MOS

ECL至VMOS的接口電路

ECL至VMOS的接口電路

Altera為MoSys串行高密度帶寬引擎器件提供接口

Altera公司今天宣布，公司成功完成了StratixIV GT FPGA和MoSys的Bandwidth Engine器件在串行存儲(chǔ)器應(yīng)用中的互操作性測(cè)試。Stratix IV GT FPGA采用了GigaChip接口實(shí)現(xiàn)與MoSys帶寬引擎器件的互操作性，為數(shù)據(jù)流量管理和

Altera首次為MoSys串行高密度帶寬引擎器件提供接口

Altera公司日前宣布，公司成功完成了Stratix IV GT FPGA和MoSys的Bandwidth Engine器件在串行存儲(chǔ)器應(yīng)用中的互操作性測(cè)試。Stratix IV GT FPGA采用了GigaChip接口實(shí)現(xiàn)與MoSys帶寬引擎器件的互操作性，為數(shù)據(jù)流量管

Altera為MoSys串行高密度帶寬引擎器件提供接口

Altera公司日前宣布，公司成功完成了Stratix® IV GT FPGA和MoSys的Bandwidth Engine®器件在串行存儲(chǔ)器應(yīng)用中的互操作性測(cè)試。Stratix IV GT FPGA采用了GigaChip™接口實(shí)現(xiàn)與MoSys帶寬引擎器件的互操作性

使用MOS大規(guī)模IC的4位計(jì)數(shù)顯示電路

諾基亞西門(mén)子獲美國(guó)Mosaic電信LTE合同

美國(guó)鄉(xiāng)村電信運(yùn)營(yíng)商Mosaic電信（Mosaic Telecom）選擇諾基亞西門(mén)子為其部署LTE網(wǎng)絡(luò)，采用頻段為700MHz以及1700/2100MHz。Mosaic電信同時(shí)采用諾西的femto基站為自己的3G用戶完善室內(nèi)覆蓋。Mosaic電信首席執(zhí)行官Rick V

宏力半導(dǎo)體發(fā)布0.18微米電壓可調(diào)CDMOS制程工具包

宏力半導(dǎo)體專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，近日發(fā)布了國(guó)內(nèi)首個(gè)適用于模擬集成電路和電源管理集成電路的0.18微米電壓可調(diào)CDMOS(CMOS、LDMOS 及高壓Bipolar)制程。 與標(biāo)準(zhǔn)0.5和0.35微米的電源管理CDM

宏力半導(dǎo)體發(fā)布國(guó)內(nèi)首個(gè)0.18微米電壓可調(diào)CDMOS制程

上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 (宏力半導(dǎo)體)，專注于差異化技術(shù)的半導(dǎo)體制造業(yè)領(lǐng)先企業(yè)之一，近日發(fā)布了國(guó)內(nèi)首個(gè)適用于模擬集成電路和電源管理集成電路的0.18微米電壓可調(diào)CDMOS(CMOS、LDMOS 及高壓Bipolar)制程。與標(biāo)準(zhǔn)

IBM與Mosaid公司就侵權(quán)案達(dá)成和解協(xié)議

IBM與Mosaid公司就侵權(quán)案達(dá)成和解協(xié)議

比亞迪成為“2010泰利特戰(zhàn)略供應(yīng)商”

泰利特?zé)o線通信解決方案，機(jī)器對(duì)機(jī)器（M2M）技術(shù)領(lǐng)域?qū)I(yè)公司，不久前宣布將“2010泰利特戰(zhàn)略供應(yīng)商”稱號(hào)授予中國(guó)企業(yè)比亞迪。比亞迪是中國(guó)主要的電動(dòng)汽車(chē)制造商之一。借助巴菲特的投資，比亞迪最近被譽(yù)為最有前途的

瑞薩電子高壓MOS在進(jìn)行產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)的注意要點(diǎn)

本文主要介紹瑞薩電子（又稱：Renesas注1)高壓MOS在客戶電源等產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)的選型以及特性的說(shuō)明，為客戶的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)提供參考性的設(shè)計(jì)意見(jiàn)。 MOSFET以其電壓控制、開(kāi)關(guān)頻率高、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電源等產(chǎn)

美信與力晶合作BCD-MOS制程投片

繼德州儀器開(kāi)始在美國(guó)12寸廠RFAB開(kāi)始生產(chǎn)模擬IC之后，另一模擬芯片整合組件大廠美信半導(dǎo)體（Maxim）宣布，透過(guò)與臺(tái)灣DRAM大廠力晶科技合作，成功完成0.18微米雙載子/互補(bǔ)/擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體（BCD-MOS）制程認(rèn)證，并

美信與力晶合作完成BCD-MOS制程認(rèn)證

繼德州儀器開(kāi)始在美國(guó)12寸廠RFAB開(kāi)始生產(chǎn)模擬IC之后，另一模擬芯片整合組件大廠美信半導(dǎo)體(Maxim)宣布，透過(guò)與臺(tái)灣DRAM大廠力晶科技合作，成功完成0.18微米雙載子/互補(bǔ)/擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體(BCD-MOS)制程認(rèn)證，并已開(kāi)

美信、力晶BCD-MOS制程 投片

繼德州儀器開(kāi)始在美國(guó)12吋廠RFAB開(kāi)始生產(chǎn)模擬IC之后，另一模擬芯片整合組件大廠美信半導(dǎo)體（Maxim）宣布，透過(guò)與臺(tái)灣DRAM大廠力晶科技合作，成功完成0.18微米雙載子/互補(bǔ)/擴(kuò)散金屬氧化半導(dǎo)體（BCD-MOS）制程認(rèn)證，并

100W VMOS家用不停電電源2

100W VMOS家用不停電電源1

5V、2A的VMOS線性電源電路

簡(jiǎn)易VMOS定時(shí)器

LN099八節(jié)奏發(fā)生器電路的應(yīng)用電路圖

LN099是一塊電子琴專用NMOS節(jié)奏發(fā)生器電路,它通過(guò)內(nèi)部存貯系統(tǒng)的選擇,可提供八種節(jié)奏,自動(dòng)和弦,低音控制及四種打擊樂(lè)的16個(gè)時(shí)序的拍點(diǎn),并有與意大利SGS公司的音源電路M208配合的自動(dòng)分解和弦的花樣存貯拍點(diǎn).LN099外

100W VMOS家用不停電電源2