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在這篇文章中,小編將對MOS管的應用的相關內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度,文章內(nèi)附了大量實際應用電路,和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
MOS在開關過程中需要對輸入電容充放電,仍需要一定的驅(qū)動功率,開關頻率越高,所需要的驅(qū)動功率越大。
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在這篇文章中,小編將對MOS晶體管柵極電荷測量的相關內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度,和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
本文中,小編將在本文中介紹如何去計算MOS驅(qū)動電路的參數(shù),如果你想對MOS驅(qū)動電路的詳細情況有所認識,或者想要增進對MOS驅(qū)動電路的了解程度,不妨請看以下內(nèi)容哦。
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MOS管在微型逆變器上的應用,推薦瑞森半導體超結(jié)MOS系列+低壓MOS系列
MOS管在戶用儲能上的應用,推薦使用瑞森半導體(超結(jié)MOS系列+ 低壓SGT-MOS系列)
瑞森半導體超結(jié)MOS采用多層外延工藝,可對標英飛凌C3、 P6、 P7系列產(chǎn)品,滿足不同功率的適配器應用
北京2022年12月28日 /美通社/ -- 現(xiàn)在,在地球的任何地方幾乎都能使用云計算,甚至太空——亞馬遜云科技目前為全球30個地理區(qū)域(截止至2022年12月)的客戶提供服務,并通過柯伊伯計劃,正在將一組衛(wèi)星星群送入軌道,為全球服務未覆蓋以及服務受限的社區(qū)提供快速、價格合理的寬...
上海2022年12月21日 /美通社/ -- 由領先的雇主品牌傳播機構雇主品牌研究所(Employer Branding Institute)主辦,領先的商業(yè)媒體《商業(yè)周刊/中文版》作為戰(zhàn)略合作媒體,校園全媒體投放平臺校果作為戰(zhàn)略合作校園媒體的“2022雇主品牌創(chuàng)意大賽”(EMP...
湖南長沙2022年9月5日 /美通社/ -- 助力低碳出行,用芯驅(qū)動未來。9月2日,湖南三安半導體主辦的2022首屆新能源汽車電驅(qū)動技術創(chuàng)新峰會在長沙圓滿落幕。為提升汽車供應鏈韌性,加強汽車產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設,了解多方需求強化產(chǎn)業(yè)合力,本次峰會以"聚焦芯動力,構建新生態(tài)&qu...
快速推進創(chuàng)新和國際化戰(zhàn)略 上海2022年8月27日 /美通社/ -- 8月26日,翰森制藥(3692.HK)發(fā)布2022年上半年業(yè)績報告。報告顯示,在宏觀情形與疫情影響下,2022年上半年公司財務表現(xiàn)穩(wěn)健,結(jié)構性優(yōu)勢凸顯,創(chuàng)新動能與增長潛力充足,整體發(fā)展加速步入新階段。營業(yè)收入...
加拿大多倫多2022年7月18日 /美通社/ -- 小扇引微涼,悠悠夏日長。錯過了冬天的雪,春天的花,繽紛夏日必不可辜負。這個夏天,是時候用一段充滿愛的旅程,趕走長久以來的壓抑與疲憊。值此盛夏來臨之際,四季酒店推出"與所愛之人同行"暑期活動,奉上多款活動套餐,...
(全球TMT2022年7月14日訊)近期,悉尼大學的一項研究表明,雖然觀察者無法有意識地識別"真假臉"之間的差異,但他們的大腦可以。在興起的"換臉術"(deepfakes)黑科技使用中,如何區(qū)分真實的人臉和仿造的人臉呢?悉尼大學的神經(jīng)科學家發(fā)現(xiàn)了一種新方法:人們的大腦可以檢測出...
舍弗勒帶來機器人應用技術創(chuàng)新與食品行業(yè)的可持續(xù)解決方案 產(chǎn)品應用領域涵蓋輕型和協(xié)作機器人,與帶有集成傳感器系統(tǒng)的諧波減速機 擴展解決方案組合,涵蓋應用于工業(yè)機器人的精密行星減速器 在食品包裝行業(yè)持續(xù)推出創(chuàng)新的系列產(chǎn)品 德國施韋因富特2022年5月27日&n...
德克薩斯州奧斯汀2022年5月5日 /美通社/ -- 先進聲學傳感和非侵入式監(jiān)測系統(tǒng)領域的領先企業(yè)SEISMOS INC今天宣布與Liberty Energy建立合作關系,從而擴展刺激性能的實時質(zhì)量控制工具集。Liberty和Seismos將專注于通過提供Seismos-MWF?...
(全球TMT2022年5月5日訊)先進聲學傳感和非侵入式監(jiān)測系統(tǒng)領域企業(yè)SEISMOS INC宣布與Liberty Energy建立合作關系,從而擴展刺激性能的實時質(zhì)量控制工具集。Liberty和Seismos將專注于通過提供Seismos-MWF™(壓裂時測量)...
金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導,源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度,從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應晶體管稱為P溝道增強型場效應晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道,加上適當?shù)钠珘?,可使溝道的電阻增大或減小。