GaN器件

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ROHM開發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動(dòng)器IC

采用業(yè)界先進(jìn)的納秒量級(jí)柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)，助力LiDAR和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用的小型化和進(jìn)一步節(jié)能

ROHM
2023-10-19

柵極驅(qū)動(dòng)器 GaN器件數(shù)據(jù)中心
ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅(qū)動(dòng)控制”IC 技術(shù)

將GaN器件與控制IC相結(jié)合，助力電源應(yīng)用進(jìn)一步節(jié)能和小型化

ROHM
2023-03-07

電源電路控制IC GaN器件
世代更替

人類世代的演變很慢，在現(xiàn)在人們的記憶中，有“嬰兒潮”一代，然后是X世代、千禧一代（Y世代）和Z世代，最后到現(xiàn)在又奇怪地稱為“A”世代。我覺得這是因?yàn)樽帜敢呀?jīng)被用光了。而在半導(dǎo)體領(lǐng)域，世代的發(fā)展較快，從2020年11月UnitedSiC推出750V SiC FET開始，UnitedSiC SiC FET現(xiàn)已發(fā)展到了第4代。

UnitedSiC
2022-10-24

UnitedSiC UnitedSiC SiC FET GaN器件
ROHM開發(fā)出針對(duì)150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術(shù)

～解決了GaN器件的柵極耐壓問題，并有助于基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的電源實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化～

ROHM
2021-04-08

ROHM 柵極耐壓技術(shù) GaN器件
淺談GaN器件與數(shù)據(jù)中心的關(guān)系

在我們現(xiàn)在的日常生活中，每天都有不斷增長的數(shù)據(jù)被產(chǎn)生、存儲(chǔ)及服務(wù)，而社交網(wǎng)絡(luò)、在線視頻、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和汽車高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)則是這些數(shù)據(jù)尤其主要的貢獻(xiàn)者。以ADAS為例，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)咨詢公

通信網(wǎng)絡(luò)
2020-07-06

物聯(lián)網(wǎng) gan器件數(shù)據(jù)中心

lll27
fengfeng
wangjun88

GaN器件

ROHM開發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動(dòng)器IC

ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅(qū)動(dòng)控制”IC 技術(shù)

世代更替

ROHM開發(fā)出針對(duì)150V GaN HEMT的8V柵極耐壓技術(shù)

淺談GaN器件與數(shù)據(jù)中心的關(guān)系

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