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ROHM開發(fā)出內置SiC二極管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”
損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67%，有助于以更高的性價比進一步降低車載和工業(yè)設備功耗
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安森美半導體的寬禁帶方案、技術及仿真工具優(yōu)化并加快您的設計
據(jù)市場調研機構IHS，從2016年到2027年SiC和GaN應用將激增，包括電動/混動汽車及充電樁基礎設施、太陽能逆變器、電源、工業(yè)電機驅動、不間斷電源(UPS)、軍事/航空等應用領域，其中電動/混動汽車、太陽能逆變器、電源將是主要的應用市場。
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美高森美新型30 kW三相Vienna PFC參考設計充分利用SiC二極管和MOSFET器件以提供高性能
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 宣布提供采用碳化硅(SiC) 二極管和MOSFET器件的全新可擴展30 kW三相Vienna功率因數(shù)校正(PFC)拓撲參考設計。這款可擴展的用戶友好解決方案由美高森美與北卡羅萊納州立大學(NCSU)合作開發(fā)，非常適合快速電動車(EV)充電和其它大功率汽車和工業(yè)應用;此外，它亦可通過美高森美功能強大的SiC MOSFET和二極管，為客戶提供更高
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SiC器件終迎春天
在經(jīng)過多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來了春天。
