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匯總功率二極管15個(gè)知識(shí)點(diǎn)
功率二極管 在電子電路中起著至關(guān)重要的作用。它可用作轉(zhuǎn)換器電路、穩(wěn)壓電路、反激/續(xù)流二極管和反向電壓保護(hù)中的整流器。
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非放電型RCD緩沖電路如何設(shè)計(jì)？看大佬怎么做的！
以下內(nèi)容中，小編將對(duì)非放電型RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對(duì)緩沖電路設(shè)計(jì)的了解，和小編一起來(lái)看看吧。
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第3代DDR5 RCD發(fā)布,助力服務(wù)器內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾侍嵘?400MTs
從最近Intel、AMD等大廠的服務(wù)器CPU最新發(fā)布來(lái)推斷，DDR5在服務(wù)器市場(chǎng)的滲透率有望進(jìn)一步提高，進(jìn)入放量期。而為了迎合未來(lái)服務(wù)器高速大帶寬的應(yīng)用需求，內(nèi)存接口相關(guān)的技術(shù)迭代同樣也在積極跟進(jìn)。近日，Rambus發(fā)布了其最新的第3代DDR5 RCD，將DDR5 DIMM的數(shù)據(jù)傳輸速率進(jìn)一步提升到了6400MT/s，為未來(lái)CPU以及服務(wù)器應(yīng)用的穩(wěn)定發(fā)展提供了更好的技術(shù)支持。
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助力數(shù)據(jù)中心DDR5應(yīng)用，Rambus發(fā)布第二代寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器
經(jīng)過(guò)了數(shù)年的時(shí)間，DDR5來(lái)了。全新的設(shè)計(jì)帶來(lái)了更大容量和更高帶寬的同時(shí)，也帶來(lái)了更多周邊芯片和方案的升級(jí)。熟悉內(nèi)存條的用戶會(huì)知道，有一個(gè)非常關(guān)鍵的芯片是RCD（寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器），它起著非常關(guān)鍵的作用。Rambus于近日發(fā)布了全新的第二代RCD產(chǎn)品，這是業(yè)界首款5600 MT/s DDR5 RCD，可以為下一代數(shù)據(jù)中心DDR5 RDIMM提供關(guān)鍵支持。
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如何改善電源噪聲？
通常對(duì)于開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō)，結(jié)構(gòu)還是相對(duì)復(fù)雜的，元器件眾多且電路 PCB 板線路密集，所以在設(shè)計(jì)時(shí)會(huì)由于各種原因?qū)е码娫闯霈F(xiàn)噪聲情況。
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開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路
對(duì)于一位開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō)，在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又
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低損耗RCD正激電源制作經(jīng)驗(yàn)匯總
電路設(shè)計(jì)一直是想著低損耗高效率的目標(biāo)邁進(jìn)的，開(kāi)發(fā)者在設(shè)計(jì)的過(guò)場(chǎng)當(dāng)中可以通過(guò)器件和電路的配合來(lái)將損耗降到最低的限度。UC3845能夠讓設(shè)計(jì)者只用最少的外部元件來(lái)獲得收益最高的方案，這是元器件上的選擇，而RCD電路在電源設(shè)計(jì)中最大作用是吸收電阻，從而最大程度的降低損耗。 本篇文章將為大家介紹由UC3845的RCD組成的正激電源設(shè)計(jì)總結(jié)，希望能夠?qū)Υ蠹矣兴鶐椭?
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