PowerPAK

關(guān)注5人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

Vishay推出業(yè)界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK? SO-8L非對(duì)稱(chēng)雙芯片封裝60 V MOSFET

緊湊型5mm x 6mm器件可助力汽車(chē)行業(yè)節(jié)省空間并提高開(kāi)關(guān)模式電源的效率

VISHAY
2020-12-15

Vishay MOSFET PowerPAK
Vishay推出采用PowerPAK? 1212 8S封裝的-30 V P溝道MOSFET，RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，提高功率密度，降低便攜式電子設(shè)備功耗

器件占位面積10.89 mm2，RDS（ON）降至3.5 m?，F(xiàn)OM降至172 m?*nC，均為業(yè)內(nèi)最佳水平

VISHAY
2020-02-11

rds powerpak MOSFET
Vishay推出高效80 V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類(lèi)產(chǎn)品最佳水平

器件采用PowerPAK? SO-8單體封裝，導(dǎo)通電阻降至2.35 mΩ，柵極電荷為55 nC，COSS為614 pF。

VISHAY
2020-02-10

powerpak Vishay MOSFET
Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)

通用器件輸入電壓范圍寬達(dá)4.5V至60V，內(nèi)部補(bǔ)償功能減少外部元器件

VISHAY
2019-12-11

DC/DC powerpak Vishay MOSFET
Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。

VISHAY
2019-12-11

powerpak Vishay MOSFET
Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)

通用器件輸入電壓范圍寬達(dá)4.5V至60V，內(nèi)部補(bǔ)償功能減少外部元器件。

電源
2019-12-09

DC/DC powerpak 電源新品 Vishay MOSFET

wangjun88
fubingo
11944951abc
anzidage
xlhtracy007

<optgroup id="wgcoe"></optgroup>

PowerPAK

Vishay推出業(yè)界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK? SO-8L非對(duì)稱(chēng)雙芯片封裝60 V MOSFET

Vishay推出采用PowerPAK? 1212 8S封裝的-30 V P溝道MOSFET，RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，提高功率密度，降低便攜式電子設(shè)備功耗

Vishay推出高效80 V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類(lèi)產(chǎn)品最佳水平

Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)

Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(hù)(5人)

熱門(mén)活動(dòng)

課程視頻

PowerPAK

Vishay推出業(yè)界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK? SO-8L非對(duì)稱(chēng)雙芯片封裝60 V MOSFET

Vishay推出采用PowerPAK? 1212 8S封裝的-30 V P溝道MOSFET，RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，提高功率密度，降低便攜式電子設(shè)備功耗

Vishay推出高效80 V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類(lèi)產(chǎn)品最佳水平

Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)

Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(hù)(5人)

熱門(mén)活動(dòng)

課程視頻

Vishay推出采用PowerPAK? 1212 8S封裝的-30 V P溝道MOSFET，RDS(ON)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，提高功率密度，降低便攜式電子設(shè)備功耗

Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封裝的新款同步降壓穩(wěn)壓器具有高效率、高功率密度和優(yōu)異的熱設(shè)計(jì)等優(yōu)點(diǎn)

Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率