格芯量產(chǎn)eMRAM,基于22nm FD-SOI平臺
22nm FD-SOI工藝eMRAM年內(nèi)量產(chǎn),采用相關(guān)芯片的終端明年面世
格芯推出基于22FDX平臺且可批量生產(chǎn)的eMRAM
105°C高溫下可擦寫1億次 傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達(dá)90%
英特爾已準(zhǔn)備好大批量生產(chǎn)eMRAM,基于FinFET工藝
C21S19主板原理圖
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