隨著科技的不斷進(jìn)步,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)也在飛速發(fā)展。在眾多存儲(chǔ)技術(shù)中,PSRAM(Pseudo Static Random Access Memory,偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),在數(shù)據(jù)緩沖應(yīng)用中逐漸嶄露頭角,成為取代傳統(tǒng)SRAM(Static Random Access Memory,靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的有力候選者。本文將從PSRAM的技術(shù)特點(diǎn)、性能優(yōu)勢(shì)以及實(shí)際應(yīng)用等方面,深入探討其在數(shù)據(jù)緩沖應(yīng)用中的潛力和價(jià)值。
愛普?UHS PSRAM擁有更強(qiáng)性能、低功耗、少引腳數(shù)特點(diǎn),瞄準(zhǔn)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用場(chǎng)景 新竹2024年6月6日 /美通社/ -- 全球客制化存儲(chǔ)芯片解決方案設(shè)計(jì)公司愛普科技與硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)(SIP)、平臺(tái)與IP設(shè)計(jì)服務(wù)供貨商Mobiveil今日宣布,已成功開發(fā)出專屬愛普的Ultr...
存儲(chǔ)器粗略的可以分為 存儲(chǔ)器一般分為以下四大類別: 1.非易發(fā)性(揮發(fā)性)存儲(chǔ)器,如NAND FLASH、NOR flash,主要特征是在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)在掉電之后不會(huì)丟失,這類存儲(chǔ)器的
瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布開發(fā)出目前市場(chǎng)上最高容量的64 Mb先進(jìn)低功耗SRAM(先進(jìn)LPSRAM) R1WV6416R系列,以及小尺寸的32 Mb先進(jìn)LPSRAM產(chǎn)品R1LV3216R系列。