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高頻工作,可以減小電源系統(tǒng)中電容以及電感或變壓器的體積,降低電源成本,讓電源實(shí)現(xiàn)小型化,美觀化。從而實(shí)現(xiàn)電源的升級(jí)換代。
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在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中,PWM(脈沖寬度調(diào)制)與MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的結(jié)合已成為驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)的一種高效、靈活的方式。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,這種驅(qū)動(dòng)電路有時(shí)會(huì)面臨燒毀的嚴(yán)重問題,不僅影響設(shè)備的正常運(yùn)行,還可能造成經(jīng)濟(jì)損失和安全隱患。本文將從PWM+MOS驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)電路的工作原理出發(fā),深入分析燒毀問題的成因,并提出相應(yīng)的解決方案。
在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,放電MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為關(guān)鍵的控制元件,負(fù)責(zé)電池的放電過程。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,放電MOS常因過壓而擊穿,導(dǎo)致系統(tǒng)失效甚至安全隱患。本文將從放電MOS的工作原理、過壓擊穿的原因及預(yù)防措施三個(gè)方面進(jìn)行深入探討。
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導(dǎo)通損耗,指在 MOSFET 完全開啟后負(fù)載電流(即漏源電流) IDS(on)(t) 在導(dǎo)通電阻 RDS(on) 上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。
在這篇文章中,小編將分析一下模擬集成電路MOS等效輸入阻抗。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣,不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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在這篇文章中,小編將對(duì)功率MOSFET的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度,和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。