到7 GHz。R&S ESCI7已經(jīng)滿足當(dāng)前最新版的信息技術(shù)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)：CISPR 22/EN 55022，此標(biāo)準(zhǔn)將從2010年生效。2010年10