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日本擴(kuò)大半導(dǎo)體技術(shù)出口管制，商務(wù)部回應(yīng)！
業(yè)內(nèi)消息，近日日本官方表示計(jì)劃擴(kuò)大對(duì)與半導(dǎo)體或量子計(jì)算相關(guān)的四項(xiàng)技術(shù)的出口限制，這是全球管制戰(zhàn)略技術(shù)出口的最新舉措。該限制措施向所有國(guó)家/地區(qū)（包括最受惠的貿(mào)易伙伴韓國(guó)、新加坡和中國(guó)臺(tái)灣）的此類(lèi)貨物將需要出口管制官員的批準(zhǔn)。
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三星3nm GAA制程良率堪憂(yōu)，這怎么對(duì)標(biāo)臺(tái)積電？
11月22日消息，據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)三星雖然搶先臺(tái)積電量產(chǎn)了3nm GAA(Gate-all-around，環(huán)繞柵極)芯片，但不代表進(jìn)展順利。最新的爆料稱(chēng)，三星3nm GAA制程的良率非常糟，僅為20%，為了解決這困境，三星計(jì)劃通過(guò)與美國(guó)公司合作提高良率。
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基于GAA架構(gòu)趁熱打鐵，三星將速推4nm芯片競(jìng)爭(zhēng)臺(tái)積電！
據(jù)悉，從兩個(gè)月前宣布在華城工廠已經(jīng)大規(guī)模開(kāi)始量產(chǎn)使用GAA(Gate-All-AroundT)全環(huán)繞柵極制程工藝的3nm芯片，到目前這批GAA架構(gòu)的3nm代工產(chǎn)品已經(jīng)發(fā)貨，對(duì)過(guò)去長(zhǎng)達(dá)幾年的在和臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)過(guò)程中陷入困局的三星來(lái)說(shuō)，這次提前發(fā)布3nm芯片并出貨一定程度上給予客戶(hù)和自己一些信心，同時(shí)，據(jù)悉三星會(huì)基于GAA架構(gòu)趁熱打鐵，快速推出4nm芯片競(jìng)爭(zhēng)臺(tái)積電，將此次速度優(yōu)勢(shì)發(fā)揮到最大。
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三星電子首次實(shí)現(xiàn) GAA" 多橋，打破 FinFET 技術(shù)的性能限制
6月20日消息，據(jù)BusinessKorea報(bào)道，三星電子正計(jì)劃通過(guò)在未來(lái)三年內(nèi)打造3納米GAA(Gate-all-around)工藝來(lái)追趕世界第一大代工公司——臺(tái)積電。
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三星率先完成3nm GAA工藝量產(chǎn) ,且成功流片，離量產(chǎn)又近了一步？
其中臺(tái)積電表示，他們將會(huì)在2022年量產(chǎn)3nm工藝，不過(guò)，他們?nèi)詴?huì)選擇FinFET晶體管技術(shù)，而三星則已經(jīng)選擇GAA技術(shù)，并且還成功流片，這也意味著他們離量產(chǎn)又近了一步。
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摩爾定律是否到頂？進(jìn)一步了解GAA芯片技術(shù)
蘋(píng)果9月推出 A14 仿生芯片，接著華為麒麟 9000 系列芯片也將隨Mate40 系列手機(jī)一起推出，而高通新一代驍龍 875也將在12月初發(fā)布，相同的是芯片都將是采用5nm 工藝，同時(shí)也意味著半導(dǎo)體工藝 5nm 的時(shí)代正在全面到來(lái)。
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2nm研發(fā)取得重大突破！臺(tái)積電邁向GAA為什么比三星晚？
根據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，近日臺(tái)積電在2nm研發(fā)上取得重大突破，目前已找到路徑，將切入全環(huán)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管GAA，這是臺(tái)積電繼從鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管FinFET技術(shù)取得全球領(lǐng)先地位之后，向另一全新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)
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臺(tái)媒：臺(tái)積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術(shù)
7月13日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電沖刺先進(jìn)制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡(jiǎn)稱(chēng)GAA)技術(shù)。 臺(tái)積電 臺(tái)媒稱(chēng)，三星已決定在3n
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臺(tái)積電邁向GAA，2nm芯片取得重大突破
據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電在 2nm 研發(fā)有重大突破，并且已成功找到路徑，臺(tái)積電2nm預(yù)計(jì)將在2023至2024推出，該技術(shù)為切入環(huán)繞式柵極技術(shù) (gate-all-around，簡(jiǎn)稱(chēng) GAA技術(shù))。盡管5nm剛實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)不久，臺(tái)積電和三星就開(kāi)始瞄準(zhǔn)更先進(jìn)的制程。
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美國(guó)封殺GAA半導(dǎo)體技術(shù)出口 中國(guó)突破3nm工藝要靠自己了
由于眾所周知的原因，美國(guó)正在收緊高科技的出口，日前美國(guó)政府制定了一份新的高科技出口禁令，包括量子計(jì)算機(jī)、3D打印及GAA晶體管技術(shù)等在內(nèi)，這其中GAA晶體管技術(shù)是半導(dǎo)體行業(yè)的新一代技術(shù)關(guān)鍵。 大家都知
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三星明年完成3nm GAA工藝開(kāi)發(fā) 性能大漲35%
盡管日本嚴(yán)格管制半導(dǎo)體材料多少都會(huì)影響三星的芯片、面板研發(fā)、生產(chǎn)，但是上周三星依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會(huì)議，公布了旗下新一代工藝的進(jìn)展，其中3nm工藝明年就完成開(kāi)發(fā)了。 三星在10n
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無(wú)懼日本制裁 三星將如期展示3nm GAA工藝最新進(jìn)展
本月4日起，日本宣布管制對(duì)韓國(guó)出口光刻膠、氟化聚酰亞胺和氟化氫這三種重要原材料，此舉使得韓國(guó)面板、半導(dǎo)體兩大支柱行業(yè)面臨危機(jī)，三星等公司更是急于獲得穩(wěn)定的原料來(lái)源，否則旗下的存儲(chǔ)芯片、面板生產(chǎn)都會(huì)停產(chǎn)
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