英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年,但近期在策略上有諸多調(diào)整,引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)界高度關(guān)注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn),卻不見(jiàn)英特爾投資身影,近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操
隨著英特爾和美光科技之間的合資企業(yè)IM Flash技術(shù)公司關(guān)閉的可能性日益增大,英特爾與美光科技之間的關(guān)系似乎有些緊張。這兩家公司面臨的困難是美光科技提出的有關(guān)英特爾對(duì)IM Flash新加坡公司做出的貢獻(xiàn)的爭(zhēng)議。美光
李洵穎/臺(tái)北 隨著DRAM廠轉(zhuǎn)換制程,產(chǎn)出增加,記憶體封測(cè)廠如力成科技、華東科技和福懋科技等2010年12月?tīng)I(yíng)收仍可望持穩(wěn)或小幅增加,處于高檔水準(zhǔn)。惟2011年第1季受到客戶如爾必達(dá)(Elpida)減產(chǎn)效應(yīng)沖擊,下單力道減弱
12月31日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,自從史蒂夫喬布斯(SteveJob)1997年回歸蘋(píng)果公司之后,蘋(píng)果每年都新聞不斷。這些新聞中大部分是正面的。不過(guò),蘋(píng)果像其他任何大公司一樣,也免不了犯點(diǎn)小錯(cuò)。蘋(píng)果從來(lái)都喜歡高調(diào)宣傳
英特爾(Intel)跨足NANDFlash產(chǎn)業(yè)邁入第5年,但近期在策略上有諸多調(diào)整,引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)界高度關(guān)注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn),卻不見(jiàn)英特爾投資身影,近期英特爾在亞太區(qū)NANDFlash操盤(pán)
導(dǎo)語(yǔ):科技博客Mashable周五刊文稱,移動(dòng)設(shè)備行業(yè)2010年取得了快速發(fā)展,這主要是由于智能手機(jī)銷售的強(qiáng)勁,以及iPad的興起。移動(dòng)設(shè)備的性能正越來(lái)越強(qiáng)大,上網(wǎng)速度正越來(lái)越快,而開(kāi)發(fā)者則推動(dòng)了移動(dòng)應(yīng)用的發(fā)展。以下
集邦科技(Trendforce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange表示,在Android可望逐漸成熟,市場(chǎng)接受度提高,預(yù)期2011年平板計(jì)算機(jī)出貨量由今年的1500萬(wàn)臺(tái)大增至5000萬(wàn)臺(tái)的規(guī)模,可說(shuō)是平板計(jì)算機(jī)起飛年,將帶動(dòng)內(nèi)建式NAND Flash
名稱:SPI FLASH 型號(hào):GD25Q80SCP 公司:北京兆易創(chuàng)新科技有限公司 英文名稱:GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 芯片概述: 兆易創(chuàng)新提供的具有通用SPI接口的512Kb到32Mb的Flash存儲(chǔ)器,如果配合四輸
本文論述了嵌入式系統(tǒng)的啟動(dòng)過(guò)程,由于嵌入式系統(tǒng)在每次重啟的時(shí)候都要執(zhí)行一次代碼的拷貝過(guò)程,這樣會(huì)浪費(fèi)很多時(shí)間。對(duì)于我們來(lái)說(shuō),只要內(nèi)存沒(méi)有斷電,里面就有我們的代碼,而沒(méi)有必要重新拷貝一次。本文就這一
2011年平板計(jì)算機(jī)起飛 帶動(dòng)NAND Flash需求
英特爾和美光(Micron)合資公司IMFlashTechnologies(以下簡(jiǎn)稱“IMFT”)新加坡工廠將于2011年第二季度投產(chǎn)。IMFT創(chuàng)建于2006年1月,主要生產(chǎn)NAND閃存,其首個(gè)制造工廠位于猶他州Lehi地區(qū)。IMFT新加坡工廠原計(jì)劃于2008年
北京時(shí)間12月17日消息,國(guó)外媒體引自Adobe公司的博客稱,下一代Flash Player,版本號(hào)為10.2,其效率將比現(xiàn)有版本提高至少10倍,在瀏覽YouTube時(shí)將獲得更好的瀏覽體驗(yàn)。 Flash Player 10.2引入了若干新特性,包括
美系存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)2010年全球NANDFlash市占率大躍進(jìn),已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座,在擴(kuò)產(chǎn)速度上,美光在2011年也不會(huì)缺席,與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開(kāi)始投產(chǎn),對(duì)于三星電
臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NANDFlash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn),全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出
全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲(chǔ)器,計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”,將廣邀存儲(chǔ)器
臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn),全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研
英飛凌科技股份公司近日在法國(guó)巴黎“智能卡暨身份識(shí)別技術(shù)工業(yè)展(CARTES & IDentification)”上宣布推出適用于新一代安全I(xiàn)C的90納米SOLID FLASH™ 技術(shù)。依靠SOLID FLASH技術(shù),英飛凌成為全球首家可
時(shí)序即將邁入年終之際,IC封測(cè)廠的營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)也開(kāi)始轉(zhuǎn)弱,11月的營(yíng)收跌多漲少,其中表現(xiàn)較為逆勢(shì)的則有矽品(2325)、欣銓(3264)、菱生(2369),均較上月出現(xiàn)反升,而記憶體封測(cè)廠力成(6239)、華東(8110)、福懋科(8131)則
1 引言 在DSP系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,經(jīng)常要使用片外存儲(chǔ)器擴(kuò)充系統(tǒng)存儲(chǔ)空間。特別是當(dāng)DSP的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和程序存儲(chǔ)器容量比較小時(shí), 必須把一部分?jǐn)?shù)據(jù),如常量、原始數(shù)據(jù)庫(kù)等存儲(chǔ)到片外的存儲(chǔ)器中,從而節(jié)省DSP芯片內(nèi)部
基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)通過(guò)地址映射方式實(shí)現(xiàn)片外FLASH擦寫(xiě)