10月17日消息,由于業(yè)績(jī)暴雷,這導(dǎo)致光刻機(jī)龍頭ASML股價(jià)暴跌,而兩天時(shí)間股價(jià)已跌超20%。
9月2日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱,在美國(guó)要求下,ASML明年可能無(wú)法為中國(guó)廠商維修光刻機(jī)。
8月21日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱,ASML 首席執(zhí)行官克里斯托夫-福凱接受采訪時(shí)表示,世界需要中國(guó)生產(chǎn)的"傳統(tǒng)芯片",它們將幫助填補(bǔ)歐洲的供需缺口。
7月9日消息,據(jù)外媒報(bào)道稱,由于種種因素,ASML絕不能賣(mài)給中國(guó)廠商最先進(jìn)的光刻機(jī),但該公司CEO卻表示,世界需要中國(guó)生產(chǎn)的“傳統(tǒng)芯片”。
6月16日消息,ASML去年底向Intel交付了全球第一臺(tái)High NA EUV極紫外光刻機(jī),同時(shí)正在研究更強(qiáng)大的Hyper NA EUV光刻機(jī),預(yù)計(jì)可將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)到0.2nm左右,也就是2埃米。
6月16日消息,ASML去年底向Intel交付了全球第一臺(tái)High NA EUV極紫外光刻機(jī),同時(shí)正在研究更強(qiáng)大的Hyper NA EUV光刻機(jī),預(yù)計(jì)可將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)到0.2nm左右,也就是2埃米。
5月15日消息,據(jù)媒體報(bào)道,臺(tái)積電近日表示,荷蘭光刻機(jī)制造商ASML的新型光刻機(jī)價(jià)格過(guò)于昂貴,目前不打算采購(gòu)。
4月29日消息,美國(guó)對(duì)中國(guó)的封鎖進(jìn)一步加劇,甚至不想讓ASML為已經(jīng)賣(mài)給中國(guó)的光刻機(jī)提供售后維護(hù)服務(wù),不過(guò)在ASML看來(lái),這么做影響并不大,至少基本不會(huì)影響其收入。
2月17日消息,ASML已經(jīng)向Intel交付第一臺(tái)高NA EUV極紫外光刻機(jī),將用于2nm工藝以下芯片的制造,臺(tái)積電、三星未來(lái)也會(huì)陸續(xù)接收,可直達(dá)1nm工藝左右。
9月7日消息,ASML宣布,將在今年底發(fā)貨第一臺(tái)支持高NA(數(shù)值孔徑)的EUV極紫外光刻機(jī),型號(hào)“Twinscan EXE:5000”。
作為半導(dǎo)體制造中的核心裝備之一,光刻機(jī)至關(guān)重要,7nm以下工藝所需的EUV光刻機(jī)只有ASML公司能生產(chǎn),售價(jià)達(dá)到10億以上,不過(guò)今年EUV的勢(shì)頭熄火了,DUV光刻機(jī)需求反而暴漲。
光刻機(jī)巨頭阿斯麥(ASML)在官網(wǎng)公布了2023年二季度的營(yíng)收數(shù)據(jù),由于DUV光刻機(jī)收入增加,該季度營(yíng)收為69億歐元,超出市場(chǎng)預(yù)期(66.9億歐元),凈利潤(rùn)19億歐元,毛利率為51.3%;第二季度訂單額45億歐元,同樣超出市場(chǎng)預(yù)期(39.8億歐元),其中EUV光刻機(jī)訂單價(jià)值16億歐元。
7月13日消息,《歐洲芯片法案》的結(jié)果已經(jīng)出爐,高達(dá)近500億元的補(bǔ)貼將啟動(dòng),為的是打造自主半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。
日前有報(bào)道稱,ASML將面向中國(guó)市場(chǎng)推出特別版DUV光刻機(jī),不過(guò)此事已經(jīng)辟謠,ASML表示一直以來(lái)ASML都遵守所適用的法律條例,公司并沒(méi)有面向中國(guó)市場(chǎng)推出特別版的光刻機(jī)。
近日,ASML在其官網(wǎng)發(fā)表聲明稱,該公司未來(lái)出口其先進(jìn)的浸潤(rùn)式DUV光刻系統(tǒng)(即TWINSCAN NXT:2000i及后續(xù)浸潤(rùn)式系統(tǒng))時(shí),將需要向荷蘭政府申請(qǐng)出口許可證。
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備巨頭 ASML 和比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣布雙方將在開(kāi)發(fā)最先進(jìn)高數(shù)值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻試驗(yàn)線的下一階段加強(qiáng)合作,為使用半導(dǎo)體技術(shù)的行業(yè)提供原型設(shè)計(jì)平臺(tái)和未開(kāi)發(fā)的未來(lái)機(jī)遇。
比利時(shí)微電子研究中心 (IMEC) 、阿斯麥 (ASML) 共同宣布,雙方將在開(kāi)發(fā)先進(jìn)高數(shù)值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻試驗(yàn)線的下一階段加強(qiáng)合作。
Imec和日本政府支持的以2nm工藝為目標(biāo)的半導(dǎo)體初創(chuàng)公司Rapidus本月早些時(shí)候在東京舉行的簽字儀式上同意了一項(xiàng)技術(shù)合作。
該路線圖包括突破性的晶體管設(shè)計(jì),從將持續(xù)到3納米的標(biāo)準(zhǔn)FinFET晶體管,到2納米和A7(7埃)的新的門(mén)控全方位(GAA)納米片和叉片設(shè)計(jì),然后是A5和A2的CFET和原子通道等突破性設(shè)計(jì)。需要提醒的是,10個(gè)埃等于1納米,因此Imec的路線圖包括了次 "1納米 "工藝節(jié)點(diǎn)。
近日,在比利時(shí)安特衛(wèi)普舉辦的未來(lái)峰會(huì)上,IMEC(微電子研究中心)發(fā)布報(bào)告,探討了直至2036年左右的半導(dǎo)體工藝、技術(shù)路線圖。