DDR

DDR2器件HY5PS121621BFP在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

DDR2器件HY5PS121621BFP在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

爾必達(dá)宣布減產(chǎn)內(nèi)存芯片產(chǎn)能10%

繼力晶在本周一宣布減產(chǎn)10-15%后，日本內(nèi)存芯片廠商爾必達(dá)在昨天正式對(duì)外宣布，自9月中旬起將正式減產(chǎn)總產(chǎn)能10%，全球每月內(nèi)存芯片(DRAM)總供給量可望因此減少約1.5%。 力晶前天對(duì)外正式宣布將減少10-15%的標(biāo)準(zhǔn)型

臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體或推遲新工廠設(shè)備安裝

臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體表示，由于晶片價(jià)格下跌，公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠的設(shè)備安裝。綜合外電8月27日?qǐng)?bào)道，力晶半導(dǎo)體股份有限公司（5346.OT）發(fā)言人譚仲民27日表示，由于晶片價(jià)格下跌，公司很可能推遲兩家新12英

臺(tái)廠被逼到墻角 堅(jiān)持DRAM不減產(chǎn)

盡管DRAM價(jià)格一再探底，記憶體廠的日子苦哈哈，然爾必達(dá)(Elpida)仍持續(xù)在中國(guó)內(nèi)地和臺(tái)灣大舉擴(kuò)產(chǎn)，與三星電子(Samsung Electronics)強(qiáng)調(diào)2008年位元成長(zhǎng)率(bit growth)要達(dá)到100％策略如出一轍

新一代 3A DDR 端接穩(wěn)壓器（TI）

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款可滿足 DDR、DDR2、 DDR3 與 DDR4 等各種低功耗存儲(chǔ)器終端電源管理要求的汲極／源極雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 TPS51200。

低價(jià)低功耗DDR接口非揮發(fā)性RAM產(chǎn)品（恒憶）

恒憶 (Numonyx)推出 Velocity LPTM NV-RAM 產(chǎn)品系列，此系列是業(yè)界最快速的低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率 (LPDDR) 非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，不但可以給手機(jī)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品廠商提供更高的存儲(chǔ)性能，而且比目前其他解決方案價(jià)格更低。

三大DRAM廠商供應(yīng)GDDR5，瞄準(zhǔn)下一代圖形控制器

三家DRAM廠商正在供應(yīng)采用新型接口的器件，初步支持每個(gè)引腳4Gbits/秒的數(shù)據(jù)傳輸速度。這些芯片將面向AMD和Nvidia的下一代圖形控制器，預(yù)計(jì)這些控制器最早將于6月推出。 這三家DRAM廠商是海力士(Hynix)半導(dǎo)

奇夢(mèng)達(dá)最新512Mb顯存GDDR5首獲AMD采用

內(nèi)存供貨商奇夢(mèng)達(dá)公司(Qimonda)近日宣布其最新顯存GDDR5已被運(yùn)算、繪圖及消費(fèi)性電子市場(chǎng)創(chuàng)新處理器方案供貨商AMD采用。日前，奇夢(mèng)達(dá)已開(kāi)始量產(chǎn)并向AMD出貨其容量512Mb、頻率為每秒4.0G的GDDR5內(nèi)存組件。 G

市場(chǎng)吃緊 DRAM聽(tīng)到了

DRAM現(xiàn)貨價(jià)本季走勢(shì)上揚(yáng)，5月上半月的合約價(jià)也成功調(diào)漲10%，由于目前DRAM廠表示供給出現(xiàn)吃緊現(xiàn)象，預(yù)料下周將出爐的下半月價(jià)格可望還有漲價(jià)空間，而隨6月初臺(tái)北國(guó)際電腦展將登場(chǎng)，以及PC下半年旺季效應(yīng)到來(lái)，DRA

DRAM制造商將減少內(nèi)存現(xiàn)貨供應(yīng) 力爭(zhēng)穩(wěn)定價(jià)格

速度超快 三星計(jì)劃明年量產(chǎn)GDDR5新型顯存

內(nèi)存市場(chǎng)升級(jí)換代 明年1GB DDR2芯片將成主流

內(nèi)存市場(chǎng)升級(jí)換代 明年1GB DDR2芯片將成主流

大陸長(zhǎng)假效應(yīng)未顯 DDR2未見(jiàn)起色 NAND報(bào)價(jià)短線持穩(wěn)

內(nèi)存市場(chǎng)買(mǎi)氣持續(xù)低迷，五一二Mb有效測(cè)試（eTT）跌至一美元左右的新低價(jià)之后，雖暫時(shí)止跌并微幅反彈，但始終在一．○二至一．○五美元間低檔震蕩，顯見(jiàn)市況毫無(wú)起色。反觀NAND閃存部分，雖十月上旬合約價(jià)下殺，但降價(jià)

集邦：9月下旬DRAM合約價(jià)格預(yù)計(jì)下滑10%

DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)需求不佳，整體報(bào)價(jià)呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達(dá)7.8%，價(jià)格下跌至1.54美元。其余顆粒報(bào)價(jià)皆呈現(xiàn)微幅下跌，DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來(lái)由于市場(chǎng)需求不振以及買(mǎi)賣(mài)雙方抱持觀望